CY9487 Substrato di wafer di silicio intrinseco da 100 mm di prima qualità (100), SSP, >20000 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio intrinseco da 100 mm di prima scelta (100), SSP, >20000 ohm-cm Descrizione

Questo wafer di silicio intrinseco è prodotto con silicio monocristallino di elevata purezza con orientamento (100) allineato con precisione. La sua elevata resistività di oltre 20000 ohm-cm riduce le concentrazioni di portatori liberi, minimizzando così le correnti di dispersione durante la lavorazione dei semiconduttori. Il basso livello di difetti e la finitura superficiale uniforme del substrato supportano la produzione di dispositivi critici, garantendo la coerenza dimensionale e un comportamento elettrico prevedibile durante le fasi di lavorazione termica e chimica.

Substrato di wafer di silicio intrinseco da 100 mm Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Applicazioni

1. Fabbricazione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella produzione di circuiti integrati per ottenere una dinamica controllata dei portatori di carica sfruttando l'elevata resistività, che riduce al minimo le perdite nei dispositivi sensibili.
- Applicato nei processi fotolitografici per ottenere una superficie uniforme, che consente un trasferimento preciso del modello e una ridotta densità di difetti.

2. Ricerca e sviluppo
- Impiegato come materiale di base negli studi sperimentali sui semiconduttori per analizzare le proprietà intrinseche del materiale, migliorando così la comprensione del comportamento del silicio in diverse condizioni di lavorazione.
- Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi prototipo per convalidare le innovazioni di processo, riducendo la variabilità grazie all'utilizzo di un substrato ben caratterizzato.

Substrato di wafer di silicio intrinseco da 100 mm Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Confezione

Confezionato in un contenitore antistatico approvato per la camera bianca con inserti in schiuma tagliati su misura, il wafer è sigillato in una busta con azoto per evitare la contaminazione da umidità e particolato. Le condizioni di stoccaggio devono mantenere un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità. Su richiesta sono disponibili soluzioni di confezionamento personalizzate, tra cui la sigillatura sottovuoto e vassoi di trasporto specializzati, per soddisfare requisiti di gestione specifici.

Domande frequenti

Q1: Quali tecniche di misurazione confermano l'elevata resistività del wafer?
A1: Durante la produzione, il wafer viene sottoposto a test con sonde a quattro punti e alla mappatura della resistività superficiale. Queste tecniche garantiscono che la resistività sia conforme alle specifiche >20000 ohm-cm, convalidando la qualità intrinseca richiesta per i processi dei semiconduttori.

D2: Come viene garantita la qualità della superficie del wafer durante la produzione?
A2: La qualità della superficie viene monitorata attraverso la profilometria interferometrica e la microscopia ottica, che rilevano contaminanti e irregolarità. Questo rigoroso controllo della qualità riduce al minimo i difetti che potrebbero influire sulle prestazioni del dispositivo durante la successiva lavorazione ad alta precisione.

D3: I parametri del substrato possono essere personalizzati per applicazioni specifiche?
A3: Le opzioni di personalizzazione sono disponibili su richiesta, compreso lo spessore del wafer e i protocolli di finitura superficiale su misura. Questa flessibilità supporta gli sviluppi nell'integrazione di processi specifici per i dispositivi e l'ottimizzazione delle prestazioni.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio intrinseco sono fondamentali nella produzione di semiconduttori grazie alla loro minima concentrazione di portatori di carica. L'orientamento cristallografico definito (100) aiuta a ottenere un'incisione e un deposito uniformi durante la fabbricazione dei dispositivi, migliorando così la riproducibilità del processo. Questi wafer sono parte integrante sia dei processi tradizionali che di quelli sperimentali, fornendo una piattaforma coerente per una varietà di applicazioni dei semiconduttori.

I rigorosi protocolli di controllo della qualità impiegati durante la fabbricazione sottolineano l'importanza delle proprietà precise dei materiali nelle applicazioni elettroniche avanzate. La comprensione di queste proprietà aiuta ingegneri e ricercatori a ottimizzare i parametri di processo per migliorare le prestazioni dei dispositivi, garantendo al contempo la conformità dei wafer agli standard industriali più importanti.