SC8590 Wafer di silicio su isolatore Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici

Wafer di silicio su isolatore Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici Descrizione

Innovate i vostri processi di produzione dei semiconduttori con i nostri wafer SOI (Silicon-on-Insulator) da 4 pollici (100 mm), caratterizzati dall'orientamento del cristallo (110) per migliorare le prestazioni dei dispositivi. La struttura accuratamente progettata comprende uno strato di silicio superiore, uno strato di ossido isolante e un wafer con manico ad alta resistività, che consente di ridurre la capacità parassita e di migliorare la conduttività termica. Questa base unica consente di ottenere un isolamento superiore del dispositivo e di ridurre al minimo le perdite fuori dallo stato, garantendo l'affidabilità delle applicazioni elettroniche ad alte prestazioni.

Prodotti secondo rigorosi standard di qualità, i nostri wafer SOI sono sottoposti a rigorose ispezioni per soddisfare le specifiche SEMI stabilite dal settore. Lo spessore uniforme, la finitura superficiale liscia e il controllo preciso del drogaggio supportano lo sviluppo di circuiti CMOS avanzati, dispositivi di potenza e sensori basati su MEMS. Affidatevi ai nostri wafer SOI a orientamento (110) per ottenere la coerenza e la riproducibilità necessarie per i progressi della prossima generazione di semiconduttori.

Wafer di silicio su isolatore Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici Applicazioni

Questo wafer di silicio su isolatore (SOI) con orientamento del cristallo (110) e diametro di 4 pollici è stato progettato specificamente per la microelettronica avanzata e altre applicazioni ad alte prestazioni. La sua struttura a strati offre un isolamento elettrico superiore, una capacità parassita ridotta e una gestione termica migliorata. Queste proprietà uniche lo rendono un substrato ideale per la produzione di dispositivi di nuova generazione in settori quali la sanità, le telecomunicazioni e l'elettronica di consumo.

1. Produzione di elettronica e semiconduttori

-Applicazione 1: Produzione di circuiti integrati ad alta velocità con effetti parassiti ridotti al minimo.

-Applicazione 2: Sviluppo di sensori e attuatori avanzati per sistemi di controllo precisi.

2. Settore medico e sanitario

-Applicazione 1: Creazione di dispositivi diagnostici lab-on-a-chip per test rapidi e accurati

-Applicazione 2: Produzione di sensori di imaging biocompatibili per apparecchiature mediche.

3. Telecomunicazioni ed elettronica di consumo

-Applicazione 1: integrazione di componenti fotonici a bassa perdita per reti di comunicazione ottica

-Applicazione 2: Assemblaggio di dispositivi RF che offrono una migliore integrità del segnale per prodotti di elettronica di consumo.

Wafer di silicio su isolatore Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici Imballaggio

Ogni wafer Silicon-on-Insulator è sigillato singolarmente in una custodia antistatica di grado industriale con inserti imbottiti per prevenire le sollecitazioni meccaniche e la contaminazione. La confezione sigillata viene poi inserita in un supporto protettivo rigido, che garantisce un ingresso minimo di particelle durante il trasporto. Per una conservazione prolungata, conservare i wafer in un ambiente a bassa umidità e temperatura stabile. Sono disponibili etichettature opzionali, materiali di imballaggio speciali e supporti personalizzati per soddisfare requisiti di movimentazione e spedizione unici.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Wafer di silicio su isolatore Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà dei materiali di Silicon-on-Insulator Wafer SOI (110) Dia. 4 pollici?

A1: I wafer SOI (Silicon-on-Insulator) con orientamento 110 e diametro di 4 pollici sono caratterizzati da un sottile strato di silicio legato a uno strato isolante di biossido di silicio, che consente di ridurre la capacità parassita e di minimizzare le correnti di dispersione. L'orientamento (110) offre caratteristiche di incisione anisotropiche uniche e una mobilità dei fori favorevole, utile per le applicazioni di dispositivi specializzati. Questi wafer presentano inoltre una bassa densità di difetti, uno spessore costante del lato posteriore e un'eccellente conduttività termica, che li rendono adatti alla fabbricazione di CMOS e MEMS ad alte prestazioni.

