CY8922 Diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su substrato SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm

Diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su substrato SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Descrizione

Provate le eccezionali prestazioni del nostro film monostrato CVD di diseleniuro di tungsteno (WSe2), depositato con precisione su un substrato di zaffiro SiO₂/Si di 10×10 mm. Questo strato ultrasottile presenta una notevole uniformità, garantendo uno spessore costante fino alla scala atomica. Il suo bandgap diretto e il forte accoppiamento spin-orbita lo rendono ideale per dispositivi elettronici e optoelettronici avanzati, come transistor, fotorivelatori e circuiti flessibili.

Realizzato attraverso un rigoroso processo di crescita, il nostro monostrato di WSe2 soddisfa rigorosi standard di qualità per purezza, cristallinità e riproducibilità. Il risultato è una piattaforma stabile ed efficiente per i ricercatori e i produttori che vogliono spingersi oltre i limiti della nanotecnologia. Investite in una soluzione affidabile, nota per la sua robustezza, mobilità e compatibilità con diverse applicazioni nella ricerca sui semiconduttori e nello sviluppo di prodotti all'avanguardia.

Diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su substrato SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Applicazioni

Il diseleniuro di tungsteno monostrato (WSe2) cresciuto tramite CVD su un substrato di SiO2/Si è un robusto semiconduttore 2D noto per la sua struttura stabile e stratificata e per il bandgap diretto. Questo film di 10x10 mm presenta eccezionali proprietà elettroniche e ottiche, che lo rendono molto adatto a varie applicazioni di prossima generazione. La sottigliezza del materiale, unita all'eccellente mobilità dei portatori e all'assorbimento ottico, consente soluzioni ad alte prestazioni in diversi settori, dall'elettronica all'energia, fino alle iniziative di ricerca avanzata.

1. Applicazioni industriali

-Sensori chimici ad alta sensibilità in ambienti petrolchimici, sfruttando l'eccellente reattività superficiale del WSe2.

-Elettronica automobilistica durevole e ad alte prestazioni, che beneficia della mobilità superiore del vettore del film.

-Apparecchiature di produzione avanzate in cui strati semiconduttori stabili migliorano l'efficienza dei dispositivi.

2. Applicazioni di ricerca

-Studi fondamentali sui materiali 2D, esplorando gli effetti quantistici e le strutture a bande elettroniche uniche del WSe.

2.

-Sviluppo di prototipi di dispositivi fotonici per le comunicazioni ottiche e la ricerca basata sui laser.

-Studi sulle architetture di semiconduttori di prossima generazione che sfruttano la scalabilità dei monostrati.

3. Applicazioni commerciali

-Dispositivi intelligenti indossabili che integrano film sottili e flessibili di WSe2 per migliorare il comfort dell'utente.

-Componenti per display ad alta risoluzione, che sfruttano il forte assorbimento ottico e la chiarezza.

-Elettronica di consumo che richiede transistor compatti ed efficienti dal punto di vista energetico costruiti su semiconduttori ultrasottili.

Diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su substrato di SiO2/Si Pellicola WSe2 10x10 mm Confezione

Ogni film WSe₂ da 10×10 mm viene accuratamente inserito in una custodia antistatica con imbottitura inerte, quindi sigillato sotto vuoto per ridurre al minimo l'esposizione all'umidità e alle particelle. Deve essere conservata in un ambiente a bassa umidità e privo di polvere, idealmente sotto azoto o argon, per evitare l'ossidazione. Si raccomanda un rigoroso controllo della contaminazione, compreso l'uso di guanti puliti e di superfici di manipolazione sterili. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento personalizzabili, tra cui strati protettivi aggiuntivi o etichettatura.

Confezionamento: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su substrato SiO2/Si Pellicola WSe2 10x10 mm FAQs

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del diseleniuro di tungsteno monostrato CVD su SiO2/Si Substrato WSe2 Film 10x10 mm?

