SC9904 Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 20 mm di spessore

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di spessore 20 mm Descrizione

La piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 20 mm di spessore è prodotta da SiC policristallino con una purezza ≥99%. Lo spessore di 20 mm garantisce una robusta integrità strutturale a temperature elevate. La microstruttura densa e la resistenza termica intrinseca del materiale facilitano l'efficace dispersione del calore. Le sue proprietà ceramiche lo rendono adatto ad applicazioni che richiedono una minima espansione termica e un'elevata stabilità superficiale.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 20 mm di spessore Applicazioni

1.Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzo come dissipatore di calore in gruppi elettronici di potenza per ottenere temperature operative stabili sfruttando un'elevata resistenza termica.
- Applicazione come isolante strutturale nei circuiti ad alta potenza per mantenere l'integrità delle prestazioni sotto stress termico.

2.Apparecchiature industriali e di processo
- Serve come componente resistente all'usura nelle apparecchiature di lavorazione ad alta temperatura per mantenere la stabilità dimensionale sfruttando la sua elevata purezza e densità.
- Viene spesso utilizzato nei rivestimenti dei forni per mantenere profili termici costanti e ridurre le perdite di calore nei sistemi di riscaldamento industriali.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 20 mm di spessore Imballaggio

Il prodotto è imballato in modo sicuro in un involucro antistatico e resistente all'umidità con inserti in schiuma rigida per evitare danni meccanici. I cartoni protettivi personalizzati sono utilizzati per isolare la piastra dalla contaminazione durante il trasporto. Le istruzioni per la conservazione raccomandano un ambiente asciutto e a temperatura controllata. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui l'etichettatura e la compartimentazione, per soddisfare requisiti di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Quali sono i metodi utilizzati per valutare l'uniformità del materiale nella piastra SiC?
A1: La piastra viene sottoposta ad analisi di diffrazione a raggi X e di microscopia elettronica a scansione per valutare la struttura dei grani e la distribuzione delle fasi, garantendo l'uniformità del materiale e la coerenza delle prestazioni sotto carichi termici.

D2: Come si comporta il prodotto a temperature elevate?
A2: La piastra SiC mantiene la stabilità dimensionale e le prestazioni termiche fino a 1650 ℃ grazie alla sua microstruttura ricristallizzata, che la rende adatta alle applicazioni che richiedono una gestione efficiente del calore e una resistenza strutturale.

D3: Sono disponibili opzioni di personalizzazione per le dimensioni delle piastre SiC?
A3: Sì, è possibile personalizzare le dimensioni delle piastre e la finitura superficiale. I processi di taglio, lucidatura e finitura su misura consentono di soddisfare i requisiti di applicazioni specifiche.

Informazioni aggiuntive

Il carburo di silicio (SiC) è ampiamente apprezzato nella scienza dei materiali per la sua elevata conducibilità termica e inerzia chimica. Il processo di ricristallizzazione affina la microstruttura, migliorando la consistenza e le prestazioni. Questo materiale è comunemente utilizzato in ambienti con frequenti cicli termici, dove le ceramiche tradizionali potrebbero fallire. La comprensione delle sue proprietà fondamentali aiuta a ottimizzare la progettazione dei componenti per la gestione termica e l'integrità meccanica.

Le tecniche avanzate di lavorazione della ceramica continuano ad evolversi, promuovendo un migliore controllo dei confini dei grani e della densità. Questi progressi hanno un impatto diretto sull'efficienza dei componenti a base di SiC nelle applicazioni ad alta intensità energetica e ad alta temperatura, rafforzando il suo ruolo nei moderni sistemi industriali ed elettronici.