ST11189 Target di sputtering al solfuro di gallio, target Ga2S3

Target di sputtering al solfuro di gallio, target Ga2S3 Descrizione

Il target di solfuro di gallio per sputtering, Ga2S3 Target, è un composto di Ga2S3 di elevata purezza sviluppato per i processi di deposizione fisica da vapore. Le dimensioni personalizzate garantiscono la compatibilità con diversi sistemi di sputtering e un'esposizione costante del target. La sua composizione chimica controllata e le sue proprietà microstrutturali favoriscono la scarica uniforme del plasma durante la deposizione, che è fondamentale per ottenere uno spessore e un'adesione costanti del film nella fabbricazione dei semiconduttori.

Target di sputtering al solfuro di gallio, caratteristiche del target Ga2S3

Target di sputtering al solfuro di gallio, applicazioni del target Ga2S3

Elettronica
- Utilizzato come target di sputtering nella deposizione di film sottili di semiconduttori per ottenere rivestimenti uniformi sfruttando la sua microstruttura controllata.

Industria
- Applicato come componente per la deposizione di strati funzionali nella produzione di moduli fotovoltaici per migliorare l'adesione del film attraverso un controllo preciso della composizione.

Rivestimenti ottici
- Utilizzato come fonte di deposizione nei sistemi di sensori per ottenere proprietà ottiche costanti con impurità ridotte al minimo, garantendo le prestazioni del target durante i processi di rivestimento.

Target di sputtering al solfuro di gallio, imballaggio del target Ga2S3

Il target di sputtering al solfuro di gallio, Ga2S3 è confezionato in un contenitore protettivo antistatico con inserti in schiuma per attenuare gli shock meccanici. È sigillato in un involucro resistente all'umidità per evitare la contaminazione e conservato in condizioni controllate di temperatura ambiente. La confezione presenta un'etichettatura sicura e sigilli antimanomissione, con opzioni di confezionamento personalizzate disponibili su richiesta.

Informazioni aggiuntive

I target sputtering sono parte integrante di numerose tecniche di deposizione di film sottili nell'industria manifatturiera avanzata e dei semiconduttori. Le loro prestazioni influenzano direttamente la stabilità del processo e la qualità del film. Materiali come il Ga2S3 vengono selezionati per la loro stabilità chimica e le loro proprietà elettriche, che sono fondamentali per garantire una deposizione uniforme del film e l'integrità del dispositivo.

La comprensione della scienza del materiale sottostante, compreso il comportamento delle fasi e il controllo microstrutturale, è essenziale per ottimizzare le procedure di sputtering. La ricerca in queste aree continua ad evolversi, con continui miglioramenti nella fabbricazione dei target che contribuiscono a sistemi di deposizione più efficienti e affidabili.