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Stanford Advanced Materials
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  • IN2270 Wafer di antimoniuro di indio

    • IN2270 Wafer di antimoniuro di indio

    Catalogo no. IN2270
    Materiale InSb
    Spessore 500 um - 625 um
    Tipo conduttivo N - tipo
    Diametro Ø 2" Ø 3"

    Stanford Advanced Materials (SAM) fornisce un'ampia gamma di wafer composti, tra cui wafer di GaAs, wafer di GaP, wafer di GaSb, wafer di InAs e wafer di InP.

    Prodotti correlati: Wafer di nitruro di gallio,wafer di arseniuro di gallio, wafer di germanio (wafer Ge), wafer di fosfuro di gallio, wafer di arseniuro di indio.

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    IN2270 Indium Antimonide Wafer
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