CY9494 Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 2 pollici x 525 μm di spessore

Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 2 pollici x 525 μm di spessore Descrizione

Il wafer di silicio incorpora un rivestimento in argento P-Type da 50 nm, con un diametro di 2 pollici e uno spessore di 525 μm. Lo strato d'argento migliora la connettività elettrica, mentre il drogaggio controllato supporta l'integrazione di circuiti specifici. Le dimensioni standard garantiscono la compatibilità con gli strumenti convenzionali di lavorazione dei semiconduttori. Le misure di controllo della qualità, tra cui l'ispezione della superficie e la mappatura dei difetti, consentono di ottenere prestazioni elettriche costanti, necessarie per la prototipazione dei dispositivi e le applicazioni di ricerca.

Wafer di silicio con 50 nm di argento P-Type, Dia. 2 pollici x 525 μm di spessore Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come substrato attivo nelle celle fotovoltaiche per migliorare la dinamica dei portatori di carica sfruttando il drogaggio uniforme dell'argento.
- Applicato come strato fondamentale nei circuiti integrati per ottenere una conduttività controllata sfruttando una precisa tolleranza di spessore.

Industriale
- Utilizzato come substrato nei sensori a semiconduttore per ottenere un'accurata modulazione del segnale, sfruttando standard di drogaggio e fabbricazione coerenti.

Ricerca
- Utilizzato come campione di prova nello sviluppo di processi semiconduttori per valutare l'efficienza del drogaggio sfruttando la deposizione controllata di argento.

Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 2 pollici x 525 μm di spessore Imballaggio

I wafer sono fissati singolarmente in supporti statici dissipativi e racchiusi in contenitori sigillati per evitare la contaminazione. Gli inserti in schiuma personalizzata proteggono i wafer dagli urti meccanici durante il trasporto. Si raccomanda di conservare il prodotto in un ambiente asciutto e a temperatura controllata. Sono disponibili configurazioni personalizzate di etichettatura e imballaggio per soddisfare protocolli di manipolazione specifici per applicazioni di ricerca sensibili.

Domande frequenti

Q1: Come viene verificato lo strato d'argento di 50 nm?
A1: Lo strato di argento da 50 nm viene verificato utilizzando tecniche di metrologia superficiale, tra cui la microscopia elettronica a scansione (SEM) e l'ellissometria, calibrate rispetto agli standard industriali per garantire una deposizione uniforme su tutto il wafer.

D2: In che modo il wafer supporta la produzione di dispositivi a semiconduttore?
A2: Le dimensioni precise e il drogaggio controllato di tipo P facilitano l'integrazione nei processi dei semiconduttori. La compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard garantisce caratteristiche elettriche riproducibili e prestazioni ottimizzate del dispositivo durante la fabbricazione.

D3: Quali sono le migliori pratiche per la conservazione di questi wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in condizioni di temperatura controllata e bassa umidità, all'interno di contenitori privi di elettricità statica. Questo riduce al minimo il rischio di danni fisici o elettrostatici e mantiene l'integrità della superficie per la successiva lavorazione.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono componenti fondamentali nella produzione di semiconduttori e servono come base per circuiti integrati e vari dispositivi elettronici. L'integrazione di un rivestimento d'argento come drogante modifica le proprietà elettriche, il che è fondamentale per personalizzare le prestazioni del dispositivo. Tali modifiche richiedono un controllo preciso dei parametri di deposizione e un'analisi completa dei difetti, per garantire che il wafer soddisfi i rigorosi standard di ricerca e sviluppo.

Le recenti tendenze nella lavorazione dei semiconduttori si sono concentrate sul raggiungimento di un'uniformità su scala nanometrica nei rivestimenti metallici e nel drogaggio, essenziale per migliorare le prestazioni microelettroniche. Gli ingegneri incorporano rigorosi processi di controllo della qualità, tra cui ispezioni ottiche in linea e metrologia avanzata, per mantenere la coerenza necessaria per le applicazioni di produzione e ricerca ad alte prestazioni.