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ST11210 Target planare in carburo di silicio, target SiC

Catalogo no. ST11210
Composizione SiC
La purezza ≥99,9%, o personalizzato
Forma Obiettivo
Forma Rettangolare
Dimensioni Personalizzato

Il target planare in carburo di silicio, SiC Target, è progettato per applicazioni di sputtering che richiedono stabilità del materiale a temperature elevate. Stanford Advanced Materials (SAM) utilizza processi di sintesi controllati e ispezioni con microscopia elettronica a scansione per verificare l'uniformità della microstruttura e i livelli di impurità. La geometria planare del target e le dimensioni personalizzabili facilitano l'integrazione nei sistemi di sputtering, garantendo la coerenza del materiale per gli ambienti di processo di ceramica e semiconduttori.

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FAQ

Quali vantaggi tecnici offre il carburo di silicio come bersaglio di sputtering?

L'inerzia chimica e l'elevato punto di fusione del carburo di silicio favoriscono un comportamento stabile nello sputtering. Queste proprietà riducono al minimo la degradazione del bersaglio e mantengono uniforme la deposizione del film, essenziale per processi di produzione precisi nelle applicazioni dei semiconduttori e della ceramica.

In che modo le dimensioni personalizzate influiscono sull'integrazione del target SiC nei sistemi di sputtering?

Le dimensioni personalizzate assicurano che il target si adatti con precisione ai vari modelli di camera di sputtering. Questo adattamento su misura ottimizza la distribuzione dell'energia e l'uniformità di deposizione, riducendo la variabilità del processo e migliorando le prestazioni complessive dello sputtering.

Quali misure di controllo della qualità vengono attuate durante la produzione del target SiC?

Le misure di controllo della qualità comprendono ispezioni al microscopio elettronico a scansione (SEM) e analisi del livello di impurità. Questi metodi verificano la consistenza microstrutturale e la finitura superficiale, assicurando che il target soddisfi i severi requisiti dei processi di deposizione per sputtering.

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