SC9903 Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 15 mm di spessore

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 15 mm di spessore Descrizione

La lastra di carburo di silicio ricristallizzato di 15 mm di spessore è prodotta a partire da SiC con una purezza del ≥99% e una densità di circa 2,7 g/cm³. Il processo di ricristallizzazione controllata affina la struttura dei grani, migliorando la conducibilità termica e la stabilità meccanica fino a una temperatura operativa di 1650 ℃. La microstruttura definita di questo materiale facilita le prestazioni prevedibili sotto stress termico e carico meccanico in ambienti industriali.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 15 mm di spessore Applicazioni

Lavorazione industriale
- Utilizzato come componente strutturale in forni ad alta temperatura per ottenere una distribuzione controllata del calore sfruttando la sua stabilità a temperature elevate.

Produzione di semiconduttori
- Applicato come substrato nella produzione di dispositivi di potenza per gestire efficacemente il calore grazie alla sua struttura cristallina ottimizzata.

Test e analisi dei materiali
- Serve come provino nell'analisi degli shock termici e delle sollecitazioni per valutare il comportamento del materiale in presenza di rapide fluttuazioni di temperatura, sfruttando la sua microstruttura raffinata.

Piastra in carburo di silicio ricristallizzato di 15 mm di spessore Imballaggio

La piastra è confezionata in un involucro antistatico e resistente all'umidità e fissata in un contenitore imbottito e protetto dai bordi per evitare danni fisici durante il trasporto. Si raccomanda di conservare il prodotto in un ambiente pulito, asciutto e a temperatura controllata per evitare contaminazioni. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui l'etichettatura su misura e inserti a scomparti, per soddisfare requisiti di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Come viene verificata la microstruttura della piastra durante la produzione?
A1: La piastra viene sottoposta a microscopia elettronica a scansione (SEM) e ad analisi di diffrazione dei raggi X (XRD) per valutare l'uniformità dei grani e identificare eventuali difetti microstrutturali. Queste valutazioni assicurano che il processo di ricristallizzazione raggiunga il livello di purezza e le prestazioni strutturali desiderate per le applicazioni ad alta temperatura.

D2: Quali sono le condizioni di stoccaggio consigliate per prevenire la contaminazione e la degradazione?
A2: Si consiglia di conservare la piastra in un ambiente pulito, asciutto e a temperatura controllata. Un imballaggio antistatico e resistente all'umidità riduce al minimo il rischio di contaminazione e di danni fisici, preservando l'integrità del materiale durante lo stoccaggio a lungo termine.

D3: Come si comporta la piastra durante i cicli termici?
A3: La microstruttura controllata della piastra aumenta la sua resistenza agli shock termici. Questa caratteristica preserva l'integrità strutturale in caso di ripetuti cicli di riscaldamento e raffreddamento, rendendola efficace in ambienti con temperature fluttuanti.

Ulteriori informazioni

Il carburo di silicio è ampiamente riconosciuto per la sua inerzia chimica e l'elevata conducibilità termica, proprietà che lo rendono interessante per le applicazioni ad alta temperatura e abrasive. Il processo di ricristallizzazione utilizzato nella produzione affina la struttura dei grani, che può influenzare direttamente il comportamento termico e meccanico.

La comprensione del comportamento del carburo di silicio sotto stress termico è fondamentale per le industrie che impiegano componenti in ambienti operativi difficili. La continua ricerca sulle sue risposte microstrutturali supporta i progressi nei materiali ceramici, affrontando così le sfide associate ai gradienti di temperatura estremi e ai carichi meccanici nelle applicazioni industriali.