CY0500 Cristallo di niobato di litio (cristallo LiNbO3)

Catalogo no.	CY0500
Materiale	LiNbO3
Densità	4,64 g/cm3
Gamma di trasmissione	370-5000nm
Struttura cristallina	Trigonale
Forma	Cristallo
Sinonimi	Cristallo di niobato di litio, cristallo LiNbO3

Tempi di consegna: 9-10 settimane per dimensioni personalizzate

Ilcristallo di niobato di litio (cristallo LiNbO3) è un materiale inorganico e un cristallo negativo con proprietà piezoelettriche, ferroelettriche, fotoelettriche, ottiche non lineari e termoelettriche. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e nella fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

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Grado:	Grado ottico LiNbO3	Grado SAW LiNbO3
Orientamento	Taglio X, taglio Z (+/-0,2°)	Taglio Z, taglio Y, Taglio a Y 36°, Taglio a Y 64°, Taglio a Y 128°
Orientamento primario Piatto	22 mm+/-2 mm (3 pollici) 32 mm+/-2 mm (4 pollici)	22 mm+/-2 mm (3 pollici) 32 mm+/-2 mm (4 pollici)
Dimensioni standard	φ3" (76,2 mm) +/-0,3 mm φ4" (100 mm) +/-0,3 mm φ6" (150 mm) +/-0,3 mm 10x10 mm +/-0,1 mm O altri	φ3" (76,2 mm) +/-0,3 mm φ4" (100 mm) +/-0,3 mm φ6" (150 mm) +/-0,3 mm 10x10 mm +/-0,1 mm O altri
Spessore	500μm +/-20μm 1000μm +/-20μm 350μm +/-20μm O wafer ultra sottile 20~60μm	500μm +/-20μm 1000μm +/-20μm 350μm +/-20μm O wafer ultra sottile 20~60μm
Lucidatura	Singolo o entrambi i lati lucidati Finitura superficiale: 20/10 o 10/5	Lucidatura singola o su entrambi i lati Finitura superficiale: 20/10 o 10/5
TTV	≤10um	≤10um
Temperatura di Curie	1142℃ +/-0.7℃	1142℃ +/-3℃
Smusso del bordo	Arrotondamento del bordo	Arrotondamento dei bordi

Proprietà principali
Struttura del cristallo	Trigonale
Costante di latice	a=0,515Å, c=13,863Å, Z=6Å
Punto di fusione	1250±5℃
Punto di Curie	1140±5℃
Durezza Mohs	5
Densità	4,64 ^g/cm3
Costante dielettrica	ε11/ε0=85; ε33/ε0=29,5
Coefficiente di espansione termica	^{a1=a2=2×10-6/℃}, a3=2,^2×10-6/℃ a 25℃
Conducibilità termica	38 W /m /K @ 25℃
Gamma di trasmissione	370-5000nm
Costante piezoelettrica	d22=2,^04×10-11C/N, d33=0,^6×10-11C/N, ^{d15=7×10-11C/N}, d31=-0,^1×10-11C/N
Coefficiente E-O	gT33=32pm/V, gS33=31pm/V；gT31=10pm/V, gS31=8,6pm/V gT22=6,8pm/V, gS22=3,4pm/V
Indici di rifrazione	no=2,2827±0,0003 ne=2,1928± 0,0003

Proprietà ottiche
Dimensioni	4", 6"
Spessore del wafer	0,25, 0,35, 0,50 mm o personalizzato
Orientamento	Y42°/Y36°/Y128°/X/Y/Z, o personalizzato
Processo di superficie	Lucidatura su singoli/doppi lati
TTV	<10um
SFIORAMENTO	±(25um~40um)
Orditura	≤35um
Ruvidità	Ra≤10Å
Smusso	≤0,1mm@45°

Grado:	Grado ottico LiNbO3	Grado SAW LiNbO3
Orientamento	Taglio X, taglio Z （+/-0,2°）	Taglio Z, taglio Y, Taglio a Y 36°, Taglio a Y 64°, Taglio a Y 128°
Orientamento primario Piatto	22 mm+/-2 mm (3 pollici) 32 mm+/-2 mm (4 pollici)	22 mm+/-2 mm (3 pollici) 32 mm+/-2 mm (4 pollici)
Dimensioni standard	φ3" (76,2 mm) +/-0,3 mm φ4" (100 mm) +/-0,3 mm φ6" (150 mm) +/-0,3 mm 10x10 mm +/-0,1 mm O altri	φ3" (76,2 mm) +/-0,3 mm φ4" (100 mm) +/-0,3 mm φ6" (150 mm) +/-0,3 mm 10x10 mm +/-0,1 mm O altri
Spessore	500μm +/-20μm 1000μm +/-20μm 350μm +/-20μm O wafer ultra sottile 20~60μm	500μm +/-20μm 1000μm +/-20μm 350μm +/-20μm O wafer ultra sottile 20~60μm
Lucidatura	Singolo o entrambi i lati lucidati Finitura superficiale: 20/10 o 10/5	Lucidatura singola o su entrambi i lati Finitura superficiale: 20/10 o 10/5
TTV	≤10um	≤10um
Temperatura di Curie	1142℃ +/-0.7℃	1142℃ +/-3℃
Smusso del bordo	Arrotondamento del bordo	Arrotondamento dei bordi

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