CY9507 Wafer di silicio tipo P (100) Dia. 2 pollici, SSP

Wafer di silicio tipo P (100) Dia. 2 pollici, SSP Descrizione

Il wafer di silicio (Si) con drogaggio di tipo P e orientamento cristallografico (100) è un substrato fondamentale per i processi semiconduttori. Il diametro di 2 pollici garantisce la compatibilità con le apparecchiature di fabbricazione standard. Il wafer è sottoposto a diffusione controllata del drogante e a trattamenti a basso stress termico per ridurre la densità delle dislocazioni. La lucidatura della superficie SSP migliora l'uniformità durante i successivi processi di deposizione e incisione, facilitando la riproducibilità dei risultati nella produzione di circuiti integrati.

Wafer di silicio tipo P (100) Dia. 2 pollici, SSP Applicazioni

1.Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella produzione di circuiti integrati per ottenere una distribuzione uniforme del drogante sfruttando la diffusione controllata.
- Applicato nella produzione di celle fotovoltaiche per migliorare l'efficienza di conversione energetica grazie alle proprietà superficiali ottimizzate.

2.Applicazioni industriali
- Utilizzato come base negli array di sensori MEMS per generare segnali elettrici precisi sfruttando la bassa densità di dislocazioni.

Wafer di silicio tipo P (100) Dia. 2 pollici, imballaggio SSP

Il wafer di silicio è confezionato in un contenitore antistatico con imbottitura in schiuma per evitare danni meccanici e da particelle. Viene conservato in un'atmosfera di azoto per ridurre l'ossidazione e l'assorbimento di umidità. Ogni unità è sigillata in un sacchetto di plastica speciale e inserita in un cartone rigido. Sono disponibili opzioni personalizzate per le dimensioni, l'etichettatura e la compartimentazione, a supporto di specifiche esigenze di manipolazione e stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: Quali sono i metodi di test utilizzati per verificare l'uniformità dell'agente di drogaggio del wafer?
A1: SAM utilizza ispezioni ottiche, microscopia elettronica e spettroscopia a raggi X a dispersione di energia per valutare la distribuzione del drogante sul wafer. Questi metodi rilevano le potenziali variazioni che potrebbero influire sulla successiva lavorazione dei semiconduttori.

D2: Come influisce l'orientamento cristallografico (100) sui processi di fabbricazione?
A2: L'orientamento (100) aiuta a ottenere modelli di incisione e deposizione prevedibili, fondamentali per il trasferimento dei modelli nella produzione di circuiti integrati. Questo orientamento favorisce il controllo e la coerenza del processo.

D3: Quali condizioni di conservazione aiutano a mantenere l'integrità della superficie del wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in un ambiente a bassa umidità e temperatura controllata, con un'esposizione minima all'ossigeno. Per evitare la contaminazione e il deterioramento della superficie, si consiglia di utilizzare un imballaggio antistatico e di spurgare l'azoto.

Informazioni aggiuntive

I substrati di silicio costituiscono il materiale di base per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore e sono fondamentali per l'evoluzione dell'elettronica moderna. Le analisi dettagliate dei livelli di drogaggio, della densità di dislocazione e dell'orientamento cristallografico favoriscono il miglioramento delle tecniche di microfabbricazione e aiutano a ottimizzare i parametri di processo, consentendo una maggiore integrazione e prestazioni nei dispositivi elettronici.

La ricerca sulla lavorazione del silicio perfeziona continuamente i metodi di incisione, diffusione e deposizione. I progressi nelle tecniche analitiche, tra cui la microscopia elettronica e la spettroscopia, forniscono un feedback essenziale per le regolazioni del processo. Questo processo iterativo supporta la fabbricazione affidabile di circuiti integrati e altri componenti a semiconduttore, contribuendo al continuo progresso della tecnologia elettronica.