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ST11215 Target planare in carburo di tantalio, target TaC

Catalogo no. ST11215
Composizione TaC
La purezza ≥99,9%, o personalizzato
Forma Obiettivo
Forma Rettangolare
Dimensioni Personalizzato

Il target planare in carburo di tantalio, TaC Target, viene fabbricato mediante sinterizzazione reattiva controllata per produrre una microstruttura uniforme adatta alle applicazioni di sputtering. La Stanford Advanced Materials (SAM) impiega la microscopia elettronica e la diffrazione di raggi X nel suo processo di controllo della qualità per verificare le tolleranze di composizione e la struttura dei grani. Questa metodologia aiuta a raggiungere la coerenza microstrutturale necessaria per una deposizione riproducibile del film.

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FAQ

In che modo la microstruttura del target TaC influenza le sue prestazioni di sputtering?

La microstruttura influisce direttamente sulla resa dello sputtering e sull'uniformità della deposizione del film. Una distribuzione ben controllata dei grani consente un'erosione stabile durante lo sputtering, riducendo al minimo la generazione di particolato e garantendo caratteristiche prevedibili del film sottile. Per maggiori dettagli, contattateci.

Quali metodi di controllo della qualità vengono applicati durante la fabbricazione del target TaC?

Il controllo di qualità comprende la microscopia elettronica e l'analisi di diffrazione dei raggi X per verificare l'integrità microstrutturale e la tolleranza compositiva. Queste valutazioni aiutano a rilevare le variazioni nella dimensione e nella densità dei grani, assicurando che il target soddisfi i severi requisiti dei processi di sputtering. Per ulteriori informazioni, contattateci.

In che modo l'opzione di dimensione personalizzabile influisce sulla compatibilità con i sistemi di sputtering?

Le dimensioni personalizzabili consentono di adattare il target a geometrie specifiche della camera. Questa flessibilità garantisce un allineamento corretto con l'apparecchiatura di deposizione, facilitando un'erosione uniforme sulla superficie del target durante lo sputtering. Per ulteriori specifiche tecniche, contattateci.

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