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ST11190 Target di sputtering planare all'indio, In Target

Catalogo no. ST11190
Composizione In
La purezza ≥99,99%, o personalizzato
Forma Obiettivo
Forma Rettangolare
Dimensioni Personalizzato

L'Indium Planar Sputtering Target, In Target è un target di sputtering progettato per applicazioni di deposizione di film sottili. Prodotto da Stanford Advanced Materials (SAM), questo prodotto è realizzato in base a rigorosi controlli di processo che includono ispezioni al microscopio di superficie per verificarne l'uniformità. SAM applica un monitoraggio dettagliato del processo durante la produzione per mantenere un controllo dimensionale accurato e la coerenza del materiale, assicurando che il target soddisfi i rigorosi requisiti dei sistemi di deposizione sotto vuoto.

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FAQ

In che modo la finitura superficiale del target di indio influenza il processo di sputtering?

La finitura superficiale influisce direttamente sul tasso di erosione durante lo sputtering. Una superficie liscia e planare favorisce la deposizione uniforme del film, riducendo la contaminazione da particolato e i difetti del film. L'ottimizzazione della preparazione della superficie riduce al minimo l'interruzione del processo e migliora l'uniformità della deposizione. Per i parametri dettagliati, contattateci.

Quali impostazioni di deposizione sono consigliate quando si utilizza un bersaglio per sputtering di indio?

Le impostazioni consigliate dipendono dalla configurazione della camera e dallo spessore del film desiderato. In generale, basse densità di potenza con un'atmosfera controllata di argon aiutano a ottenere uno sputtering stabile. Possono essere necessarie regolazioni in base alla distanza tra il target e il substrato, per garantire un'uniformità ottimale del film e uno stress termico minimo.

In che modo la purezza dell'indio influisce sulle prestazioni del film nelle applicazioni dei semiconduttori?

L'elevata purezza dell'indio riduce al minimo i difetti indotti dall'impurità durante la crescita del film. Ciò si traduce in un miglioramento delle proprietà elettriche e in una formazione coerente dell'interfaccia. Livelli di dosaggio più elevati riducono i rischi di contaminazione e garantiscono un comportamento di deposizione prevedibile, essenziale per i processi di precisione dei semiconduttori.

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