CY9488 Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrato per wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 10-20 ohm-cm Descrizione

Questo substrato per wafer di silicio presenta un diametro di 100 mm, una superficie di prima scelta e un orientamento cristallografico (100). Il drogaggio B stabilisce un intervallo di resistività di 10-20 ohm-cm, che influisce sulla concentrazione dei portatori e sulle prestazioni del dispositivo. Il substrato è progettato per processi di fabbricazione di semiconduttori che richiedono precisione dimensionale e caratteristiche elettriche controllate. La bassa densità di difetti e il drogaggio uniforme migliorano la compatibilità con le apparecchiature di microfabbricazione e le tecniche di lavorazione standard.

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Applicazioni

Elettronica:
- Utilizzato come substrato nella fabbricazione di circuiti integrati per ottenere un'attivazione definita del drogante sfruttando una resistività uniforme.
- Applicato come materiale di base nei dispositivi CMOS per garantire proprietà elettriche controllate attraverso un preciso orientamento cristallografico.

Industriale:
- Impiegato come base nei dispositivi MEMS per ottenere stabilità dimensionale sfruttando la finitura superficiale uniforme del substrato.
- Utilizzato nella produzione di celle solari per facilitare un trasporto efficiente della carica sfruttando livelli di drogaggio costanti.

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, imballaggio 10-20 ohm-cm

I wafer sono imballati in supporti antistatici e scatole rivestite di schiuma per evitare danni meccanici e contaminazione. Sono sigillati in imballaggi con barriera antiumidità e conservati in un ambiente a temperatura controllata. I rigorosi protocolli di manipolazione, compreso l'uso di condizioni di camera bianca, contribuiscono a ridurre l'esposizione al particolato. Sono disponibili soluzioni di confezionamento personalizzate per soddisfare requisiti specifici di lavorazione e trasporto.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'uniformità del drogaggio del boro influisce sulle prestazioni del substrato?
A1: Il drogaggio uniforme del boro garantisce una resistività costante su tutto il wafer, fondamentale per un comportamento elettrico prevedibile nei processi dei semiconduttori. Questa uniformità riduce al minimo la variazione delle prestazioni dei dispositivi e favorisce l'attivazione efficace del drogante durante la lavorazione termica.

D2: Quali misure sono consigliate per la manipolazione di questo substrato di wafer?
A2: La manipolazione richiede condizioni di camera bianca e precauzioni antistatiche per evitare contaminazioni e danni meccanici. È consigliabile utilizzare pinzette specializzate per wafer e mantenere un controllo rigoroso dei livelli di particelle nell'ambiente per preservare l'integrità del substrato.

D3: In che modo l'orientamento cristallografico (100) è vantaggioso per la produzione di semiconduttori?
A3: L'orientamento (100) fornisce una struttura superficiale che supporta processi di ossidazione e incisione ottimali, fondamentali per la formazione controllata dell'ossido di gate nei dispositivi microelettronici avanzati.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio costituiscono un componente fondamentale della microelettronica, in quanto servono come base per la fabbricazione di circuiti integrati e di una varietà di dispositivi a semiconduttore. Le tecniche di drogaggio controllato utilizzate in questi substrati sono fondamentali per ottenere le caratteristiche elettriche desiderate, necessarie per le applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. Il mantenimento dell'uniformità nella distribuzione dell'agente di drogaggio svolge un ruolo importante nel garantire la riproducibilità del processo.

La comprensione dell'influenza dell'orientamento cristallografico sulla lavorazione dei semiconduttori è essenziale. L'orientamento (100), ad esempio, promuove reazioni superficiali coerenti durante l'ossidazione e l'incisione, a vantaggio dell'affidabilità e della scalabilità dei dispositivi nelle moderne tecnologie di fabbricazione.