CY9486 Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 1-10 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Descrizione

Il substrato è prodotto con silicio monocristallino di elevata purezza utilizzando un processo di drogaggio del boro progettato per ottenere una resistività compresa nell'intervallo 1-10 ohm-cm. L'orientamento della superficie (100) favorisce condizioni di lavorazione ottimali per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. Il diametro di 100 mm garantisce la compatibilità con le attrezzature standard per la lavorazione dei wafer e la finitura SSP offre una superficie liscia e priva di difetti, fondamentale per le applicazioni microelettroniche avanzate.

Substrato per wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 100 mm di grado primario (100), SSP, 1-10 ohm-cm Applicazioni

1. Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei circuiti integrati per ottenere l'uniformità dimensionale sfruttando la distribuzione controllata del drogante.
- Applicato come base per la fabbricazione di transistor per mantenere caratteristiche elettriche prevedibili, consentendo una calibrazione precisa del dispositivo.

2. Ricerca e sviluppo
- Serve come piattaforma per lo sviluppo di processi nella ricerca sui semiconduttori per testare l'efficienza di drogaggio sfruttando la sua superficie liscia e con pochi difetti.
- Utilizzato negli studi di caratterizzazione dei materiali per valutare l'impatto dei livelli di drogaggio sulle prestazioni elettriche, facilitando l'analisi comparativa.

Substrato di wafer di silicio da 100 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, imballaggio 1-10 ohm-cm

I wafer sono confezionati in supporti statici dissipativi e sigillati in vassoi anticontaminazione per ridurre al minimo l'esposizione a particolato e umidità. Lo stoccaggio viene mantenuto a condizioni di temperatura ambiente costante per preservare l'integrità del substrato. Ulteriori materiali ammortizzanti proteggono dagli urti meccanici durante il trasporto e sono disponibili opzioni di personalizzazione delle configurazioni di imballaggio per allinearsi a protocolli di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'intervallo di resistività di 1-10 ohm-cm influisce sull'integrazione dei processi di semiconduttori?
A1: L'intervallo di resistività specificato consente di controllare la concentrazione dei portatori di carica, garantendo un comportamento coerente del materiale durante la fabbricazione del dispositivo. Ciò contribuisce a ottenere caratteristiche elettriche riproducibili, necessarie per la lavorazione avanzata dei semiconduttori.

D2: Quali vantaggi di lavorazione offre l'orientamento cristallografico (100)?
A2: L'orientamento (100) fornisce una disposizione atomica uniforme che supporta profili di incisione e drogaggio prevedibili. Ciò migliora la precisione del trasferimento del modello e la qualità delle architetture dei dispositivi nella fabbricazione dei semiconduttori.

D3: Come viene mantenuta la qualità della superficie durante la produzione?
A3: La qualità della superficie è garantita da una pulizia meticolosa, trattamenti termici di precisione e verifiche spettroscopiche. Queste fasi riducono la densità dei difetti e mantengono una superficie liscia, essenziale per le applicazioni elettroniche ad alte prestazioni.

Informazioni aggiuntive

I substrati di wafer di silicio sono elementi fondamentali nella produzione di semiconduttori. Le tecniche di drogaggio controllato utilizzate in questi substrati regolano le proprietà elettriche, influenzando direttamente le prestazioni dei dispositivi. La comprensione dell'interazione tra la concentrazione di drogante e la resistività risultante è fondamentale per ottimizzare la resa del processo e l'uniformità del dispositivo.

L'orientamento (100) dei substrati di silicio è fondamentale per le tecniche di microfabbricazione standard, in quanto fornisce una piattaforma riproducibile per vari processi di semiconduttori. La conoscenza dettagliata dei trattamenti termici e dei metodi di caratterizzazione della superficie aiuta ulteriormente a raggiungere i parametri tecnici richiesti dall'industria elettronica.