CY9495 Wafer di silicio ultrapiatto di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore

Wafer di silicio ultrapiatto di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Descrizione

Il wafer di silicio ultrapiatto di tipo P, con diametro di 4 pollici x 525 μm di spessore, è prodotto in Si (Silicio) di elevata purezza. 4 pollici x 525 μm di spessore è prodotto con Si (silicio) di elevata purezza ed è progettato per offrire una superficie uniforme e atomicamente liscia. Il diametro di 4 pollici è conforme alle apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori, mentre lo spessore di 525 μm garantisce stabilità meccanica e facilità di manipolazione durante le fasi di lavorazione successive. Il drogaggio di tipo p facilita la conducibilità controllata per le applicazioni dei dispositivi. La planarità del substrato è fondamentale per la deposizione uniforme di film sottile, rendendolo adatto alla produzione di circuiti integrati avanzati e alla prototipazione di dispositivi.

Wafer di silicio ultrapiatto di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Applicazioni

1.Elettronica
- Utilizzato come substrato nella produzione di circuiti integrati per ottenere strati di deposizione uniformi sfruttando la sua superficie ultrapiatta per una precisa modellazione fotolitografica.
- Applicato come materiale di base nei dispositivi MEMS per ottenere stabilità dimensionale attraverso uno spessore controllato, migliorando così l'affidabilità del dispositivo.

2.Lavorazione industriale
- Impiegato come wafer portante nella produzione di semiconduttori per ridurre al minimo le irregolarità della superficie, sfruttando la planarità e lo spessore controllati.
- Utilizzato nelle configurazioni di ricerca avanzata come standard di calibrazione, offrendo un'interfaccia liscia che supporta misure riproducibili e la prototipazione di dispositivi.

Wafer di silicio ultrapiatto di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Imballaggio

Il wafer è confezionato in un contenitore antistatico rivestito di schiuma per evitare danni meccanici e contaminazione. È sigillato in un ambiente pulito e a bassa umidità per preservare l'integrità della superficie durante il trasporto e lo stoccaggio. L'imbottitura protettiva e i materiali di imballaggio inerti riducono il rischio di contaminazione da particolato. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui buste sigillate sottovuoto e contenitori etichettati, per soddisfare requisiti ambientali e di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Come viene verificata la planarità della superficie durante la produzione?
A1: La planarità della superficie viene verificata mediante misure interferometriche e microscopia a forza atomica. Queste tecniche assicurano che il wafer soddisfi i precisi criteri di planarità richiesti per i processi di semiconduttori ad alta risoluzione, rilevando al contempo eventuali irregolarità superficiali nelle prime fasi della produzione.

D2: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per il wafer?
A2: Il wafer deve essere conservato in un ambiente a temperatura controllata (circa 20-25°C) con bassa umidità relativa. Si raccomanda un imballaggio antistatico e condizioni di camera bianca controllata per evitare la contaminazione da particolato e umidità, garantendo la stabilità delle proprietà del wafer.

D3: Questo wafer può essere integrato nei processi produttivi standard dei semiconduttori?
A3: Sì, il diametro di 4 pollici e lo spessore di 525 μm sono in linea con le apparecchiature standard del settore. La superficie ultrapiatta contribuisce a una deposizione uniforme del film sottile e a una migliore risoluzione del modello, rendendolo altamente compatibile con varie tecniche di produzione di semiconduttori.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono fondamentali per la produzione di dispositivi a semiconduttore e costituiscono la piattaforma di partenza per i circuiti integrati e i dispositivi MEMS. La natura ultrapiatta di questi wafer riduce al minimo i difetti durante la deposizione del film, migliorando così l'uniformità del dispositivo. I progressi nelle tecniche di metrologia e di trattamento delle superfici continuano a elevare gli standard di prestazione nella produzione di wafer.

L'evoluzione tecnica dei substrati di silicio è stata guidata dalla richiesta di precisione nella microfabbricazione. La caratterizzazione dettagliata della superficie, comprese le valutazioni interferometriche e AFM, svolge un ruolo cruciale nel garantire che ogni wafer offra l'elevato grado di planarità necessario per le attività di ricerca e sviluppo di livello successivo nella produzione di semiconduttori.