CY9483 Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) di prima scelta (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato con B) di prima scelta (100), SSP, 10-20 ohm-cm Descrizione

Il substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato con B) di prima scelta (100), SSP, 10-20 ohm-cm è prodotto a partire da silicio di elevata purezza e drogato con boro per ottenere una conduttività di tipo P. L'orientamento cristallografico (100) supporta la crescita epitassiale uniforme durante la produzione di semiconduttori. L'orientamento cristallografico (100) supporta la crescita epitassiale uniforme durante la lavorazione dei semiconduttori. Con un intervallo di resistività di 10-20 ohm-cm, il substrato soddisfa i requisiti elettrici e strutturali della fabbricazione di dispositivi avanzati, mantenendo una bassa densità di difetti e condizioni di superficie stabili.

Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) di prima scelta (100), SSP, 10-20 ohm-cm Applicazioni

Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nella produzione di circuiti integrati per ottenere una crescita coerente dello strato epitassiale sfruttando il suo preciso orientamento (100).
- Applicato come materiale di base per dispositivi a semiconduttore di potenza per controllare la conduttività attraverso il drogaggio calibrato del boro.

Applicazioni industriali e di ricerca
- Utilizzato in studi sperimentali per l'analisi della diffusione di droganti nel silicio, garantendo risultati quantificabili grazie a una resistività uniforme.
- Impiegato nei laboratori di sviluppo dei processi per testare trattamenti superficiali avanzati che richiedono un substrato stabile e a bassa difettosità.

Substrato di wafer di silicio di tipo P (drogato B) Prime Grade (100), SSP, confezione da 10-20 ohm-cm

I wafer sono fissati singolarmente in supporti antistatici e collocati in contenitori rigidi rivestiti di schiuma per ridurre al minimo l'impatto fisico e la contaminazione. Un'ulteriore pellicola protettiva protegge la superficie dalle particelle trasportate dall'aria. Si consiglia lo stoccaggio in un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui la sigillatura sottovuoto e l'etichettatura dettagliata, per adattarsi a protocolli di manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: Quali misure vengono applicate per controllare la consistenza del drogante in questi wafer?
A1: SAM utilizza tecniche avanzate di diffusione del boro combinate con la metrologia della superficie, come la scansione della resistenza elettrica, per mantenere una distribuzione uniforme del drogante, fondamentale per sostenere la resistività designata di 10-20 ohm-cm.

D2: Come viene verificato l'orientamento cristallografico (100)?
A2: L'orientamento viene confermato mediante analisi di diffrazione a raggi X (XRD) e di diffrazione a retrodiffusione di elettroni (EBSD). Questi metodi garantiscono che il substrato sia conforme ai rigorosi standard necessari per i successivi processi epitassiali.

D3: Quali sono le condizioni di stoccaggio consigliate per preservare l'integrità dei wafer?
A3: I wafer devono essere conservati in un ambiente a temperatura regolata e a bassa umidità, all'interno di un imballaggio antistatico, per evitare la contaminazione e le sollecitazioni meccaniche, mantenendo così le proprietà strutturali ed elettriche del substrato.

Informazioni aggiuntive

I substrati di wafer di silicio sono fondamentali nell'industria dei semiconduttori, in quanto costituiscono la base per la fabbricazione di circuiti integrati e dispositivi microelettronici. L'orientamento cristallografico e il drogaggio controllati consentono un'integrazione affidabile dei processi nelle operazioni di ossidazione, litografia e incisione. Il continuo sviluppo delle tecniche di lavorazione dei materiali consente di migliorare le prestazioni e la resa dei dispositivi in ambito industriale.

I progressi nel controllo del drogaggio e nella caratterizzazione della superficie hanno migliorato la consistenza e le prestazioni dei wafer di silicio. Tecniche come XRD e SEM offrono una visione approfondita delle caratteristiche strutturali e morfologiche, consentendo agli ingegneri di mettere a punto i parametri di processo per ottimizzare le prestazioni dei dispositivi sia nei laboratori di ricerca che negli ambienti di produzione.