SC9901 Piastra in carburo di silicio ricristallizzato

Descrizione della piastra in carburo di silicio ricristallizzato

La piastra in carburo di silicio ricristallizzato è prodotta con SiC di elevata purezza (≥99%) e mantiene una densità costante di circa 2,7 g/cm³. La forma della piastra è adatta all'integrazione con i sistemi industriali standard e con le apparecchiature di lavorazione ad alta temperatura. Il processo di ricristallizzazione controllata riduce al minimo i difetti microstrutturali e migliora le prestazioni termiche, un aspetto critico nelle applicazioni che richiedono un'efficiente dissipazione del calore e stabilità strutturale in condizioni estreme.

Applicazioni delle piastre in carburo di silicio ricristallizzato

Elettronica
- Utilizzata come substrato nei moduli di sensori ad alta temperatura per ridurre lo stress termico sfruttando la stabilità termica del SiC.
- Applicata come barriera protettiva nelle apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori per mantenere l'integrità dei componenti a temperature elevate, sfruttando la sua microstruttura ricristallizzata.

Apparecchiature industriali
- Serve come diffusore termico nei rivestimenti dei forni per ottenere una distribuzione uniforme del calore, sfruttando la sua elevata capacità di temperatura operativa.
- Utilizzato come elemento di supporto nei reattori ad alta temperatura per attenuare le deformazioni indotte dal calore, sfruttando la sua uniformità strutturale e la sua densità.

Imballaggio a piastre in carburo di silicio ricristallizzato

Le unità di piastre in carburo di silicio ricristallizzato sono confezionate in buste antistatiche e resistenti all'umidità e fissate in contenitori imbottiti su misura. Per evitare cicli termici e contaminazioni, si consiglia di conservare le unità in un ambiente a temperatura controllata. L'imballaggio sigillato riduce al minimo l'ingresso della polvere e offre opzioni di etichettatura e compartimentazione per soddisfare requisiti specifici di manipolazione e mantenere l'integrità del prodotto durante il trasporto.

Domande frequenti

Q1: In che modo il processo di ricristallizzazione influisce sulle prestazioni termiche della piastra?
A1: Il processo di ricristallizzazione affina la microstruttura del SiC e riduce al minimo i difetti dei bordi dei grani, migliorando la conduttività termica e la stabilità. Ciò si traduce in un miglioramento delle prestazioni durante il funzionamento prolungato ad alta temperatura.

D2: Quali misure di controllo della qualità vengono utilizzate durante la produzione?
A2: La produzione è sottoposta a valutazione mediante microscopia elettronica a scansione e diffrazione di raggi X per verificare l'uniformità microstrutturale e la precisione dimensionale. Questi controlli contribuiscono a mantenere la coerenza dei parametri di prestazione ad alta temperatura.

D3: Le dimensioni delle piastre possono essere adattate a requisiti specifici delle apparecchiature?
A3: Sì, il prodotto consente di personalizzare le dimensioni. Gli ingegneri possono specificare i requisiti dimensionali per garantire un'integrazione ottimale con i sistemi ad alta temperatura esistenti, migliorando così la compatibilità complessiva dei componenti.

Informazioni aggiuntive

Il carburo di silicio (SiC) è apprezzato nella scienza dei materiali per la sua elevata conducibilità termica, la sua durezza e la sua stabilità a temperature elevate. La sua struttura cristallina, ottenuta tramite ricristallizzazione controllata, offre prestazioni migliori in ambienti difficili. La comprensione di queste proprietà intrinseche del materiale è essenziale per sviluppare componenti che soddisfino le rigorose esigenze dei moderni sistemi industriali.

I progressi nelle tecniche di lavorazione della ceramica hanno migliorato il controllo sulla microstruttura del SiC, riducendo la densità dei difetti e garantendo prestazioni ripetibili sotto stress termico. Questi miglioramenti contribuiscono ad ampliare le applicazioni nell'elettronica ad alta temperatura, nella lavorazione industriale e nei sistemi di gestione termica di precisione.