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GA2171 Wafer di arseniuro di gallio (GaAs)

Catalogo no. GA2171
Materiale GaAs
Spessore 350 um ~ 625 um
Tipo conduttivo Tipo P / Tipo N / Semi-isolante
Diametro Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
Politipo 4H / 6H

Stanford Advanced Materials (SAM) offre wafer di GaAs a cristallo singolo prodotti con le due principali tecniche di crescita LEC e VGF, che ci consentono di fornire ai clienti la più ampia scelta di materiali GaAs con un'elevata uniformità delle proprietà elettriche e un'eccellente qualità superficiale.

Prodotti correlati: Wafer di nitruro di gallio, wafer di zaffiro, wafer di carburo di silicio, wafer di silicio, wafer di germanio (wafer Ge).

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GA2171 Gallium Arsenide Wafer
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