ST11470 Bersaglio planare in nichel cobalto ferro, bersaglio NiCoFe

Bersaglio planare di nichel cobalto ferro, NiCoFe Descrizione del bersaglio

Il target planare di nichel cobalto ferro, NiCoFe Target, comprende una lega NiCoFe uniforme ottimizzata per le applicazioni di sputtering. La geometria piatta del target facilita il bombardamento omogeneo degli ioni durante la deposizione, contribuendo alla crescita uniforme del film sui substrati. Progettato per essere compatibile con le apparecchiature standard per la deposizione di semiconduttori e film sottili, le sue proprietà materiali aiutano a controllare la microstruttura e a minimizzare i difetti durante il processo di rivestimento.

Bersaglio planare in nichel cobalto e ferro, applicazioni del bersaglio NiCoFe

Elettronica
- Utilizzato come sorgente di sputtering nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore per ottenere una deposizione uniforme di film sottili sfruttando la composizione controllata della lega.
- Applicato come materiale catodico nella produzione di schermi piatti per formare strati conduttivi di spessore uniforme.

Industriale
- Impiegato in applicazioni di rivestimento di componenti ottici in cui sono richiesti film metallici uniformi, sfruttando la superficie planare del bersaglio per garantire una deposizione omogenea.
- Utilizzato nella produzione di celle solari per depositare contatti metallici con proprietà omogenee del film.

Target planare in nichel cobalto e ferro, confezione del target NiCoFe

Il target è confezionato in un contenitore antistatico per camera bianca con inserti in schiuma per ridurre al minimo gli impatti meccanici. I sacchetti sigillati sotto vuoto proteggono il target dalla contaminazione durante il trasporto e lo stoccaggio. L'imballaggio include barriere contro l'umidità ed etichette per il controllo della temperatura per mantenere l'integrità del materiale. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate per soddisfare requisiti specifici di manipolazione e conservazione.

Informazioni aggiuntive

I target di sputtering svolgono un ruolo fondamentale nei processi di deposizione di film sottili, garantendo il rilascio controllato del materiale durante il bombardamento ionico. L'uniformità della lega NiCoFe influenza direttamente la microstruttura del film, che è essenziale per le applicazioni nella microelettronica e nell'ottica. La comprensione della composizione del target e della qualità della superficie è fondamentale per ottimizzare i parametri di deposizione e ottenere le caratteristiche desiderate del film.

Lo sviluppo di target planari prevede rigorose misure di controllo della qualità, tra cui l'analisi morfologica e la profilazione della superficie. Queste valutazioni aiutano a correlare le proprietà del materiale con le prestazioni di deposizione, supportando risultati riproducibili sia nella ricerca che negli ambienti di produzione industriale.