CY9450 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 5x5x1 mm, SSP

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di rame (110), 5x5x1 mm, SSP Descrizione

Il prodotto è un substrato di rame di elevata purezza con orientamento cristallografico (110) e dimensioni nominali di 5x5x1 mm. Realizzato con processi di crescita e ricottura controllata dei cristalli, la struttura a cristallo singolo riduce al minimo gli effetti dei confini dei grani. La finitura superficiale definita e l'accuratezza dimensionale supportano analisi dettagliate nella ricerca sui semiconduttori e nella caratterizzazione dei materiali. L'uniformità del substrato aiuta a ottenere misure coerenti di scattering di elettroni e conduttività termica.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 5x5x1 mm, Applicazioni SSP

Applicazioni elettroniche
- Utilizzato come strato conduttivo nei dispositivi microelettronici per migliorare l'integrità del segnale sfruttando l'orientamento cristallografico controllato.

Ricerca e sviluppo
- Applicato come substrato negli studi di scienza delle superfici per studiare l'anisotropia del rame, consentendo un'analisi dettagliata del comportamento degli elettroni con un'interferenza minima dei difetti.

Lavorazione industriale
- Utilizzato frequentemente nei sistemi di calibrazione per il controllo di qualità, per convalidare le apparecchiature di misura sfruttando le sue dimensioni precise e l'uniformità cristallina.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (110), 5x5x1 mm, confezione SSP

Ogni substrato è fissato singolarmente in un supporto antistatico rivestito di schiuma e sigillato in un sacchetto resistente all'umidità per limitare l'ossidazione e la contaminazione. Il metodo di imballaggio comprende uno strato protettivo secondario e un'etichetta chiara per l'identificazione. Si raccomanda la conservazione in un ambiente pulito e a temperatura controllata. Sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate per soddisfare requisiti specifici di manipolazione o trasporto.

Domande frequenti

Q1: Quali misure di controllo garantiscono l'accuratezza dell'orientamento del cristallo?
A1: Il processo di produzione comprende ispezioni di diffrazione a raggi X e microscopia ottica che verificano l'orientamento (110) con tolleranza su scala atomica, assicurando una deviazione minima dai parametri cristallografici desiderati.

D2: Come viene mantenuta la qualità della superficie del substrato durante la produzione?
A2: Durante la produzione vengono impiegate procedure sequenziali di lucidatura, pulizia e microscopia a forza atomica per ottenere una bassa rugosità superficiale, fondamentale per le applicazioni che richiedono valutazioni precise del comportamento degli elettroni.

D3: Questi substrati possono supportare processi ad alta temperatura?
A3: I substrati sono stati testati in condizioni di temperatura elevata tipiche della lavorazione dei semiconduttori. I cicli termici e le valutazioni metallurgiche confermano che il materiale mantiene la sua integrità microstrutturale senza subire cambiamenti di fase.

Ulteriori informazioni

I cristalli singoli di rame offrono un netto vantaggio per gli studi sulla conduzione elettrica anisotropa e per l'analisi dei difetti dei materiali. La loro struttura a grani liberi consente un'indagine precisa della dinamica degli elettroni e delle interazioni superficiali, fondamentale sia per la ricerca accademica che per lo sviluppo industriale dei materiali.

I progressi nella tecnologia di crescita dei cristalli hanno migliorato la riproducibilità e la purezza dei substrati di rame. I processi di fabbricazione migliorati consentono di ottenere substrati con un orientamento cristallografico controllato, aumentando l'accuratezza delle misurazioni in microscopia elettronica, spettroscopia e valutazione della conducibilità termica.