CY9441 Substrato di alluminio a cristallo singolo (100), diam. 2 pollici x 0,95 mm, SSP

Substrato di alluminio a cristallo singolo (100), diam. 2 pollici x 0,95 mm, Descrizione SSP

Questo substrato è realizzato in alluminio a cristallo singolo con orientamento (100) per fornire una superficie atomicamente piatta, fondamentale per la fabbricazione di circuiti integrati. Le dimensioni costanti di 2 pollici di diametro e 0,95 mm di spessore supportano un allineamento preciso nei processi di semiconduttori e nelle applicazioni di ricerca. Le proprietà cristallografiche controllate riducono la densità dei difetti e migliorano l'uniformità del processo negli studi sui materiali avanzati.

Substrato di alluminio a cristallo singolo (100), diam. 2 pollici x 0,95 mm, Applicazioni SSP

- Elettronica: Utilizzato come base nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore per ottenere una deposizione uniforme di film sottili sfruttando la sua superficie atomicamente piatta e l'orientamento cristallografico controllato.

- Ricerca e sviluppo: Applicato come piattaforma di prova negli studi di scienza dei materiali per studiare i meccanismi di crescita epitassiale sfruttando la sua struttura a cristallo singolo.

- Optoelettronica: Impiegato come substrato in gruppi di sensori ottici per ottenere prestazioni di segnale costanti sfruttando la bassa densità di difetti e l'orientamento preciso.

Substrato di alluminio a cristallo singolo (100), diam. 2 pollici x 0,95 mm, confezione SSP

Il substrato è confezionato in contenitori antistatici e imbottiti, rivestiti di schiuma inerte per proteggerlo da urti meccanici e contaminanti. È sigillato in un ambiente controllato per evitare l'ingresso di umidità e la contaminazione della superficie. Si consiglia di conservarli in condizioni di temperatura e umidità stabili. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzate, tra cui etichettature speciali e contenitori a compartimenti stagni.

Domande frequenti

Q1: Quali tecniche di ispezione confermano l'orientamento cristallografico del substrato?
A1: Il substrato viene sottoposto ad analisi di diffrazione a raggi X e di diffrazione a retrodiffusione di elettroni (EBSD) per verificare l'orientamento (100), garantendo l'integrità strutturale e la minima densità di difetti.

D2: In che modo lo spessore del substrato è rilevante per la lavorazione dei semiconduttori?
A2: Lo spessore di 0,95 mm garantisce la compatibilità con i protocolli consolidati di lavorazione dei wafer, facilitando trattamenti termici uniformi e precise fasi successive di deposizione.

D3: Le dimensioni sono regolabili per soddisfare le diverse condizioni sperimentali?
A3: Diametri e spessori personalizzati sono possibili a seguito di valutazioni dettagliate che garantiscono il mantenimento della coerenza cristallografica e la conferma delle metriche di prestazione.

Informazioni aggiuntive

I cristalli singoli di alluminio offrono proprietà anisotrope distinte legate al loro orientamento cristallografico. Questi substrati sono parte integrante della ricerca per lo studio della crescita epitassiale e degli effetti dell'uniformità della superficie sulla deposizione degli strati. Le loro caratteristiche strutturali ben definite contribuiscono a processi di fabbricazione più prevedibili e controllati.

Nell'ambito della scienza dei materiali in senso lato, la ricerca sui substrati a cristallo singolo favorisce il miglioramento della produzione di semiconduttori e delle applicazioni elettroniche avanzate. La capacità di controllare con precisione la cristallografia e la morfologia superficiale supporta gli sviluppi in corso sia negli studi fondamentali che nella tecnologia applicata, facendo progredire la nostra comprensione dei comportamenti dei materiali a livello microscopico.