ST0947 Target di sputtering all'arseniuro di indio, InAs

Descrizione del target di sputtering all'arseniuro di indio

Il target di sputtering all'arseniuro di indio, InAs, è progettato per lo sputtering di precisione e la deposizione di film sottili in applicazioni di semiconduttori e optoelettronica. Prodotto sotto un rigoroso controllo di qualità, questo target offre prestazioni costanti con specifiche di elevata purezza (≥99%). La sua robusta stabilità termica con un punto di fusione di 942 °C e una densità di 5,67 g/cm³ garantiscono un funzionamento affidabile in ambienti industriali esigenti.

Applicazioni dei target di sputtering all'arseniuro di indio

- Produzione di semiconduttori: Ideale per depositare film sottili in dispositivi semiconduttori avanzati.
- Optoelettronica: Utilizzato nella fabbricazione di fotorivelatori, celle solari e altri componenti optoelettronici.
- Ricerca e sviluppo: Un materiale preferito per le configurazioni sperimentali e la produzione pilota nei laboratori di scienza dei materiali.
- Elettronica di precisione: Essenziale per la produzione di componenti nei circuiti elettronici ad alte prestazioni.

Imballaggio dei target di sputtering all'arseniuro di indio

I nostri target di sputtering all'arseniuro di indio sono confezionati con cura per mantenere la loro elevata purezza e le loro prestazioni. Sono disponibili soluzioni di imballaggio personalizzate, tra cui il confezionamento sottovuoto per ridurre al minimo la contaminazione, assicurando che il prodotto rimanga in condizioni immacolate durante lo stoccaggio e il trasporto.

Domande frequenti

D: Quali sono le applicazioni più comuni del target di sputtering all'arseniuro di indio, InAs?
R: Viene utilizzato principalmente per la deposizione di film sottili nella produzione di semiconduttori, nei dispositivi optoelettronici e nella ricerca sui materiali avanzati.

D: In che modo l'elevata purezza (≥99%) dell'InAs influenza le sue prestazioni?
R: L'elevata purezza garantisce impurità minime, che portano a un comportamento di sputtering coerente e a proprietà elettriche e ottiche ottimali nel prodotto finale.

D: Il target di sputtering può essere personalizzato?
R: Sì, il target può essere prodotto in varie forme, tra cui dischi o configurazioni personalizzate, per soddisfare i requisiti di applicazioni specifiche.

D: Qual è il significato del punto di fusione a 942 °C per questo materiale?
R: Il punto di fusione indica la stabilità termica dell'InAs, assicurando che mantenga la sua integrità durante le operazioni di lavorazione ad alta temperatura senza degradarsi.

D: Come deve essere conservato e maneggiato il target di sputtering all'arseniuro di indio, InAs?
R: Deve essere maneggiato con cura in un ambiente privo di contaminazioni e conservato in confezioni sigillate sottovuoto o in imballaggi protettivi simili per preservarne l'elevata purezza e le prestazioni.