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SC2275 Wafer di ossido termico di silicio

Catalogo no. SC2275
Materiale SiO2/Si
Diametro Ø 2" / Ø 3" / Ø 4" / Ø 6" / Ø 8" / Ø 12"
Indice di rifrazione 1.456

SAM fornisce wafer di ossido termico di silicio di diametro compreso tra 2" e 12"; scegliamo sempre wafer di silicio di prima scelta e privi di difetti come substrato per la crescita di uno strato di ossido termico ad alta uniformità per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

Prodotti correlati: Wafer di antimoniuro di indio, wafer di carburo di silicio, wafer di fosfuro di gallio, wafer di silicio, wafer di germanio 1851 (wafer Ge).

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SC2275 Silicon Thermal Oxide Wafer
SC2275 Silicon Thermal Oxide Wafer
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SDS
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