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ST11471 Bersaglio planare in nitruro di tantalio, bersaglio TaN

Catalogo no. ST11471
Composizione TaN
Forma Rettangolare
Forma Obiettivo
La purezza ≥98%

Il target planare di nitruro di tantalio, TaN Target, è un target di sputtering prodotto attraverso processi di sputtering reattivo controllato, che garantisce una composizione chimica definita. Stanford Advanced Materials (SAM) utilizza la microscopia elettronica a scansione in linea per monitorare la morfologia superficiale e l'uniformità della microstruttura. Queste misure aiutano a mantenere una stechiometria precisa per migliorare le prestazioni di deposizione di film sottili in ambienti controllati.

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FAQ

Quali considerazioni sulla lavorazione sono fondamentali quando si utilizza un target di sputtering TaN per la deposizione di film sottili?

Quando si utilizza un target TaN, l'erogazione di potenza costante e il raffreddamento del substrato sono essenziali per mantenere l'uniformità del film. Il monitoraggio dei parametri del plasma garantisce il mantenimento della stechiometria durante la deposizione. Le regolazioni del flusso di gas reattivo aiutano a gestire l'adesione del film e a minimizzare la contaminazione.

In che modo il design planare del target TaN favorisce le prestazioni di sputtering?

Il design planare favorisce l'erosione uniforme durante lo sputtering, portando a una distribuzione uniforme del film depositato. Questa uniformità strutturale minimizza l'espulsione delle particelle e riduce lo spreco di target, migliorando così la riproducibilità delle caratteristiche del film sottile.

Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione e la manipolazione di un target di sputtering TaN?

È necessario prestare attenzione per evitare urti meccanici e contaminazione della superficie durante l'installazione. L'uso di strumenti di manipolazione antistatici e la presenza di un ambiente pulito ridurranno la contaminazione da particolato e preserveranno l'integrità della superficie del target.

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