SC9928 Disco in carburo di silicio ricristallizzato Dia. 25,4 mm

Disco in carburo di silicio ricristallizzato Dia. 25,4 mm Descrizione

Disco in carburo di silicio ricristallizzato Dia. 25,4 mm, interamente composto da SiC, è stato lavorato per ottenere una microstruttura raffinata adatta a condizioni di temperatura elevata fino a ≤1650 ℃. Il fattore di forma a disco e la dimensione precisa di 25,4 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione della ceramica. La sua densità di circa 2,7 g/cm³ contribuisce a garantire prestazioni strutturali rigide, mentre l'elevata purezza chimica supporta le applicazioni che richiedono resilienza termica e isolamento elettrico.

Disco di carburo di silicio ricristallizzato Dia. 25,4 mm Applicazioni

Applicazioni industriali
- Utilizzato come componente nei rivestimenti dei forni per ottenere un supporto stabile sfruttando la sua elevata resistenza termica.
- Applicato come superficie resistente all'usura in sistemi ad alta abrasione per mantenere la stabilità dimensionale attraverso una microstruttura controllata.

Applicazioni nel settore dell'elettronica
- Utilizzato come substrato isolante nei moduli di potenza per ottenere un'efficace gestione termica sfruttando la sua resistività elettrica intrinseca.

Applicazioni energetiche
- Serve come materiale di base nei sistemi LED per ottenere un'efficiente dissipazione del calore sfruttando le sue stabili proprietà ad alta temperatura.

Carburo di silicio ricristallizzato Disco Dia. 25,4 mm Imballaggio

I dischi di carburo di silicio ricristallizzato Dia. 25,4 mm sono confezionati singolarmente in contenitori antistatici rivestiti di schiuma con inserti resistenti all'umidità per ridurre la contaminazione e i danni meccanici. Il design della confezione riduce al minimo l'esposizione all'ambiente durante il trasporto e lo stoccaggio. Si raccomanda di conservare i dischi in condizioni di temperatura e umidità controllate. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui imbottiture ed etichette speciali.

Domande frequenti

Q1: In che modo il processo di ricristallizzazione controllata migliora le prestazioni del disco SiC?
A1: La ricristallizzazione affina la struttura dei grani e riduce i difetti interni. Questo processo migliora la conducibilità termica e le prestazioni strutturali in ambienti ad alta temperatura.

D2: Quali sono le precauzioni di manipolazione consigliate durante l'installazione?
A2: Maneggiare i dischi con guanti di nitrile e utilizzare un imballaggio antistatico per evitare graffi e contaminazioni superficiali. Una corretta manipolazione preserva la microstruttura e mantiene le proprietà elettriche e termiche previste.

D3: È possibile modificare le dimensioni dei dischi per applicazioni specifiche?
A3: Sì, è possibile apportare modifiche dimensionali. La lavorazione avanzata, unita alla caratterizzazione dei materiali, garantisce che le modifiche mantengano le proprietà critiche e l'uniformità delle prestazioni.

Informazioni aggiuntive

Le ceramiche in carburo di silicio sono ampiamente studiate per la loro elevata conducibilità termica e stabilità a temperature elevate. Il forte legame covalente e la natura refrattaria del SiC lo rendono prezioso per gli ambienti in cui prevalgono le sollecitazioni termiche e chimiche. La comprensione della relazione tra metodi di lavorazione e microstruttura è essenziale per ottimizzare le prestazioni del materiale nelle applicazioni ceramiche avanzate.

I recenti sviluppi nelle tecniche di ricottura e di valutazione della superficie hanno approfondito le conoscenze sulla minimizzazione dei difetti e sull'allineamento dei grani, contribuendo a migliorare le prestazioni nei settori dell'industria, dell'energia e dell'elettronica che dipendono da ceramiche con caratteristiche meccaniche e termiche prevedibili.