SC9905 Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 30 mm di spessore

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di spessore 30 mm Descrizione

La piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 30 mm di spessore è realizzata in SiC con una purezza del ≥99% e presenta una densità di circa 2,7 g/cm³. Il notevole spessore della piastra e le proprietà ceramiche intrinseche le consentono di sopportare temperature elevate fino a 1650 ℃. Questa formulazione offre una struttura a grani controllati e inclusioni minime, fondamentali per mantenere l'integrità strutturale e la stabilità termica in ambienti industriali esigenti.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 30 mm di spessore Applicazioni

Applicazioni industriali ad alta temperatura
- Utilizzo come componente refrattario nei rivestimenti dei forni per ottenere una gestione termica stabile, sfruttando la sua capacità di resistere a temperature fino a 1650 ℃.
- Applicato come elemento strutturale negli scambiatori di calore per mantenere la stabilità dimensionale e resistere agli shock termici.

Produzione di semiconduttori ed elettronica
- Utilizzato come substrato nelle apparecchiature di lavorazione ad alta temperatura per ottenere prestazioni costanti sfruttando la sua composizione di elevata purezza e le sue robuste caratteristiche dimensionali.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 30 mm di spessore Imballaggio

Il prodotto è confezionato in un contenitore antistatico rivestito di schiuma per attenuare le sollecitazioni meccaniche e prevenire la contaminazione della superficie. L'involucro protettivo e le pellicole barriera inerti proteggono la piastra durante il trasporto. Si consiglia di conservare il materiale in un ambiente asciutto e a temperatura controllata per evitare l'umidità e le fluttuazioni termiche. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui etichette speciali e compartimentazione, in base alle specifiche esigenze di manipolazione e conservazione.

Domande frequenti

Q1: In che modo la purezza ≥99% della piastra SiC influenza le sue prestazioni operative?
A1: L'elevata purezza riduce al minimo i difetti indotti dall'impurità che potrebbero indebolire la struttura sotto stress termico. Ciò si traduce in una microstruttura più uniforme, essenziale per mantenere un'integrità meccanica costante durante il funzionamento ad alta temperatura.

D2: La piastra può funzionare ininterrottamente a temperature prossime a 1650℃?
A2: La temperatura di esercizio specificata indica che la piastra è in grado di sopportare un'esposizione prolungata alle alte temperature. Tuttavia, i progettisti devono considerare l'ambiente operativo, compresi i cicli termici, per garantire la stabilità a lungo termine.

Q3: Quali sono le precauzioni da prendere per la pulizia della piastra SiC?
A3: Pulire la piastra utilizzando metodi non abrasivi con acqua deionizzata e solventi delicati. Evitare prodotti chimici aggressivi che possono alterare le proprietà della superficie. Si raccomanda un processo di pulizia controllato per mantenere l'integrità richiesta per le applicazioni ad alta temperatura.

Informazioni aggiuntive

Le ceramiche in carburo di silicio sono riconosciute per la loro eccezionale stabilità termica e inerzia chimica, che le rende adatte ad applicazioni industriali ad alte prestazioni. Il processo di ricristallizzazione affina la struttura dei grani, riducendo le tensioni interne e attenuando il rischio di propagazione di cricche in condizioni di shock termico.

La comprensione dell'evoluzione microstrutturale durante la sinterizzazione e la ricristallizzazione è fondamentale per gli scienziati dei materiali. L'ottimizzazione dei parametri di lavorazione aiuta a ottenere proprietà uniformi, essenziali per le applicazioni che comportano elevati carichi termici e ambienti corrosivi. Queste conoscenze contribuiscono allo sviluppo di materiali che offrono prestazioni costanti in condizioni operative rigorose.