D2: Come deve essere trattato e conservato questo prodotto?

A2: A causa della natura delicata del sottile strato del dispositivo e dell'ossido isolante, questi wafer SOI richiedono un'attenta manipolazione con guanti da camera bianca e un contatto diretto minimo con le superfici attive. Devono essere trasportati in porta wafer o cassette progettate per wafer da 4 pollici per evitare stress meccanici. Le condizioni di conservazione devono essere pulite, controllate dall'umidità e prive di contaminanti aerei. Mantenendoli sigillati fino alla lavorazione si riduce il rischio di accumulo di particelle.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano ai wafer di silicio su isolatore SOI (110) Dia. 4 pollici?

A3: Questi wafer SOI sono generalmente conformi agli standard SEMI M1, che definiscono le specifiche per le dimensioni dei wafer di silicio, l'orientamento cristallografico e la qualità della superficie. I produttori sono spesso in possesso della certificazione ISO 9001 per garantire metodi di produzione coerenti e risultati di alta qualità. Inoltre, molti fornitori soddisfano gli standard di gestione ambientale ISO 14001 per ridurre al minimo l'impatto ecologico negativo. I clienti spesso richiedono la certificazione della pulizia, dell'uniformità dello spessore e della planarità per soddisfare i severi requisiti di prestazioni e affidabilità dei dispositivi.

Informazioni correlate

1. Processo di produzione

Per creare il wafer di silicio su isolatore (110) con diametro di 4 pollici vengono impiegate tecniche sofisticate. 4 pollici, garantendo una struttura a strati che assicura un elevato grado di isolamento elettrico. In primo luogo, i substrati di silicio di alto livello vengono sottoposti a una precisa rettifica e lucidatura per ottenere lo spessore e la finitura superficiale desiderati. Questa combinazione di incollaggio dei wafer e di trattamenti termici accurati si traduce in una piattaforma che presenta correnti di dispersione ridotte, consentendo una produzione efficiente di transistor e altri dispositivi microelettronici.

In ogni fase della produzione vengono eseguiti accurati controlli di qualità, applicando strumenti avanzati di litografia e ispezione per identificare i difetti e misurare l'uniformità. Durante le fasi finali, i parametri di lucidatura e i protocolli di pulizia sono meticolosamente adattati all'orientamento cristallografico (110), che supporta proprietà meccaniche ed elettriche distinte rispetto ad altri orientamenti. Questo approccio attento garantisce che ogni wafer SOI da 4 pollici consegnato al mercato soddisfi costantemente gli elevati requisiti della moderna produzione di dispositivi.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Nella microelettronica ad alte prestazioni, il wafer SOI da 4 pollici con orientamento (110) è favorito per la sua capacità di fornire maggiori prestazioni ai transistor, ridurre la capacità parassita e migliorare la gestione termica. Inoltre, l'orientamento cristallino (110) ottimizza la mobilità dei fori, consentendo una maggiore velocità di commutazione dei dispositivi, un fattore critico in diversi settori dell'elettronica di consumo e dei macchinari specializzati.

Diversi settori si affidano alle particolari specifiche di questo wafer per applicazioni innovative in array di sensori, dispositivi IoT e componenti optoelettronici. I sistemi aerospaziali spesso beneficiano della migliore tolleranza alle radiazioni del wafer, che consente all'hardware di mantenere un funzionamento affidabile in condizioni ambientali difficili. Il controllo costante dello spessore e l'isolamento uniforme dei diodi sono essenziali per ottenere rendimenti elevati e prestazioni superiori dei dispositivi in ambienti di produzione avanzati.