CY3454 Substrato di SiO2/Si rivestito di Ni

Catalogo no.	CY3454
Composizioni	Ni, SiO2, Si
La purezza	＞99.99%
Dimensione	4", 10x10x0,5 mm o personalizzato
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Orientamento	<100> ±0.5°

Ilsubstrato SiO2/Si rivestito di Ni può essere utilizzato nel campo delle nanotecnologie, nella microscopia elettronica a scansione (SEM), nella microscopia a forza atomica (AFM) e in altri campi del microscopio a scansione. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

Prodotti correlati: Substrato di SiO2/Si rivestito di Ti, Substrato di SiO2/Si rivestito di Cu, Wafer di silicio placcato in oro, Wafer di silicio placcato in Pt, Wafer di silicio placcato in Ag.

Richiesta

Descrizione

Specificazione

ULTIMO RACCOMANDATO

CY0104 Cristallo di fluoruro di magnesio (cristallo MgF2)

CY0106 Cristallo di fluoruro di bario

CY0474 Cristalli legati alla diffusione

CY0476 Ortovanadato di ittrio drogato di neodimio (Nd:YVO4)

CY0477 Ortovanadato di gadolinio drogato di neodimio (Nd:GdVO4)

CY0478 Nd:YAG (granato di alluminio e ittrio drogato con neodimio)

CY0479 Nd:KGW (cristallo di potassio-gadolinio tungstato drogato al neodimio)

CY0481 Ti:Zaffiro (cristallo di zaffiro drogato con titanio)

OP0482 Granato di ittrio-alluminio drogato (Yb:YAG)

Richiedi un preventivo

Inviaci una richiesta ora per scoprire ulteriori informazioni e gli ultimi prezzi, grazie!

* Il suo nome

* La sua email

* Nome del prodotto

* Il vostro telefono

* Paese

Italia

Commenti

* Codice di controllo

Spessore del film di nichel	100nm
Cristallinità del film	<111> - policristalli orientati
Dimensioni	Diametro 4" +/- 0,5 mm, o personalizzato 0,525 +/- 0,025 mm di spessore
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Tipo di conduttore	Tipo Si P, drogato B
SiO2 Spessore	300 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Orientamento	<100> ±0.5°

Spessore del film di nichel	100nm
Cristallinità del film	<111> - policristalli orientati
Dimensioni	Diametro 4" +/- 0,5 mm, o personalizzato 0,525 +/- 0,025 mm di spessore
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Tipo di conduttore	Tipo Si P, drogato B
SiO2 Spessore	300 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Orientamento	<100> ±0.5°

CY3454 Substrato di SiO2/Si rivestito di Ni

Descrizione del substrato SiO2/Si rivestito di Ni

Specifiche del substrato SiO2/Si rivestito di Ni

Substrato SiO2/Si rivestito di Ni Applicazioni

Imballaggio del substrato SiO2/Si rivestito di Ni

Specificazione

SDS

ULTIMO RACCOMANDATO

Richiedi un preventivo

HAI BISOGNO DI AIUTO?

LA NOSTRA AZIENDA

CATEGORIE POPOLARI