Substrati di cristallo comuni per applicazioni ottiche e di semiconduttori
I substrati di cristallo rappresentano le basi della fabbricazione dei semiconduttori, della fotonica, dell'optoelettronica e dell'ingegneria ottica avanzata. Sono la perfezione strutturale, il comportamento elettronico, la trasparenza ottica e le prestazioni termiche a definire la qualità di dispositivi come circuiti integrati, diodi laser, LED, fotorivelatori, strutture MEMS, modulatori ottici non lineari e componenti laser ad alta potenza. Di seguito viene fornita una panoramica dei substrati comunemente utilizzati, insieme ai dettagli delle loro applicazioni e specifiche.

Silicio - substrato universale per microelettronica e MEMS
Il silicio è ancora il substrato cristallino più utilizzato nella produzione di microelettronica e MEMS grazie alla sua economicità, all'ecosistema di lavorazione maturo e alla robustezza meccanica. Questi attributi ne garantiscono la costante rilevanza per i dispositivi logici, l'elettronica di potenza e le piattaforme di sensori. Nell'ottica, il silicio è un materiale fondamentale per i componenti a infrarossi, i circuiti integrati fotonici, le guide d'onda passive e gli elementi di imaging termico, grazie alla sua trasparenza nella gamma IR da 1,2 a 8 μm. I circuiti fotonici ad alta velocità e i risonatori MEMS avanzati sono consentiti dai wafer SOI, che trovano applicazione nelle comunicazioni 5G, nei sistemi LiDAR e nel rilevamento di precisione.
Le specifiche tipiche dei substrati di silicio comprendono un'ampia gamma di tipi: CZ, FZ, SOI; livelli di purezza >99,99% e opzioni di resistività da milli-ohm a mega-ohm, a seconda del drogaggio. Gli orientamenti includono (100), (111) e (110) per soddisfare le esigenze del dispositivo. Il drogaggio prevede boro, fosforo o arsenico. I diametri variano da 2 a 12 pollici. La finitura superficiale varia da lucidata su un solo lato a lucidata su due lati per applicazioni ottiche che richiedono una bassa dispersione e una precisa planarità.

Lo zaffiro è un materiale di substrato ad alte prestazioni per l'optoelettronica e la tecnologia laser.
Lo zaffiro è il substrato più utilizzato per l'epitassia del nitruro di gallio e costituisce la base dei LED blu, dei LED UV, dei diodi laser ad alta potenza e di molti componenti RF. La sua elevatissima durezza e conducibilità termica lo rendono utile anche nei sistemi ottici ad alta energia, nelle finestre degli orologi, nelle ottiche IR e negli ambienti soggetti a radiazioni. Queste proprietà dello zaffiro, unite alla sua stabilità chimica e alla resistenza ai cicli termici, lo rendono adatto anche per sensori in ambienti difficili e finestre ottiche ad alta temperatura.
I substrati di zaffiro sono solitamente preparati nelle orientazioni C-plane, A-plane, R-plane e M-plane per soddisfare le diverse esigenze epitassiali. I substrati di alta qualità offrono un'eccellente planarità con TTV < 5 μm e una bassa rugosità superficiale di Ra < 0,3 nm. Lo zaffiro dimostra una purezza molto elevata e viene offerto in forme lucidate su un solo lato o su due lati. Grazie al suo punto di fusione molto elevato, pari a 2040°C, lo zaffiro viene scelto nei luoghi in cui la stabilità termica a lungo termine è fondamentale.

Quarzo e silice fusa - Stabilità ottica e trasparenza UV
I substratidi quarzo e silice fusa sono ampiamente utilizzati nell'ottica ultravioletta, nei rivestimenti ottici, nell'interferometria, nei dispositivi microfluidici e nei fotomaschi per la litografia dei semiconduttori. La loro bassa espansione termica e l'eccellente trasparenza, dall'UV profondo (~180 nm) all'IR, li rendono indispensabili nei sistemi laser ad alta potenza, nell'ottica di precisione e nei componenti stabili in base alla lunghezza d'onda. La silice fusa è favorita per il suo bassissimo contenuto di OH e la bassa birifrangenza, mentre il quarzo è apprezzato per le proprietà piezoelettriche utilizzate in oscillatori, filtri e risonatori.
