CY9457 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 10x10x0,5 mm, SSP

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 10x10x0,5 mm, SSP Descrizione

Il prodotto è realizzato in rame di elevata purezza con orientamento cristallografico (111), che garantisce una struttura reticolare uniforme su tutta la superficie di 10x10 mm. Il substrato misura 0,5 mm di spessore, ottimizzato per la ricerca sui semiconduttori e la scienza dei materiali. Le proprietà cristalline controllate riducono la variabilità dei confini dei grani, favorendo le applicazioni analitiche e di deposizione. Utilizzando rigorosi metodi di caratterizzazione della superficie, SAM conferma la planarità e l'omogeneità essenziali per le integrazioni di processo sensibili.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 10x10x0,5 mm, SSP Applicazioni

1.Elettronica
- Utilizzato come base per la crescita epitassiale nei dispositivi a semiconduttore per ridurre al minimo i disallineamenti reticolari sfruttando l'orientamento uniforme (111).
- Applicato come substrato nei test di interconnessione microelettronica per ottenere una conduttività stabile grazie a una struttura cristallina controllata.

2.Ricerca sulla scienza dei materiali
- Serve come supporto per i campioni nei sistemi di deposizione di film sottili per garantire una cristallografia uniforme che migliora l'adesione del film.
- Viene spesso utilizzato negli studi di analisi della superficie per valutare l'impatto della disposizione atomica sulle proprietà del materiale, sfruttando la sua struttura omogenea.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (111), 10x10x0,5 mm, imballaggio SSP

I substrati sono confezionati in buste antistatiche e antiumidità con inserti in schiuma per impedire gli urti meccanici e la contaminazione ambientale. Le istruzioni per la conservazione raccomandano un ambiente asciutto e a temperatura controllata. In base alle esigenze dell'utente, sono disponibili strati protettivi aggiuntivi e confezioni personalizzate a compartimenti stagni per salvaguardare il substrato durante la spedizione e lo stoccaggio a lungo termine.

Domande frequenti

Q1: Come influisce l'orientamento (111) sulle prestazioni del substrato di rame?
A1: L'orientamento (111) produce una disposizione atomica coerente, che riduce al minimo i difetti durante la deposizione del film sottile, favorendo così una crescita uniforme dello strato e migliori prestazioni elettroniche nelle apparecchiature di elaborazione.

D2: Quali misure di controllo della qualità vengono applicate durante la produzione?
A2: SAM impiega l'ispezione diretta della superficie al microscopio e l'analisi di diffrazione dei raggi X per verificare l'orientamento dei cristalli e la coerenza strutturale. Questa metodologia garantisce che ogni substrato soddisfi i criteri di allineamento e di planarità superficiale specificati (111).

D3: Questo substrato può essere integrato nei flussi di lavoro esistenti per la lavorazione dei semiconduttori?
A3: Sì, le sue dimensioni di 10x10 mm e lo spessore di 0,5 mm sono conformi agli standard delle apparecchiature comunemente utilizzate nella produzione di semiconduttori. La qualità costante del cristallo semplifica l'integrazione nei processi di deposizione e incisione di routine.

Informazioni aggiuntive

La natura monocristallina dei substrati di rame svolge un ruolo significativo nella riduzione dei difetti a livello atomico, favorendo così la fabbricazione di semiconduttori avanzati. L'orientamento uniforme del cristallo, come il (111), fornisce una piattaforma affidabile per lo studio dei fenomeni interfacciali e della crescita dei film sottili.

Nel contesto più ampio della scienza dei materiali, i substrati di cristallo singolo sono essenziali per la ricerca che richiede un controllo preciso delle proprietà strutturali. Questi substrati facilitano la comprensione degli effetti cristallografici fondamentali sulle prestazioni dei materiali, favorendo le ricerche accademiche e industriali sulle applicazioni elettroniche e ottiche avanzate.