CY9473 Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), Dia. 30 mm x1 mm, SSP

Substrato di nichel a cristallo singolo Ni Substrato (110), Dia. 30 mm x1 mm, SSP Descrizione

Il substrato di nichel a cristallo singolo Ni Substrate (110), Dia. 30 mm x 1 mm, SSP è realizzato in nichel di elevata purezza con un allineamento cristallografico uniforme (110). Il diametro definito di 30 mm e lo spessore di 1 mm consentono la compatibilità con le apparecchiature di deposizione epitassiale standard. La sua superficie atomicamente piatta facilita una crescita accurata del film e una qualità riproducibile dell'interfaccia, contribuendo a studi sistematici nell'ambito della scienza dei materiali e dello sviluppo dei processi semiconduttori.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), Dia. 30 mm x1 mm, Applicazioni SSP

Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella deposizione epitassiale di film per dispositivi a semiconduttore per ottenere una crescita uniforme dei cristalli sfruttando l'orientamento controllato (110).
- Applicato come piattaforma di riferimento nell'integrazione a livello di wafer per ridurre al minimo le variazioni di interfaccia sfruttando la sua morfologia superficiale uniforme.

Applicazioni industriali e di ricerca scientifica
- Impiegato come substrato di calibrazione negli studi cristallografici per ottenere risultati di diffrazione precisi sfruttando la sua struttura a cristallo singolo.
- Utilizzato nello sviluppo di sensori per migliorare l'integrità del segnale sfruttando la sua superficie a minimizzazione di difetti.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), Dia. 30 mm x 1 mm, confezione SSP

Il substrato è fissato in un contenitore antistatico con inserti in schiuma per assorbire gli urti e prevenire i danni meccanici. L'imballaggio in camera bianca e la confezione sigillata riducono il rischio di contaminazione durante il trasporto e lo stoccaggio. Si raccomanda di conservare il substrato in un ambiente a temperatura e umidità controllate per preservarne la superficie e le proprietà cristallografiche. Su richiesta sono disponibili confezioni personalizzate con etichettatura specifica.

Domande frequenti

Q1: Qual è il significato dell'orientamento (110) in questo substrato?
A1: L'orientamento (110) fornisce una disposizione atomica definita che facilita una crescita riproducibile del film epitassiale e proprietà superficiali costanti. Le misure di diffrazione dei raggi X confermano l'orientamento, rendendo il substrato adatto a studi cristallografici dettagliati.

D2: Come deve essere conservato questo substrato per mantenerne l'integrità?
A2: Per mantenere l'integrità del substrato, conservarlo in un ambiente controllato con temperatura e umidità regolabili. Utilizzare un imballaggio antistatico e ridurre al minimo le sollecitazioni meccaniche durante la manipolazione per evitare danni alla superficie e la contaminazione.

D3: SAM offre assistenza tecnica per l'integrazione di questo substrato nei flussi di processo?
A3: SAM fornisce assistenza tecnica, compresa la caratterizzazione completa con SEM e AFM, per garantire che il substrato soddisfi i requisiti di processo specifici. La loro esperienza facilita l'integrazione in varie configurazioni di fabbricazione, garantendo un'adozione senza problemi del processo.

Informazioni aggiuntive

I substrati di nichel a cristallo singolo sono una risorsa fondamentale nella ricerca sulla scienza dei materiali, in quanto offrono orientamenti cristallografici ben definiti, essenziali per gli studi sistematici sulla crescita epitassiale. La loro struttura controllata contribuisce a colmare il divario tra ricerca fondamentale e applicazione industriale, in particolare nei semiconduttori e nella fisica delle superfici.

La comprensione del ruolo dell'orientamento cristallografico nel determinare il comportamento del materiale è fondamentale per ottimizzare i processi di fabbricazione dei dispositivi. Questi substrati consentono ai ricercatori di correlare le proprietà strutturali con le prestazioni elettroniche, contribuendo al progresso della tecnologia dei sensori e dei metodi di deposizione dei film sottili.