Questi substrati sono disponibili in gradi di elevata purezza con spessori da 0,5 a 10 mm per le lastre ottiche o da 200 a 800 μm per i formati wafer. Le finiture superficiali includono tipicamente la super-lucidatura (rugosità <1 Å) per le applicazioni laser. Gli orientamenti del quarzo includono il taglio X, il taglio Y e il taglio Z, a seconda dei requisiti piezoelettrici. I wafer di quarzo sono comunemente disponibili in diametri da 2 a 6 pollici, mentre le piastre di silice fusa sono personalizzate nelle dimensioni e nella geometria. Il loro basso coefficiente di espansione termica (~0,5 ppm/K) garantisce la stabilità dimensionale in caso di esposizione laser ad alta energia.

Arsenuro di gallio (GaAs) : Un substrato a bandgap diretto per dispositivi optoelettronici e ad alta velocità
I substrati di GaAs sono ideali per i dispositivi optoelettronici che necessitano di un'elevata mobilità degli elettroni, di un'emissione diretta del bandgap e di un efficiente assorbimento della luce. I LED a infrarossi, i VCSEL, i fotodiodi, i laser a cascata quantistica e molti componenti RF ad alta frequenza si basano tutti su substrati di GaA. Gli usi più comuni dell'arseniuro di gallio includono le comunicazioni satellitari e gli amplificatori di potenza 5G. La sua corrispondenza reticolare con l'AlGaAs e l'InGaAs lo rende adatto a complesse strutture epitassiali multistrato, tra cui pozzi quantici e superlattici.
La produzione tipica di substrati di GaAs comprende tipi semi-isolanti e conduttivi, in cui la resistività può essere ingegnerizzata per applicazioni RF o ottiche. Gli orientamenti includono tipicamente (100) con opzioni di taglio per ridurre al minimo i confini antifase. I diametri standard sono 2, 3, 4 e 6 pollici. Tutte queste caratteristiche sono essenziali per l'epitassia MBE o MOCVD.
Niobato di litio (LiNbO₃), tantalato di litio (LiTaO₃) - Substrati non lineari ed elettro-ottici
Tra i materiali ottici non lineari, il niobato di litio e il tantalato di litio rivestono un'importanza fondamentale per l'ottica non lineare, i modulatori acusto-ottici, i filtri SAW, il raddoppio di frequenza e la fotonica integrata ad alta velocità. Il forte effetto elettro-ottico del LiNbO₃ lo rende una piattaforma preferita per i modulatori nelle telecomunicazioni e nella fotonica quantistica. Le sue proprietà piroelettriche e piezoelettriche supportano sensori, rivelatori IR e dispositivi di controllo della frequenza di precisione.
I substrati commerciali sono solitamente disponibili con orientamento X-cut, Y-cut e Z-cut. La purezza e il controllo dei difetti sono importanti per ridurre al minimo la diffusione ottica e gli effetti di rifrazione. Gli spessori variano da 0,5 a 100 mm per le lastre ottiche o ~300-700 µm per i formati wafer. Le qualità della superficie includono finiture lucidate su uno o due lati, spesso con una rugosità bassissima nelle guide d'onda e nelle regioni di interazione.
Lettura correlata: Wafer di tantalato di litio e di niobato di litio: Un confronto completo per gli appassionati di tecnologia
Carburo di silicio - SiC Un substrato resistente per l'elettronica ad alta potenza
Il SiC è uno dei substrati più apprezzati per l'elettronica ad ampio bandgap di nuova generazione, in grado di supportare MOSFET SiC, diodi Schottky, moduli di potenza e sensori ad alta temperatura. L'ampio bandgap e l'elevata conducibilità termica del SiC consentono ai dispositivi di funzionare ad alte tensioni, ad alte velocità di commutazione e in condizioni difficili, il che è essenziale nei veicoli elettrici, negli inverter per le energie rinnovabili, nell'elettronica aerospaziale e negli alimentatori industriali.
