CY9484 Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 200 mm di grado primario (100), SSP, 1-50 ohm-cm

Substrato per wafer di silicio da 200 mm di tipo P (drogato con B) di prima scelta (100), SSP, 1-50 ohm-cm Descrizione

Il substrato per wafer di silicio da 200 mm di tipo P (drogato con B) di prima scelta (100), SSP, 1-50 ohm-cm è un substrato di silicio progettato con drogaggio controllato di boro e orientamento (100). La designazione SSP indica una lucidatura su un solo lato per una maggiore levigatezza della superficie. La precisa regolazione della resistività elettrica (1-50 ohm-cm) rende questo substrato adatto ai circuiti integrati e ad altri dispositivi a semiconduttore, assicurando prestazioni costanti in ambienti di processo sensibili al drogaggio.

Substrato per wafer di silicio da 200 mm di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, 1-50 ohm-cm Applicazioni

1. Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato di base nella produzione di circuiti integrati per ottenere caratteristiche elettriche uniformi sfruttando il drogaggio controllato di boro.
- Applicato come piattaforma per dispositivi di sensori nei sistemi a semiconduttori per ottenere una precisa modulazione del segnale grazie all'orientamento cristallografico (100).

2. Dispositivi optoelettronici e fotovoltaici
- Impiegato come strato attivo nei fotorivelatori per migliorare la consistenza dei portatori di carica utilizzando la sua gamma di resistività definita.
- Utilizzato nella produzione di celle solari per migliorare l'efficienza di raccolta dei portatori, sfruttando l'elevata uniformità della superficie e la finitura lucida su un solo lato.

Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) da 200 mm di prima scelta (100), SSP, confezione da 1-50 ohm-cm

Ogni wafer è fissato in un supporto antistatico e imbottito con inserti di schiuma per ridurre al minimo le sollecitazioni meccaniche e la contaminazione superficiale. I substrati sono racchiusi in un imballaggio resistente all'umidità con un'atmosfera inerte e sono etichettati per la tracciabilità. Devono essere conservati in un ambiente a temperatura controllata, in camera bianca, per preservarne le caratteristiche elettriche e superficiali. Sono disponibili configurazioni di imballaggio personalizzate per soddisfare requisiti di produzione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo il drogaggio controllato del boro influisce sull'integrazione del processo?
A1: La concentrazione controllata di boro assicura che la resistività elettrica rimanga nell'intervallo 1-50 ohm-cm, facilitando prestazioni prevedibili durante la fabbricazione del dispositivo e migliorando l'integrazione con le apparecchiature standard per la lavorazione dei semiconduttori.

D2: Quali precauzioni di manipolazione sono consigliate per mantenere l'integrità del substrato?
A2: Si consiglia di utilizzare procedure in camera bianca con strumenti di manipolazione antistatici e di indossare indumenti appropriati per il controllo della contaminazione. In questo modo si riducono al minimo i danni superficiali e la contaminazione da particolato, mantenendo così le prestazioni del substrato.

D3: Quali sono le tecniche di ispezione migliori per valutare l'uniformità del substrato?
A3: La microscopia ottica ad alta risoluzione e la profilometria superficiale sono consigliate per valutare la distribuzione del drogante e la qualità della lucidatura superficiale. Queste tecniche forniscono dati precisi sull'uniformità e sulla densità dei difetti per il controllo del processo.

Informazioni aggiuntive

I substrati di wafer di silicio sono elementi fondamentali nella produzione di dispositivi a semiconduttore. Il controllo dettagliato del drogaggio e dell'orientamento dei cristalli è essenziale per ottimizzare le prestazioni dei dispositivi, poiché piccole variazioni possono influenzare il comportamento elettrico e la resa. La comprensione delle proprietà dei materiali e delle tecniche di lavorazione è fondamentale per gli ingegneri di ricerca e sviluppo e per gli specialisti dell'approvvigionamento che intendono incorporare questi substrati in linee di produzione avanzate.

Il ruolo dei materiali dei substrati si estende a numerose applicazioni nel campo dell'elettronica e dell'optoelettronica. L'impiego di metodi di controllo della qualità mirati, come l'ispezione ad alta risoluzione e l'analisi precisa dei droganti, aiuta a ridurre i difetti e a migliorare l'uniformità dei dispositivi. Questo approfondimento tecnico va a vantaggio delle parti interessate, allineando le proprietà dei materiali alle capacità di processo nella moderna produzione di semiconduttori.