CY9452 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 10x10x1 mm, SSP

Substrati di rame monocristallino Substrato di rame (110), 10x10x1 mm, SSP Descrizione

Questo substrato di rame monocristallino presenta un orientamento cristallografico (110) e dimensioni precise di 10x10x1 mm. La sua natura monocristallina minimizza la dispersione degli elettroni e riduce le discontinuità superficiali, rendendolo adatto ai processi dei semiconduttori e alle applicazioni dei dispositivi elettronici. La microstruttura ingegnerizzata è verificata attraverso la diffrazione di raggi X e la microscopia elettronica, assicurando l'assenza controllata di bordi di grano e una topografia superficiale uniforme.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 10x10x1 mm, SSP Applicazioni

1.Elettronica
- Utilizzato come base di interconnessione nei circuiti ad alta frequenza per ottenere una ridotta dispersione di elettroni sfruttando la sua struttura a cristallo singolo.
- Applicato come substrato nel packaging microelettronico per migliorare la chiarezza del segnale sfruttando la sua morfologia superficiale uniforme.

2.Industriale
- Spesso utilizzato come piattaforma di prova nello sviluppo di processi per la fabbricazione di semiconduttori, per ottimizzare i processi di deposizione sfruttando il suo orientamento cristallografico uniforme.
- Serve come standard di calibrazione nei setup di caratterizzazione dei materiali, offrendo proprietà superficiali controllate.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 10x10x1 mm, confezione SSP

I substrati sono fissati in supporti rivestiti di schiuma antistatica per ridurre al minimo gli impatti della manipolazione e la contaminazione della superficie. Sono sigillati in imballaggi con barriera antiumidità progettati per mantenere un ambiente asciutto e prevenire l'esposizione al particolato. Si consiglia di controllare la temperatura durante lo stoccaggio per preservare l'integrità cristallografica. Sono disponibili etichette personalizzate e layout a compartimenti per soddisfare specifici requisiti logistici e di tracciabilità.

Domande frequenti

Q1: Come si verifica l'orientamento (110) in questi substrati?
A1: L'orientamento (110) viene confermato utilizzando tecniche di diffrazione dei raggi X e analisi al microscopio elettronico. Queste valutazioni garantiscono che l'allineamento del reticolo cristallino soddisfi le rigorose specifiche richieste per i test dei dispositivi a semiconduttore.

D2: Quali misure vengono adottate per ridurre al minimo la contaminazione superficiale durante la produzione?
A2: Il processo di produzione prevede ambienti puliti e procedure di manipolazione meticolose, tra cui protocolli antistatici e processi in atmosfera controllata, per limitare la contaminazione da particolato e umidità sulla superficie del substrato.

D3: Questi substrati possono essere integrati nelle apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori esistenti?
A3: Sì, le dimensioni del substrato di 10x10x1 mm sono compatibili con le piattaforme standard di lavorazione dei semiconduttori, consentendo un'integrazione semplice e un adattamento dei processi senza necessità di grandi ritocchi.

Informazioni aggiuntive

I substrati di rame monocristallino rappresentano una piattaforma per la ricerca e le applicazioni industriali in cui è fondamentale ridurre al minimo i confini dei grani. La struttura monocristallina migliora il trasporto degli elettroni e riduce la dispersione, il che è fondamentale per i processi che richiedono un'elevata integrità dei dati e stabilità dei segnali. Questi substrati trovano ampia utilità nell'elettronica, dove le proprietà raffinate del materiale hanno un impatto significativo sulle prestazioni dei dispositivi.

La comprensione del comportamento del rame in forma di cristallo singolo contribuisce anche al progresso delle interconnessioni microelettroniche e delle tecnologie dei sensori. I ricercatori beneficiano di tecniche dettagliate di caratterizzazione della superficie e di rigorosi controlli di processo, che informano l'innovazione dei materiali e l'ottimizzazione dei processi nella produzione di semiconduttori.