I wafer SiC sono disponibili nei gradi 4H, 6H e semi-isolanti con purezza ottimizzata per la riduzione dei difetti. La finitura superficiale comprende superfici epi-ready lucidate con CMP con densità di difetti estremamente basse. Le dimensioni standard comprendono formati da 2, 4, 6 e, in rapida crescita, da 8 pollici. L'orientamento e la densità dei micropipe sono parametri di qualità critici per le prestazioni a livello di dispositivo.
Tabella 1: Caratteristiche dei principali substrati di cristallo utilizzati nelle applicazioni ottiche e dei semiconduttori
|
Materiale |
Tipi/gradi comuni |
Opzioni di orientamento |
Opzioni di drogaggio |
Finitura superficiale |
Note chiave |
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Silicio (Si) |
CZ, FZ, SOI |
(100), (111), (110) |
B, P, As |
SSP, DSP, Epi-ready |
Substrato universale per elettronica, fotonica e MEMS. |
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Zaffiro (Al₂O₃) |
Piano C, piano A, piano R, piano M |
C, A, R, M |
Non drogato |
SSP, DSP, ultrapiatto |
Dominante per l'epitassia del GaN (LED, laser), eccellente stabilità termica. |
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Quarzo / Silice fusa |
Grado UV, grado IR, Low-OH, High-OH |
Taglio X, taglio Y, taglio Z (solo quarzo) |
Non drogato |
Lucidatura ottica (<1 Å), superlucidatura |
Trasparenza UV, bassa espansione termica, ideale per ottiche e fotomaschere. |
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Arsenuro di gallio (GaAs) |
SI-GaAs, tipo N, tipo P |
(100) ± fuori taglio |
SI drogato con Cr; Si o Zn per conduttività |
Lucidato pronto per l'uso |
Substrato a bandgap diretto per laser, rivelatori IR e componenti RF. |
|
Niobato di litio (LiNbO₃) |
Congruente, drogato con MgO, stechiometrico |
X, Y, Z |
MgO, ZnO |
SSP, DSP, lucidatura ottica |
Fondamentale per l'ottica non lineare, i modulatori e le guide d'onda SAW/ottiche. |
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Tantalato di litio (LiTaO₃) |
Congruente e stechiometrico |
X, Y, Z, 5° spento |
Non drogato |
SSP, DSP |
Eccellente materiale piroelettrico e SAW. |
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Carburo di silicio (SiC) |
4H, 6H, SI-SiC |
(0001), opzioni fuori asse |
Tipo N (N, P); semi-isolante |
Pronto per CMP Epi |
Ideale per dispositivi ad alta potenza, stabilità termica, veicoli elettrici ed elettronica ad alta tensione. |
La Tabella 1 riassume le principali caratteristiche dei substrati - tipo, purezza, orientamento, drogaggio e finitura superficiale - per un facile riferimento nelle situazioni quotidiane di R&S e produzione. Per ulteriori informazioni sui prodotti, consultare Stanford Advanced Materials (SAM).
Conclusione
Isubstrati cristallini sono le strutture di base su cui si fondano tutte le moderne tecnologie semiconduttive, fotoniche e ottiche. Ogni materiale di substrato, tra cui il silicio per i CMOS e i MEMS, lo zaffiro per l'epitassia del GaN, il quarzo per l'ottica UV, il GaAs per l'optoelettronica ad alta velocità, il LiNbO₃ per la modulazione elettro-ottica e il SiC per i dispositivi di potenza ad ampio bandgap, condivide un insieme unico di vantaggi elettronici, ottici e termici che determinano direttamente la capacità e l'affidabilità del sistema finale.
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Dischi
Fibre e tessuti
Film
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Dr. Samuel R. Matthews


