CY9489 Substrato di prova per wafer di silicio tipo P (drogato B) da 300 mm (100), DSP, 1-100 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio tipo P (drogato B) da 300 mm Grado di prova (100), DSP, 1-100 ohm-cm Descrizione

Il substrato è realizzato in silicio di elevata purezza con drogaggio controllato di boro, per un intervallo di resistività di 1-100 ohm-cm. L'orientamento cristallografico (100) migliora l'uniformità, mentre il trattamento DSP riduce al minimo i difetti superficiali critici per le applicazioni di test dei semiconduttori. Il diametro di 300 mm assicura la compatibilità con le attuali apparecchiature di produzione di semiconduttori, supportando misure di resistività accurate e la validazione dei processi.

Substrato per wafer di silicio di 300 mm di tipo P (drogato B) Grado di prova (100), DSP, 1-100 ohm-cm Applicazioni

Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei sistemi di metrologia dei semiconduttori per ottenere un'accurata profilazione della resistività sfruttando il drogaggio controllato del boro e il preciso trattamento DSP.
- Applicato negli strumenti di sviluppo dei processi per facilitare la coerenza negli studi di drogaggio, utilizzando l'orientamento uniforme (100) per ottenere risultati affidabili.

Ricerca sui materiali
- Utilizzato negli studi di diffusione nei laboratori di ricerca per ottenere risultati riproducibili sfruttando la gamma di resistività stabile e i difetti superficiali ridotti al minimo.
- Impiegato nelle configurazioni sperimentali per la valutazione delle tecniche di fabbricazione dei semiconduttori per garantire una caratterizzazione dei materiali ad alta fedeltà.

300 mm Tipo P (drogato B) Substrato di silicio Grado di prova (100), DSP, 1-100 ohm-cm Imballaggio

I wafer sono sigillati singolarmente in supporti antistatici e posizionati all'interno di un imballaggio controllato dall'umidità e depurato da gas inerte. Gli inserti in schiuma personalizzati proteggono dagli urti meccanici e dalle vibrazioni durante il trasporto. Lo stoccaggio richiede un ambiente pulito e a bassa umidità per evitare l'ossidazione e la contaminazione della superficie. Su richiesta, sono disponibili opzioni di imballaggio personalizzate, tra cui etichettatura e compartimentazione specializzate, per soddisfare requisiti di movimentazione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo il trattamento DSP influenza le prestazioni del substrato nei test sui semiconduttori?
A1: Il processo DSP riduce i difetti e le irregolarità della superficie, minimizzando gli effetti di dispersione durante la metrologia. Ciò contribuisce alla stabilità delle letture della resistività e alla costanza dei risultati dei test, anche in condizioni di trattamento variabili.

D2: Quali misure garantiscono il controllo dei livelli di drogaggio del boro sul wafer?
A2: I controlli di processo in linea e le tecniche di ispezione ad alta risoluzione monitorano la diffusione del boro durante la fabbricazione. Questi metodi verificano che la resistività rimanga nell'intervallo 1-100 ohm-cm, fondamentale per le applicazioni di prova.

D3: Quali condizioni di stoccaggio sono consigliate per mantenere l'integrità dei wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità per evitare l'ossidazione. Un imballaggio protettivo e antistatico assicura inoltre che la superficie rimanga libera da contaminanti e danni meccanici.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono il substrato fondamentale per i dispositivi a semiconduttore grazie alle loro affidabili proprietà elettriche e alla compatibilità con le tecnologie di microfabbricazione. I progressi nei processi di drogaggio e nelle tecniche di trattamento superficiale hanno migliorato la resa e le prestazioni negli ambienti di produzione.

L'integrazione del trattamento DSP e dell'orientamento cristallografico controllato nella produzione dei wafer supporta applicazioni di prova precise. Questo approccio non solo migliora l'accuratezza delle misure, ma contribuisce anche allo sviluppo più ampio delle innovazioni nel trattamento dei semiconduttori sia in ambito commerciale che di ricerca.