CY9493 Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore

Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Descrizione

Il wafer di silicio con argento di tipo P da 50 nm, con diametro di 4 pollici e spessore di 525 μm. 4 pollici x 525 μm di spessore è un substrato di silicio di tipo p con uno strato di argento da 50 nm depositato in modo uniforme. Il diametro di 4 pollici e lo spessore di 525 μm sono dimensioni standard compatibili con le apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori. Il rivestimento d'argento serve a migliorare la conduttività localizzata e le caratteristiche dell'interfaccia, garantendo una diffusione controllata del drogante durante la fabbricazione del dispositivo e supportando tecniche di integrazione avanzate.

Wafer di silicio con rivestimento d'argento P da 50 nm, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Applicazioni

Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei circuiti integrati per ottenere prestazioni elettriche precise sfruttando il rivestimento d'argento controllato.
- Applicato nell'assemblaggio di dispositivi fotovoltaici per migliorare la formazione dei contatti e la conduttività uniforme sfruttando le proprietà di tipo p.

Lavorazione industriale
- Impiegato nella fabbricazione di sensori per aumentare l'accuratezza della risposta grazie alle proprietà costanti del materiale, migliorando così l'integrità del segnale nei sistemi di monitoraggio industriale.

Wafer di silicio con 50 nm di argento di tipo P, diam. 4 pollici x 525 μm di spessore Imballaggio

Il wafer è confezionato in un supporto rigido antistatico con imbottitura in schiuma per ridurre le sollecitazioni meccaniche e la contaminazione. È sigillato in un sacchetto di protezione dall'umidità con inserti essiccanti e collocato in un contenitore che assorbe gli urti. L'imballaggio supporta l'etichettatura personalizzata e la compartimentazione per soddisfare i requisiti di manipolazione e conservazione. Le condizioni di stoccaggio controllate e le misure anticontaminazione standardizzate garantiscono che il substrato rimanga incontaminato fino alla lavorazione.

Domande frequenti

Q1: In che modo il rivestimento d'argento da 50 nm influisce sulle caratteristiche di lavorazione del wafer?
A1: Lo strato uniforme di argento da 50 nm aiuta a stabilire una diffusione controllata del drogante durante i processi termici. Fornisce un'interfaccia coerente che può avere un impatto sulla resistenza di contatto e sulla conduttività, essenziali durante la fabbricazione dei dispositivi.

D2: Quali sono le considerazioni da fare per gestire un wafer da 4 pollici e 525 μm di spessore durante la lavorazione?
A2: Le dimensioni del wafer richiedono la compatibilità con gli strumenti standard di manipolazione dei wafer e lo spessore intrinseco richiede un'attenta manipolazione per evitare fratture. Si consigliano strumenti di allineamento di precisione e misure antistatiche.

D3: In che modo SAM verifica la qualità della deposizione di argento e del substrato complessivo?
A3: SAM impiega la metrologia della superficie e l'analisi della composizione, compresa la microscopia elettronica e la diffrazione dei raggi X, per confermare lo spessore uniforme dell'argento e la chiarezza della struttura cristallografica. Queste fasi aiutano a identificare le deviazioni dai parametri specificati fin dalle prime fasi del ciclo di produzione.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio costituiscono la spina dorsale della produzione di dispositivi a semiconduttore. Le loro proprietà, come il drogaggio controllato e l'uniformità della superficie, sono fondamentali per le prestazioni dei circuiti integrati e delle celle fotovoltaiche. La tecnologia avanzata dei wafer di silicio si evolve continuamente per rispondere alle esigenze della moderna microelettronica.

L'integrazione di un sottile strato di argento nei wafer di silicio introduce un ulteriore controllo del processo, consentendo caratteristiche elettroniche più prevedibili. La ricerca in questo campo si concentra spesso sull'ottimizzazione delle tecniche di deposizione e sulla garanzia di coerenza tra i lotti, che è fondamentale per gli ambienti di produzione ad alta produttività.