CY9466 Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (100), 10x5x0,5 mm, SSP

Nichel Substrato a cristallo singolo Ni Substrato (100), 10x5x0,5 mm, SSP Descrizione

Il substrato di nichel a cristallo singolo Ni Substrate (100), 10x5x0,5 mm, SSP è un substrato di nichel monocristallino caratterizzato dall'orientamento cristallografico (100). Le dimensioni di 10 mm x 5 mm x 0,5 mm sono configurate per ridurre al minimo le imperfezioni superficiali e garantire un'elevata uniformità del reticolo. Questa precisa specifica ne supporta l'uso nella crescita epitassiale e nella lavorazione dei semiconduttori, dove le proprietà cristallografiche controllate sono fondamentali per le prestazioni.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (100), 10x5x0,5 mm, SSP Applicazioni

1.Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come piattaforma di crescita nella deposizione di strati epitassiali per ottenere un allineamento uniforme dei cristalli sfruttando l'orientamento (100).
- Applicato nella fabbricazione di sensori a film sottile per migliorare la levigatezza dell'interfaccia e ridurre al minimo la dispersione indotta da difetti.

2.Applicazioni industriali e di ricerca
- Serve come materiale di riferimento negli studi cristallografici per analizzare il comportamento dei confini dei grani grazie alla sua struttura uniforme a cristallo singolo.
- Utilizzato frequentemente nella microscopia a scansione come substrato per fornire una superficie liscia e minimizzata dalle dislocazioni per misure accurate su scala nanometrica.

Substrato di nichel a cristallo singolo Substrato di Ni (100), 10x5x0,5 mm, confezione SSP

Il substrato è imballato in modo sicuro in una busta antistatica e imbottito con inserti di schiuma per evitare danni meccanici e contaminazione durante il trasporto. Deve essere conservato in un ambiente asciutto e a temperatura controllata per preservare l'integrità del cristallo. Per le applicazioni che richiedono una maggiore protezione contro l'ossidazione e la contaminazione superficiale, è disponibile un imballaggio opzionale con lavaggio con gas inerte.

Domande frequenti

Q1: Quali tecniche specifiche di caratterizzazione della superficie vengono implementate durante la produzione?
A1: Il processo di produzione integra l'analisi superficiale basata sul SEM per valutare l'orientamento del cristallo e la densità dei difetti. Ciò consente il monitoraggio della qualità in tempo reale e garantisce che il substrato soddisfi i rigorosi standard cristallografici richiesti nelle applicazioni di alta precisione.

D2: In che modo l'orientamento (100) influenza la crescita epitassiale?
A2: L'orientamento (100) facilita una deposizione epitassiale coerente, fornendo una struttura reticolare uniforme. Questo riduce al minimo i problemi di disallineamento durante la crescita del film, migliorando così l'allineamento e le prestazioni degli strati depositati nei dispositivi a semiconduttore.

D3: Questi substrati sono compatibili con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori?
A3: Sì, le dimensioni e la qualità della superficie del substrato sono progettate per una perfetta integrazione con i sistemi di lavorazione dei semiconduttori esistenti, garantendo la compatibilità con le pratiche di fabbricazione e i protocolli delle apparecchiature di routine.

Informazioni aggiuntive

I substrati a cristallo singolo sono fondamentali nella ricerca sui materiali, in particolare nello studio della crescita di strati epitassiali e nell'analisi dei difetti cristallografici. Le loro strutture reticolari ben definite consentono una valutazione precisa delle proprietà superficiali, fondamentale per migliorare le tecniche di lavorazione dei semiconduttori. L'uso di metodi analitici avanzati, come il SEM, nella fabbricazione dei substrati aiuta a ottimizzare le proprietà del materiale per le rigorose applicazioni industriali.

I substrati di nichel hanno un'importanza significativa nelle applicazioni dei metalli non ferrosi, grazie alle loro caratteristiche fisiche stabili e alla resistenza all'ossidazione. I progressi nelle tecniche di crescita dei cristalli hanno migliorato la capacità di controllare l'orientamento e l'uniformità di questi substrati, supportando un'ampia gamma di applicazioni industriali e di ricerca che si basano su materiali ad alte prestazioni e con difetti ridotti al minimo.