CY9492 Substrato per wafer di silicio di tipo N (drogato con P) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio di tipo N (drogato con P) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Descrizione

Il wafer è realizzato in silicio di elevata purezza con orientamento prime-grade (100), che garantisce proprietà cristallografiche ottimali per l'integrazione dei dispositivi. Il drogaggio di tipo N con incorporazione controllata di P produce un intervallo di resistività di 0,001-0,01 ohm-cm, fondamentale per un comportamento elettronico preciso. La finitura SSP offre una superficie liscia e priva di difetti, favorevole alla lavorazione dei semiconduttori ad alta resa. La distribuzione uniforme del drogante e i bassi livelli di contaminazione garantiscono prestazioni elettriche costanti su tutto il wafer.

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo N (drogato con P) Grado primario (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Applicazioni

Elettronica
- Utilizzato come substrato per circuiti integrati in dispositivi a semiconduttore per ottenere profili di drogaggio controllati sfruttando l'orientamento definito (100) e la finitura SSP.
- Applicato come materiale di base nella fabbricazione di transistor ad alta velocità per ottenere una bassa perdita di segnale sfruttando la gamma di resistività specificata.

Industriale
- Utilizzato negli array di sensori per garantire caratteristiche elettriche stabili grazie al drogaggio P uniforme, che riduce al minimo la variabilità in condizioni ambientali variabili.
- Applicato come strato di base nei sistemi microelettromeccanici per garantire un comportamento elettronico preciso grazie all'orientamento controllato dei cristalli.

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo N (drogato con P) Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Imballaggio

I wafer sono fissati singolarmente in supporti antistatici con imbottitura in schiuma e sigillati in buste con barriera antiumidità per evitare contaminazioni e danni meccanici. Devono essere conservati in un ambiente pulito e a temperatura controllata per evitare stress termico e ossidazione. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui la sigillatura sottovuoto e ambienti con gas inerte, per soddisfare requisiti di conservazione particolari.

Domande frequenti

Q1: Come vengono garantiti la planarità dei wafer e la minimizzazione dei difetti durante la produzione?
A1: SAM impiega un preciso trattamento chimico e ispezioni SEM ad alta risoluzione per monitorare l'uniformità della superficie e la densità dei difetti. Questo processo valuta le variazioni di spessore tra i wafer e riduce al minimo i microdifetti, garantendo una planarità costante dei wafer per le applicazioni dei semiconduttori.

D2: Quali sono le condizioni di conservazione consigliate per questi wafer di silicio?
A2: Conservare i wafer in un ambiente controllato, a bassa umidità e a temperatura ambiente stabile. Utilizzare imballaggi antistatici e resistenti all'umidità per evitare la contaminazione e le sollecitazioni meccaniche durante la manipolazione e il trasporto.

D3: In che modo il processo di produzione mantiene l'intervallo di resistività specificato?
A3: Il processo di produzione incorpora il drogaggio controllato di P con il monitoraggio della resistività durante il processo. Ciò garantisce che ogni wafer rimanga entro l'intervallo 0,001-0,01 ohm-cm, consentendo prestazioni elettriche costanti necessarie per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori avanzati.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono il materiale di base della tecnologia dei semiconduttori, dove il controllo preciso della distribuzione del drogante e dell'orientamento cristallografico è fondamentale. La combinazione di proprietà elettriche ben definite e qualità superficiale influenza direttamente le prestazioni del dispositivo e la complessità dell'integrazione. Una metrologia dettagliata e condizioni di lavorazione controllate sono essenziali per ottenere le caratteristiche sfumate del materiale richieste nei moderni sistemi elettronici.

I progressi nelle tecniche di drogaggio e nei metodi di trattamento superficiale continuano a migliorare le prestazioni dei wafer. Questi sviluppi non solo aumentano l'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore, ma consentono anche un'ulteriore miniaturizzazione e integrazione in diversi settori high-tech.