CY9448 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 2 pollici x 1 mm, SSP

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 2 pollici x 1 mm, Descrizione SSP

I substrati di rame a cristallo singolo Cu Substrate (100), Dia. 2 pollici x 1 mm, SSP sono realizzati in cristallo di rame di elevata purezza con orientamento (100). Il diametro di 2 pollici e lo spessore di 1 mm supportano l'integrazione con apparecchiature a semiconduttore standard, garantendo una struttura reticolare uniforme con dislocazioni minime. La natura intrinseca di cristallo singolo riduce la dispersione degli elettroni, a vantaggio della dissipazione del calore e delle prestazioni elettriche negli assemblaggi elettronici di fascia alta.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 2 pollici x 1 mm, Applicazioni SSP

1.Applicazioni di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come substrato nei dispositivi microelettronici per ridurre al minimo la dispersione degli elettroni sfruttando l'orientamento uniforme dei cristalli.
- Applicato nei circuiti ad alta frequenza per migliorare la gestione termica grazie a una migliore conduttività.

2.Applicazioni industriali
- Serve come strato di base nelle piattaforme di lavorazione di precisione per mantenere la stabilità dimensionale sfruttando la sua bassa densità di difetti.
- Implementato nei processi di metallizzazione per supportare la deposizione uniforme del film, migliorando così le prestazioni complessive del dispositivo.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 2 pollici x 1 mm, imballaggio SSP

I substrati sono confezionati in contenitori antistatici rivestiti di schiuma per evitare danni meccanici e contaminazione. Ogni unità è sigillata in una busta resistente all'umidità e conservata a temperatura ambiente controllata. Il design dell'imballaggio riduce al minimo l'esposizione al particolato e alle scariche elettrostatiche. Sono disponibili opzioni di imballaggio personalizzate, tra cui la compartimentazione e l'etichettatura, per adattarsi a protocolli di stoccaggio e manipolazione specifici.

Domande frequenti

Q1: In che modo l'orientamento cristallografico (100) influisce sulle prestazioni del substrato?
A1: L'orientamento (100) assicura una struttura reticolare uniforme, riducendo la densità di dislocazioni e migliorando la conducibilità elettrica. Questa precisione va a vantaggio delle applicazioni che richiedono un flusso di elettroni costante e riduce al minimo la variabilità delle prestazioni dei dispositivi.

D2: Quali processi specifici di controllo della qualità vengono applicati durante la produzione del substrato?
A2: SAM utilizza tecniche di analisi superficiale come il SEM e la diffrazione di raggi X per monitorare l'orientamento dei cristalli e rilevare i difetti. Queste rigorose ispezioni verificano la planarità e la purezza del substrato, garantendo prestazioni costanti nei lotti di produzione.

D3: In che modo le specifiche dimensionali di 2 pollici x 1 mm contribuiscono alla sua integrazione?
A3: Il diametro di 2 pollici e lo spessore di 1 mm garantiscono la compatibilità con le apparecchiature standard per semiconduttori. Questo dimensionamento facilita la lavorazione uniforme e l'integrazione con le linee di produzione esistenti, riducendo le regolazioni delle apparecchiature e i tempi di configurazione.

Informazioni aggiuntive

I substrati di rame a cristallo singolo sono essenziali nelle applicazioni in cui sono richiesti confini di grano minimi ed elevata conducibilità elettrica. Il loro orientamento cristallografico uniforme contribuisce alla stabilità delle proprietà termiche ed elettriche, rendendoli adatti alla ricerca avanzata e all'uso industriale. La comprensione dell'interazione tra struttura cristallina e prestazioni del materiale è fondamentale per sviluppare assemblaggi elettronici efficienti.

Nella scienza dei materiali, i substrati di rame di elevata purezza influenzano anche la qualità di deposizione dei film successivi. Il loro utilizzo in sistemi di metallizzazione e dissipazione del calore di precisione dimostra l'impatto più ampio dell'uniformità del substrato sull'affidabilità e la longevità dei dispositivi.