CY9447 Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 10 mm x 1 mm, SSP

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di Cu (100), Dia. 10 mm x 1 mm, Descrizione SSP

I substrati di rame a cristallo singolo Cu Substrate (100), Dia. 10 mm x 1 mm, SSP sono prodotti da rame di elevata purezza con orientamento cristallografico (100), che garantisce una struttura a grani uniformi. Le dimensioni specifiche del substrato facilitano la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione standard nella ricerca sui semiconduttori e sull'elettronica. La struttura a cristallo singolo controllata aiuta a ridurre al minimo l'interferenza dei confini dei grani, a vantaggio degli esperimenti che richiedono bassi livelli di impurità e proprietà elettroniche stabili.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di rame (100), Dia. 10 mm x 1 mm, Applicazioni SSP

Ricerca sull'elettronica e sui semiconduttori
- Utilizzato come substrato di base nei sistemi di deposizione di film sottili per ottenere un trasporto di elettroni costante sfruttando l'orientamento uniforme dei cristalli.
- Applicato come base per l'integrazione di dispositivi microelettronici per ridurre la dispersione dei bordi dei grani e migliorare la chiarezza del segnale.

Sviluppo di processi industriali
- Utilizzato come modello negli studi di metallizzazione per simulare le interconnessioni in rame, affrontando le questioni relative alla resistenza e all'elettromigrazione grazie all'uniformità del cristallo singolo.

Studi accademici e di scienza dei materiali
- Applicato come materiale modello negli esperimenti di cristallografia per studiare gli effetti dei confini dei grani, offrendo una chiara visione del comportamento conduttivo del rame in condizioni controllate.

Substrati di rame a cristallo singolo Substrato di rame (100), Dia. 10 mm x 1 mm, confezione SSP

I substrati sono confezionati singolarmente in supporti antistatici e imbottiti e fissati in contenitori rigidi e resistenti all'umidità. Le raccomandazioni per la conservazione includono un ambiente asciutto e a temperatura stabile per evitare l'ossidazione e la contaminazione. Il design dell'imballaggio incorpora materiali che assorbono gli urti e sigillature compatibili con le camere bianche per ridurre al minimo l'esposizione al particolato. Sono disponibili soluzioni di imballaggio personalizzate, comprese l'etichettatura e la compartimentazione, per soddisfare i requisiti specifici di laboratorio o di manipolazione industriale.

Domande frequenti

D1: In che modo l'orientamento cristallografico controllato (100) è vantaggioso per le applicazioni sperimentali?
A1: L'orientamento controllato (100) migliora l'uniformità del trasporto degli elettroni e riduce la dispersione indesiderata ai confini dei grani. Questo vantaggio migliora la chiarezza e la riproducibilità dei risultati sperimentali nello sviluppo dei processi dei semiconduttori e negli studi sui materiali.

D2: Quali sono le condizioni di conservazione per garantire che il substrato mantenga la sua integrità materiale?
A2: I substrati devono essere conservati in un ambiente asciutto e a temperatura stabile, idealmente in un contenitore antistatico. Queste condizioni impediscono l'ossidazione e riducono al minimo la contaminazione da particolato, preservando l'integrità del cristallo singolo essenziale per la ricerca di alta precisione.

D3: Le dimensioni del substrato possono essere adattate ad apparecchiature di prova non standard?
A3: Le opzioni di personalizzazione delle dimensioni del substrato possono essere discusse con SAM. Gli aggiustamenti sono disponibili dopo la valutazione dei requisiti di processo, garantendo che le modifiche mantengano l'integrità e l'uniformità della struttura del cristallo di rame.

Informazioni aggiuntive

I substrati di rame a cristallo singolo svolgono un ruolo fondamentale nella ricerca sulla scienza dei materiali. La struttura a cristallo singolo riduce al minimo l'interferenza dei confini dei grani, fornendo un sistema modello per lo studio della mobilità degli elettroni e della conduttività nel rame. Tali indagini sono fondamentali per il progresso dei dispositivi a semiconduttore e dei circuiti integrati.

In ambito industriale e accademico, la comprensione delle proprietà cristallografiche fondamentali del rame aiuta a sviluppare tecniche di metallizzazione migliori. Studi approfonditi su substrati a cristallo singolo hanno contribuito a migliorare l'ottimizzazione dei processi e a formulare valutazioni più efficaci delle prestazioni dei materiali in vari ambiti di ricerca.