A1: I film monostrato CVD di diseleniuro di tungsteno (WSe2) cresciuti su un substrato SiO2/Si o zaffiro di 10×10 mm presentano eccellenti proprietà elettriche e ottiche, tra cui un bandgap diretto di circa 1,6 eV, un'elevata mobilità dei portatori e una forte fotoluminescenza. Inoltre, mostrano una notevole stabilità chimica e flessibilità meccanica. Queste caratteristiche li rendono adatti a dispositivi optoelettronici avanzati, fotorivelatori ed elettronica flessibile, offrendo prestazioni elevate con uno spessore ridotto.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: A causa della loro sensibilità ai contaminanti e alle sollecitazioni meccaniche, questi film monostrato di WSe2 devono essere maneggiati in un ambiente pulito e a bassa umidità. Evitare il contatto diretto con le dita o con le pinzette senza rivestimento protettivo. Si raccomanda di conservarli in un contenitore antistatico in condizioni di inerzia o sotto vuoto per evitare reazioni superficiali. Una manipolazione delicata preserva l'integrità del film e massimizza le prestazioni del dispositivo.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al film monostrato CVD di diseleniuro di tungsteno su substrato SiO2/Si WSe2 10x10 mm?

A3: Questi film CVD WSe2 sono in genere conformi agli standard industriali generali per i materiali a film sottile, come la ISO 9001 per la gestione della qualità e la ISO 14001 per la gestione ambientale. I fornitori affidabili possono anche fornire una documentazione supplementare su purezza, uniformità e tracciabilità. La garanzia di uno spessore costante del monostrato, di difetti minimi e del rispetto di rigorosi protocolli metrologici interni contribuisce a garantire prestazioni affidabili per applicazioni industriali e di ricerca avanzate.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Il diseleniuro di tungsteno monostrato (WSe2) fabbricato mediante deposizione da vapore chimico su un substrato di SiO2/Si offre una notevole combinazione di caratteristiche ottiche ed elettroniche. La natura ultrasottile di questo film di 10x10 mm consente una configurazione diretta del bandgap, che permette un efficiente assorbimento ed emissione di luce, molto vantaggioso per l'integrazione di dispositivi optoelettronici. Questa struttura a singolo strato di atomi assicura anche un'eccellente mobilità dei portatori di carica, rendendolo un candidato eccezionale per i componenti che richiedono una risposta elettronica rapida e perdite di conduzione minime.

Insieme alla sua straordinaria uniformità, questo materiale dimostra un'elevata stabilità termica e resilienza meccanica. Questi attributi sono ulteriormente accentuati dal forte legame dell'interfaccia con il substrato, che sostiene l'affidabilità del dispositivo per cicli operativi prolungati. Rispetto ai film più spessi o policristallini, il WSe2 monostrato presenta una minore densità di difetti, una morfologia superficiale più liscia e una continuità di strato superiore, tutti fattori che migliorano le prestazioni del dispositivo e aprono la strada a strutture elettroniche innovative.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

In diversi settori industriali all'avanguardia, il monostrato CVD WSe2 mostra un'immensa promessa per le future scoperte tecnologiche. Il suo bandgap diretto e i pronunciati effetti eccitonici ne fanno un candidato privilegiato per i fotorivelatori e i diodi a emissione luminosa di prossima generazione, contribuendo alla rapida trasmissione dei dati e a una maggiore purezza dei colori nelle tecnologie di visualizzazione. Lo spessore su scala atomica del film consente inoltre di progettare array di transistor ad alta densità che richiedono un consumo energetico minimo.

I team di ricerca e sviluppo che stanno esplorando l'elettronica flessibile e indossabile apprezzano questo materiale anche per la sua capacità di piegarsi senza perdere conduttività o efficienza ottica. Questa adattabilità crea nuove strade per i sensori compatti, i dispositivi di monitoraggio sanitario e i sistemi ultrasottili di raccolta dell'energia. L'insieme di queste applicazioni avanzate sottolinea l'importanza del diseleniuro di tungsteno monostrato CVD nel plasmare il futuro dell'elettronica, della fotonica e dei circuiti integrati su scala globale.