CY9485 Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 200 mm di grado primario (100), SSP, 1-100 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio da 200 mm di tipo P (drogato con B) Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm Descrizione

Questo substrato è prodotto con silicio di elevata purezza, drogato con boro per ottenere una conduttività di tipo P e una resistività compresa tra 1 e 100 ohm-cm. L'orientamento dei cristalli (100) favorisce la compatibilità con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori. Il diametro di 200 mm garantisce l'integrazione nelle attuali linee di produzione, mentre le rigorose tecniche di verifica del drogaggio producono caratteristiche elettriche uniformi, essenziali per le prestazioni del dispositivo.

Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 200 mm di grado primario (100), SSP, 1-100 ohm-cm Applicazioni

1. Produzione elettronica
- Utilizzo come substrato di base nei circuiti integrati per ottenere un comportamento elettrico controllato sfruttando il drogaggio uniforme del boro.
- Applicato come supporto dello strato attivo nei dispositivi CMOS per ottimizzare la mobilità dei portatori di carica attraverso un preciso orientamento (100).

2. R&S sui processi dei semiconduttori
- Utilizzato come campione di prova nello sviluppo di processi per esperimenti di drogaggio, ottenendo risultati sperimentali ripetibili con resistività controllata.
- Impiegato nella calibrazione delle apparecchiature per i processi di incisione e deposizione, sfruttando le proprietà costanti del materiale.

Substrato di wafer di silicio da 200 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, imballaggio 1-100 ohm-cm

I wafer sono confezionati singolarmente in contenitori antistatici per camere bianche con imbottitura in schiuma per ridurre al minimo le sollecitazioni meccaniche. Sono sigillati in sacchetti resistenti all'umidità e conservati in condizioni di temperatura controllata per evitare la contaminazione. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, compreso lo spurgo con gas inerte, per soddisfare i requisiti specifici di gestione durante il trasporto e lo stoccaggio.

Domande frequenti

Q1: In che modo il drogaggio del boro influenza le prestazioni del substrato?
A1: Il drogaggio del boro regola la resistività tra 1-100 ohm-cm e migliora la conduttività di tipo P, garantendo prestazioni elettriche ottimali durante la fabbricazione del dispositivo. Il livello di drogaggio uniforme contribuisce inoltre a garantire un comportamento uniforme su tutta la superficie del wafer.

D2: Quali vantaggi offre l'orientamento (100) per la lavorazione dei semiconduttori?
A2: L'orientamento cristallografico (100) si allinea alle tecniche di lavorazione standard, facilitando processi di ossidazione e incisione ben controllati. Questo orientamento aiuta a raggiungere la precisione dimensionale nella microfabbricazione.

D3: Che cosa si deve considerare per lo stoccaggio per mantenere l'integrità dei wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità, utilizzando un imballaggio antistatico. La prevenzione dell'esposizione a contaminanti e shock meccanici è essenziale per preservare l'integrità del substrato.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio, in particolare quelli drogati con boro, svolgono un ruolo fondamentale nella produzione di dispositivi a semiconduttore. La loro resistività controllata e l'orientamento dei cristalli sono fondamentali per garantire un comportamento elettronico prevedibile nei dispositivi fabbricati. I recenti progressi nelle tecniche di drogaggio e nelle misure di controllo della qualità hanno migliorato l'uniformità del materiale e l'affidabilità delle prestazioni.

La comprensione dell'interazione tra concentrazione di droganti, orientamento dei cristalli e proprietà del substrato è essenziale per ottimizzare la produzione di semiconduttori. La continua ricerca nel campo della scienza dei materiali sta migliorando l'integrazione di questi substrati in varie applicazioni industriali, con miglioramenti nell'efficienza e nella scalabilità dei dispositivi.