CY9470 Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), 10x10x0,5 mm, SSP

Substrato di nichel a cristallo singolo Ni (110), 10x10x0,5 mm, SSP Descrizione

Il substrato di nichel a cristallo singolo (110), 10x10x0,5 mm, SSP offre una struttura a cristallo singolo ben definita di nichel con orientamento (110), garantendo un reticolo uniforme essenziale per la crescita epitassiale. Le dimensioni del substrato, 10 mm per 10 mm con uno spessore di 0,5 mm, consentono una perfetta integrazione con le apparecchiature di lavorazione standard. La densità minima di difetti e la finitura superficiale uniforme lo rendono adatto ad applicazioni nella ricerca sui materiali avanzati e nella lavorazione dei semiconduttori.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), 10x10x0,5 mm, Applicazioni SSP

Elettronica e lavorazione dei semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei sistemi di deposizione di film sottili per ottenere strati epitassiali uniformi sfruttando il suo preciso orientamento (110).
- Applicato come barriera di diffusione nei circuiti integrati per migliorare le prestazioni dei dispositivi grazie a strutture a grani uniformi.

Ricerca sui materiali e analisi di laboratorio
- Serve come standard di calibrazione negli esperimenti cristallografici per convalidare le tecniche di deposizione e i trattamenti superficiali, sfruttando la sua bassa densità di difetti.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (110), 10x10x0,5 mm, confezione SSP

Il substrato è fissato individualmente in una busta antistatica e in un contenitore imbottito per evitare danni meccanici e contaminazioni. È conservato in un ambiente asciutto, a temperatura controllata e a bassa umidità per mantenere le condizioni superficiali precise. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui inserti aggiuntivi in schiuma ed etichettatura, per adattarsi a specifici protocolli di manipolazione e stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'orientamento (110) è vantaggioso per i processi di crescita epitassiale?
A1: L'orientamento (110) offre una sagoma cristallina uniforme che facilita la crescita coerente dello strato epitassiale, riducendo i difetti del film e migliorando l'adesione critica nella fabbricazione dei semiconduttori.

D2: Quali sono i metodi di controllo della qualità utilizzati per garantire la precisione del substrato?
A2: SAM impiega la diffrazione a raggi X per verificare l'allineamento cristallografico e la microscopia a forza atomica per valutare la rugosità della superficie, assicurando che il substrato aderisca alle rigorose tolleranze dimensionali e di densità dei difetti.

D3: Il substrato può essere personalizzato per soddisfare specifiche esigenze di ricerca?
R3: Sì, è possibile modificare le dimensioni o i trattamenti superficiali aggiuntivi attraverso consulenze tecniche, consentendo la personalizzazione per soddisfare impostazioni sperimentali specializzate.

Informazioni aggiuntive

I substrati di nichel svolgono un ruolo importante nella scienza dei materiali grazie alla loro capacità di supportare la crescita di film epitassiali di alta qualità. La precisione cristallografica di questi substrati influenza direttamente le prestazioni e la riproducibilità dei dispositivi a film sottile. La ricerca in questo campo si concentra spesso sulla comprensione di come le proprietà del substrato, come l'orientamento dei grani e l'uniformità della superficie, influenzino l'efficienza complessiva del processo.

L'applicazione dei substrati di nichel monocristallino si estende a varie tecniche sperimentali nell'ingegneria dei semiconduttori e dei materiali. L'ambiente controllato durante la produzione e la successiva verifica della qualità assicurano che questi substrati forniscano una piattaforma affidabile per la ricerca avanzata, contribuendo a migliorare i processi di deposizione e le prestazioni dei dispositivi.