CY9434 Wafer di silicio con oro da 100 nm Dia. 2 pollici x 525 μm di spessore

Wafer di silicio con oro da 100 nm Dia. 2 pollici x 525 μm di spessore Descrizione

Questo prodotto consiste in un wafer di silicio cristallino, rivestito uniformemente con uno strato d'oro di 100 nm mediante sputtering. Il diametro di 2 pollici e lo spessore di 525 μm si allineano agli utensili standard per semiconduttori, garantendo la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione consolidate. Lo strato d'oro migliora la conduttività elettrica e offre inerzia chimica. La sua deposizione controllata riduce al minimo lo stress del film e le anomalie superficiali, garantendo prestazioni precise per la fabbricazione di dispositivi microelettronici e sensori avanzati.

Wafer di silicio con 100 nm di oro Dia. 2 pollici x 525 μm di spessore Applicazioni

Produzione di elettronica e semiconduttori
- Utilizzato come strato conduttivo nei circuiti integrati per ottenere contatti elettrici stabili sfruttando le proprietà inerti dell'oro.
- Applicato nei dispositivi di sensori per garantire percorsi a bassa resistenza sfruttando la deposizione uniforme su substrati di silicio.

Microfabbricazione industriale
- Serve come substrato nei dispositivi MEMS per mantenere stabilità e coerenza dimensionale sfruttando le dimensioni standard dei wafer.
- Viene spesso utilizzato in ambienti di ricerca per sviluppare prototipi che richiedono precisi strati d'oro per una migliore integrità del segnale.

Wafer di silicio con diametro dell'oro di 100 nm. 2 pollici x 525 μm di spessore Imballaggio

Il wafer è confezionato singolarmente in un contenitore imbottito e antistatico per evitare danni meccanici e scariche elettrostatiche. È sigillato in polietilene con barriera contro l'umidità e supportato da inserti in schiuma personalizzati. La conservazione consigliata in un ambiente a temperatura controllata e a bassa umidità riduce al minimo la contaminazione e l'ossidazione. L'imballaggio può essere personalizzato con etichettatura e compartimentazione aggiuntiva per soddisfare requisiti specifici di manipolazione.

Domande frequenti

Q1: Quali metodi di ispezione vengono utilizzati per garantire l'uniformità dello strato d'oro di 100 nm?
A1: L'uniformità della superficie viene verificata mediante microscopia elettronica a scansione (SEM) e microscopia a forza atomica (AFM). Queste tecniche rilevano eventuali deviazioni nello spessore del film o difetti microstrutturali, assicurando che il processo di deposizione rispetti precise tolleranze ingegneristiche.

D2: In che modo lo spessore di 525 μm influisce sulle prestazioni del wafer durante la lavorazione?
A2: Lo spessore di 525 μm garantisce la stabilità meccanica, riducendo al minimo la deformazione durante i cicli termici e consentendo la compatibilità con le apparecchiature standard per la lavorazione dei wafer. Questa dimensione contribuisce a mantenere l'integrità strutturale durante le successive fasi di microfabbricazione.

D3: Ci sono procedure di manipolazione specifiche raccomandate per il wafer di silicio rivestito d'oro?
A3: Sì, è consigliabile maneggiare il wafer con strumenti antistatici in un ambiente pulito. Riducendo al minimo il contatto diretto si evita la contaminazione da particelle e il danneggiamento della superficie, che è fondamentale per mantenere l'integrità dello strato d'oro durante la successiva lavorazione.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono componenti fondamentali nella tecnologia dei semiconduttori grazie alle loro proprietà materiali ben caratterizzate e alla compatibilità con un'ampia gamma di processi di deposizione. L'integrazione di uno strato d'oro, controllato con precisione nello spessore, aggiunge caratteristiche elettriche e superficiali vantaggiose, essenziali per migliorare le prestazioni di interconnessione nei dispositivi microelettronici.

La comprensione delle interazioni tra il silicio e i film metallici sottili è fondamentale per lo sviluppo di dispositivi avanzati. L'interazione tra l'espansione termica, le proprietà di adesione e la qualità della deposizione sono fattori critici per l'affidabilità a lungo termine di componenti elettronici e array di sensori.