CY9459 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 20x20x1 mm, SSP

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di rame (111), 20x20x1 mm, SSP Descrizione

Questo prodotto è un substrato di rame a cristallo singolo con orientamento (111), di dimensioni 20x20x1 mm, progettato per ridurre i confini dei grani e migliorare la conduzione elettrica uniforme. La struttura cristallina controllata e la superficie piatta del substrato sono fondamentali per effettuare misure scientifiche accurate e assemblare dispositivi. La consistenza strutturale del campione riduce al minimo la dispersione in applicazioni ad alta frequenza e offre una piattaforma stabile per la successiva deposizione di strati di materiale.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 20x20x1 mm, Applicazioni SSP

Applicazioni elettroniche
- Utilizzato come substrato elettrodico nei dispositivi a semiconduttore per ottenere interfacce conduttive uniformi sfruttando l'orientamento del cristallo (111).
- Applicato come strato conduttore nei circuiti RF per ridurre la resistenza parassita sfruttando la bassa densità di difetti del substrato.

Applicazioni industriali
- Utilizzato come materiale di base negli assemblaggi microelettronici per garantire la precisione dimensionale sfruttando la sua struttura cristallografica coerente.
- Applicato come contatto per sensori nei sistemi di misura di precisione per ottenere prestazioni elettriche stabili sfruttando la sua composizione ad alta purezza.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 20x20x1 mm, confezione SSP

I substrati sono sigillati singolarmente in buste antistatiche e imbottiti in contenitori rivestiti di schiuma ESD. Questo imballaggio riduce al minimo i danni fisici e la contaminazione, mantenendo un ambiente stabile a temperatura e umidità controllate. L'etichettatura personalizzata, la compartimentazione e le misure protettive aggiuntive possono essere organizzate secondo le specifiche del cliente per garantire un trasporto e uno stoccaggio sicuri.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'orientamento (111) influisce sulle prestazioni del substrato di rame nelle applicazioni elettroniche?
A1: L'orientamento (111) riduce al minimo i confini dei grani, con conseguente flusso uniforme di elettroni e riduzione della resistenza elettrica. Questo allineamento cristallino garantisce proprietà termiche ed elettriche migliori, fondamentali per i dispositivi elettronici ad alta frequenza.

D2: Quali metodi di controllo della qualità vengono applicati durante la fabbricazione dei substrati?
A2: SAM impiega la microscopia elettronica a scansione e la diffrazione dei raggi X per valutare l'orientamento cristallografico e rilevare potenziali difetti. Questi metodi garantiscono che il substrato mantenga i rigorosi parametri di planarità e uniformità essenziali per gli esperimenti scientifici.

D3: Il substrato può essere personalizzato in termini di spessore e dimensioni per applicazioni specializzate?
A3: Sì, la personalizzazione delle dimensioni è possibile. È possibile apportare modifiche allo spessore, alla lunghezza e alla larghezza per soddisfare specifici requisiti sperimentali o di produzione, preservando la qualità intrinseca del cristallo.

Informazioni aggiuntive

I cristalli singoli di rame svolgono un ruolo importante nella ricerca sui materiali avanzati grazie ai loro effetti minimi sui bordi dei grani e alle proprietà conduttive prevedibili. I ricercatori si affidano a questi substrati per studiare i fenomeni di trasporto degli elettroni e le reazioni superficiali con grande precisione. Questi substrati forniscono una piattaforma stabile per studiare le proprietà fisiche e chimiche fondamentali in ambienti controllati.

La comprensione dell'orientamento cristallografico e della purezza del rame è fondamentale sia in ambito accademico che industriale. Il controllo della struttura cristallina influenza la gestione termica, la conduttività elettrica e la stabilità meccanica, fattori fondamentali per lo sviluppo di componenti elettronici e sensori ad alte prestazioni.