CY8542 Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice Descrizione

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice è stato meticolosamente progettato per offrire un'uniformità e una purezza eccezionali, che lo rendono una base ideale per un'ampia gamma di applicazioni microelettroniche e fotoniche. Con una bassa densità di difetti e una stretta tolleranza di spessore, questo wafer a cristallo singolo garantisce risultati coerenti in processi quali la crescita epitassiale, la deposizione di film sottili e la fabbricazione di dispositivi. L'orientamento cristallografico (100) garantisce proprietà elettriche e meccaniche ottimali, oltre a una struttura reticolare stabile che favorisce applicazioni di alta precisione.

Prodotto secondo rigorosi standard di controllo della qualità, questo substrato soddisfa o supera i parametri di riferimento del settore per quanto riguarda la rugosità superficiale, l'accuratezza dimensionale e la composizione del materiale. L'eccellente conduttività termica e la robusta resistenza meccanica garantiscono prestazioni affidabili anche in condizioni difficili. Sia che venga utilizzato per la ricerca, la prototipazione o la produzione in grandi volumi, questo wafer di silicone di qualità superiore offre la consistenza e la durata richieste dalle innovazioni high-tech di oggi.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice Applicazioni

Nell'elettronica d'avanguardia e nella ricerca sui materiali avanzati, il substrato di cristalli di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice si distingue per la sua struttura uniforme, l'elevata purezza e l'eccellente stabilità termica. Queste caratteristiche garantiscono un'efficiente mobilità dei portatori di carica e una robusta integrità meccanica. Di conseguenza, questo substrato consente a produttori, ricercatori e imprenditori di superare i limiti delle prestazioni dei dispositivi, delle scoperte scientifiche e delle soluzioni di prodotto innovative.

1. Applicazioni industriali

-Produzione di dispositivi a semiconduttore: Sfrutta l'orientamento uniforme dei cristalli e l'elevata purezza per produrre circuiti integrati affidabili con prestazioni ottimizzate.

-Produzione di sensori di alta precisione: Sfrutta l'eccellente stabilità termica per i sensori che richiedono misure precise e costanti in ambienti difficili.

2. Applicazioni di ricerca

-Indagini sull'informatica quantistica: Sfrutta la mobilità superiore dei portatori di carica per esplorare i processi quantistici e sviluppare architetture computazionali di nuova generazione.

-Esperimenti ottici e fotonici: Fornisce una piattaforma stabile per studiare le tecnologie basate sulla luce e le scoperte nel campo della scienza dei materiali.

3. Applicazioni commerciali

-Progressi nell'elettronica di consumo: Consente di realizzare dispositivi più veloci, più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico grazie a una solida integrità meccanica e a capacità di drogaggio costanti.

-Celle solari a film sottile: Offre un substrato affidabile per progetti fotovoltaici innovativi che mirano a massimizzare l'efficienza di conversione dell'energia.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) da 1 pollice di diametro (100) è sigillato in un ambiente di camera bianca e protetto da un sacchetto di polietilene antistatico a doppio strato. Racchiuso in un supporto di plastica imbottito o in un contenitore rivestito di schiuma, il substrato rimane protetto dalle sollecitazioni meccaniche e dai contaminanti. Conservatelo in un'area asciutta e a temperatura controllata per mantenere l'integrità del wafer. Su richiesta, sono disponibili ulteriori misure di protezione, come involucri sigillati con azoto, per garantire soluzioni di imballaggio completamente personalizzate.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice?

A1: Il substrato presenta tipicamente una struttura monocristallina allineata all'orientamento (100) per profili di drogaggio uniformi. È noto per l'elevata mobilità elettronica, lo spessore costante e la resistività precisa, spesso nell'ordine degli ohm-cm. Anche la conducibilità termica è notevole e facilita la dissipazione del calore. I suoi bassi livelli di impurità garantiscono difetti minimi, rendendolo adatto ad applicazioni di semiconduttori ad alte prestazioni.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: Per una manipolazione sicura, è necessario indossare sempre guanti da camera bianca o protezioni per le dita per evitare la contaminazione da oli o particelle. Evitare di toccare direttamente la superficie lucida e utilizzare pinzette o bacchette per il vuoto pulite e antistatiche quando si sposta il substrato. Conservare il wafer in un supporto protettivo o in un contenitore sigillato in un ambiente a umidità controllata per ridurre al minimo l'ossidazione e l'accumulo di particelle. Ispezionare regolarmente le condizioni di stoccaggio per mantenere la qualità del substrato.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice?

A3: I produttori di solito aderiscono alla norma ISO 9001 per la gestione della qualità, garantendo processi di produzione coerenti e una documentazione rigorosa. I substrati sono spesso conformi agli standard SEMI per le dimensioni, la planarità e la finitura superficiale dei wafer, garantendo la comparabilità nell'industria dei semiconduttori. Possono essere rilevanti anche certificazioni aggiuntive, come la ISO 14001, che sottolinea la responsabilità ambientale. Ogni lotto viene spesso fornito con dati di ispezione del materiale, che verificano specifiche come l'orientamento, lo spessore, la rugosità superficiale e la resistività.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Prodotto con un diametro costante di 1 pollice, il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) è apprezzato per il suo reticolo cristallino uniforme e l'elevata purezza. L'allineamento cristallografico unico garantisce un comportamento elettrico stabile, fondamentale per le applicazioni di alta precisione come i componenti microelettronici e i dispositivi optoelettronici. La rigidità meccanica è un'altra caratteristica importante, che consente una maggiore resistenza alle deformazioni e alle sollecitazioni termiche durante i processi di fabbricazione prolungati.

A differenza dei wafer più grandi, questo substrato di diametro ridotto offre una maggiore versatilità nello sviluppo di prototipi o nella produzione su scala di laboratorio. Le sue dimensioni compatte semplificano la manipolazione e riducono la probabilità di danni, rendendolo una scelta ideale per le strutture di ricerca che esplorano progetti di semiconduttori specializzati. Unitamente a una planarità affidabile e a uno stretto controllo dello spessore, offre una base solida per ottenere risultati accurati nella sperimentazione di dispositivi avanzati.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Acclamato per la precisione delle sue superfici, il substrato di cristallo di silicio (Si) (100) Dia. 1 pollice è parte integrante di settori all'avanguardia, tra cui la fotonica, la nanotecnologia e l'ingegneria dei sensori. Nelle imprese fotoniche, l'orientamento costante del substrato favorisce la propagazione uniforme delle onde, garantendo una manipolazione superiore della luce, essenziale per i sistemi ottici di prossima generazione. Nei laboratori di nanotecnologia, la sua struttura atomica rigida consente una nanofabbricazione affidabile, che porta a innovazioni nei circuiti miniaturizzati e nelle piattaforme di rilevamento biomolecolare.

Gli ingegneri del settore elettronico hanno integrato questo substrato in dispositivi di potenza, array di transistor e moduli wireless avanzati. L'orientamento stabile (100) riduce i difetti del cristallo, consentendo una maggiore resa dei dispositivi e migliori prestazioni nelle applicazioni ad alta frequenza. Il suo diametro compatto, unito all'uniformità della superficie, lo rende un'opzione privilegiata per l'incollaggio preciso dei wafer e per i processi di deposizione stratificata, sottolineando ulteriormente il suo ruolo fondamentale nel moderno progresso dei semiconduttori.