CY9433 Wafer di silicio con oro da 100 nm Dia. 4 pollici x 525 μm di spessore

Wafer di silicio con oro da 100 nm Dia. 4 pollici x 525 μm di spessore Descrizione

Il wafer di silicio con 100 nm di oro Dia. 4 pollici x 525 μm di spessore comprende un substrato di silicio rivestito uniformemente con un film d'oro da 100 nm mediante deposizione fisica controllata da vapore. Il diametro di 4 pollici e lo spessore di 525 μm assicurano la compatibilità con le apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori standard. Lo strato d'oro offre una bassa resistività elettrica e inerzia chimica, rendendolo adatto come piattaforma di prova per le misure elettriche e gli studi di adesione nella prototipazione dei substrati.

Wafer di silicio con 100 nm di oro Dia. 4 pollici x 525 μm di spessore Applicazioni

1.Elettronica
- Utilizzato come substrato nella fabbricazione di circuiti integrati per ottenere prestazioni elettriche definite sfruttando il rivestimento uniforme in oro.
- Applicato nelle configurazioni di calibrazione dei sensori per ridurre la resistenza di contatto sfruttando le proprietà uniformi del film metallico.

2.Ricerca e sviluppo
- Utilizzato come wafer di prova nell'ottimizzazione dei processi per monitorare l'uniformità di deposizione sfruttando lo strato d'oro accuratamente controllato.
- Utilizzato spesso come materiale di riferimento negli studi sulle superfici per valutare le caratteristiche di adesione e legame sfruttando l'interfaccia chimicamente inerte dell'oro.

Wafer di silicio con 100 nm di oro Dia. 4 pollici x 525 μm di spessore Imballaggio

Il wafer è protetto in un contenitore antistatico con un inserto in schiuma per attenuare gli shock meccanici e la contaminazione. È racchiuso in una busta purificata dall'azoto per ridurre al minimo l'ossidazione e l'esposizione al particolato. L'imballaggio incorpora una protezione per i bordi e consente opzioni di etichettatura personalizzate. Queste misure contribuiscono a mantenere l'integrità del substrato durante il trasporto e lo stoccaggio a lungo termine in ambienti controllati.

Domande frequenti

Q1: Come si verifica l'uniformità del rivestimento d'oro da 100 nm?
A1: Lo spessore dello strato d'oro viene confermato utilizzando la riflettometria a raggi X e la microscopia a forza atomica. Queste tecniche di misurazione forniscono dati quantitativi sull'uniformità del film, che è essenziale per garantire un comportamento elettrico corretto nelle applicazioni dei semiconduttori.

D2: Quale rugosità superficiale si osserva su questi wafer?
A2: La rugosità della superficie è caratterizzata dalla microscopia a forza atomica e mostra in genere variazioni sub-nanometriche. Una bassa rugosità superficiale favorisce una deposizione uniforme del film e proprietà di interfaccia coerenti per la fabbricazione dei dispositivi.

D3: In che modo l'imballaggio protegge il wafer durante la manipolazione e la spedizione?
A3: Il wafer è protetto in un contenitore antistatico e depurato dall'azoto, con inserti in schiuma per attutire gli urti e prevenire la contaminazione da particolato. Queste misure contribuiscono a preservare le condizioni superficiali e l'integrità strutturale del wafer durante il trasporto.

Informazioni aggiuntive

I wafer di silicio sono una piattaforma fondamentale per la produzione di dispositivi a semiconduttore e supportano vari processi di deposizione e litografia. L'applicazione di un sottile film d'oro migliora la conduttività elettrica e la stabilità chimica, fattori essenziali per misure elettriche precise e studi di bonding in ambienti di ricerca.

La deposizione di oro su silicio richiede un controllo rigoroso delle condizioni di deposizione e degli strati di adesione. Tecniche come la diffrazione di raggi X e la microscopia a forza atomica sono impiegate di routine per valutare l'integrità del film. La comprensione di queste interazioni tra materiali contribuisce a migliorare il controllo dei processi e le prestazioni dei dispositivi nella microelettronica.