CY8577 Wafer di carburo di silicio Substrato SiC 8 in 4H tipo N

Substrato di wafer di carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H di tipo N Descrizione

Il nostro substrato per wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo 4H N da 8 pollici è all'avanguardia tra i materiali semiconduttori ad alte prestazioni e offre un'eccezionale conduttività termica, una mobilità dei portatori superiore e una notevole tensione di breakdown. La sua struttura politipica 4H è stata progettata per le applicazioni più esigenti, garantendo un trasporto di elettroni potenziato e una densità di difetti ridotta. Grazie al drogaggio di tipo N, questo substrato SiC offre caratteristiche elettriche stabili, che lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e i sistemi automobilistici di nuova generazione.

Prodotto secondo rigorosi standard di qualità, ogni wafer vanta un'eccezionale uniformità di superficie e profili di drogaggio controllati che soddisfano le rigorose esigenze di fabbricazione di dispositivi avanzati. La combinazione di una robusta integrità strutturale e di imperfezioni cristalline minime rende questo substrato wafer una piattaforma affidabile ed efficiente per le tecnologie all'avanguardia, in grado di garantire prestazioni superiori dei dispositivi in un'ampia gamma di applicazioni ad alta tensione, alta frequenza e alta temperatura.

Substrato di wafer SiC in carburo di silicio da 8 pollici per applicazioni di tipo N 4H

Un substrato di wafer di carburo di silicio (SiC) da 8 pollici 4H di tipo N si distingue per le sue eccezionali proprietà elettriche, la superiore conducibilità termica e la robusta resistenza del materiale. Queste caratteristiche lo rendono ideale per soluzioni elettroniche avanzate in diversi settori civili, commerciali e industriali. L'ampio bandgap del wafer garantisce una maggiore efficienza e affidabilità, consentendo applicazioni innovative e ad alte prestazioni.

1. Applicazioni industriali

-Sensori ad alta temperatura nei processi chimici e petrolchimici, in cui la durata e l'affidabilità sono fondamentali

-Substrati robusti per la conversione avanzata dell'energia nelle apparecchiature di produzione, per ottimizzare l'uso dell'energia e le prestazioni.

-Componenti resistenti al calore nei sistemi di energia rinnovabile, che consentono inverter e convertitori efficienti.

2. Applicazioni di ricerca

-Sperimentazione di semiconduttori in ambienti universitari e di laboratorio, per esplorare strutture di dispositivi all'avanguardia

-Ricerca sui materiali avanzati con particolare attenzione ai prototipi ad alta frequenza e ad alta tensione

-Studi di gestione termica volti a migliorare l'efficienza energetica delle tecnologie emergenti.

3. Applicazioni commerciali

-Elettronica per autoveicoli, a supporto di moduli di potenza potenziati per veicoli elettrici e ibridi

-Infrastrutture di telecomunicazione, che consentono componenti di rete 5G e future più veloci e affidabili.

-Produzione di dispositivi medici, dove la stabilità delle prestazioni e la minima espansione termica sono molto apprezzate

Wafer in carburo di silicio Substrato SiC 8 in confezione 4H di tipo N

Ogni wafer è confezionato in un contenitore di spedizione a doppio strato, rivestito di schiuma antistatica e sigillato in un ambiente secco di azoto per ridurre l'infiltrazione di umidità. Materiali che assorbono gli urti proteggono dalle sollecitazioni meccaniche. Le condizioni di conservazione consigliate sono 15-25°C con umidità relativa inferiore al 40%. Le misure anticontaminazione comprendono manicotti sigillati singolarmente per evitare l'adesione delle particelle. Sono inoltre disponibili etichettature personalizzate, contenitori di dimensioni speciali e rivestimenti protettivi per soddisfare le esigenze specifiche dei clienti.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di Wafer SiC in Carburo di Silicio 8 in 4H di tipo N Domande frequenti

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del wafer di carburo di silicio SiC Substrate 8 in 4H di tipo N?

A1: I wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo 4H N presentano un ampio bandgap di circa 3,26 eV, un'elevata conducibilità termica di circa 3,7-4,9 W/cm-K e un'eccellente mobilità degli elettroni. Sono inoltre caratterizzati da un elevato campo elettrico di breakdown, tipicamente superiore a 2,0 MV/cm, e da concentrazioni di drogaggio coerenti che producono una conduzione stabile di tipo N. Queste proprietà rendono i substrati SiC 8 in 4H ideali per l'elettronica di potenza, i dispositivi ad alta frequenza e le applicazioni ad alta temperatura.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: Gli operatori devono sempre maneggiare i wafer SiC 8 in 4H di tipo N con guanti da camera bianca per evitare contaminazioni e micrograffi. Utilizzare porta wafer o cassette dedicate con materiali antistatici e mantenere condizioni di aria a basso contenuto di particelle nell'area di stoccaggio. Mantenere i wafer in un ambiente a umidità controllata, in genere tra il 40-60% RH, ed evitare la luce solare diretta o rapidi cambiamenti di temperatura per mantenere l'integrità del substrato.

D3: Quali sono gli standard di qualità e le certificazioni applicabili ai wafer di carburo di silicio SiC Substrate 8 in 4H N-type?

A3: Questi wafer SiC 8 in 4H di tipo N sono generalmente conformi alle pratiche di gestione della qualità ISO 9001:2015, che garantiscono parametri coerenti dei wafer e la tracciabilità durante la produzione. Sono inoltre conformi agli standard SEMI per lo spessore, la planarità e le tolleranze dimensionali dei wafer. Alcuni produttori possono essere in possesso di ulteriori certificazioni ambientali o di sicurezza, come la conformità RoHS e REACH, che indicano livelli limitati di sostanze pericolose e l'adesione ai requisiti normativi globali.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Questo substrato di carburo di silicio Wafer SiC 8 in 4H di tipo N si distingue per la sua notevole conducibilità termica e l'ampio bandgap, che consentono una gestione della potenza e un'efficienza superiori nei dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Dotato di una struttura cristallina ideale, supporta velocità di commutazione più elevate e una solida affidabilità in ambienti operativi difficili, riflettendo la sua idoneità per applicazioni ad alta tensione e ad alta temperatura.

Utilizzando il politipo 4H, questo substrato di SiC offre una maggiore mobilità degli elettroni e perdite di conduzione ridotte. Il suo drogaggio di tipo N assicura una concentrazione di portatori di carica costante e controllata, che determina prestazioni stabili nei circuiti ad alta frequenza. Grazie all'eccellente precisione dimensionale, questi wafer contribuiscono ai processi di produzione che richiedono un allineamento di precisione e densità di difetti minime.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

I produttori di semiconduttori in settori come l'aerospaziale e le telecomunicazioni si affidano spesso ai wafer di carburo di silicio di tipo N 4H per far progredire i loro dispositivi di potenza di prossima generazione. Questi substrati sono in grado di sopportare intense sollecitazioni meccaniche e rapide fluttuazioni di temperatura, rendendoli parte integrante di sistemi che richiedono un'efficienza costante per una durata di vita prolungata.

La ricerca all'avanguardia nella propulsione dei veicoli elettrici, nelle soluzioni per le energie rinnovabili e nell'automazione industriale si basa anche sui substrati SiC. Grazie alla maggiore densità di potenza e alla riduzione delle perdite di energia, questi wafer consentono di sviluppare inverter e convertitori compatti e leggeri. La loro capacità di gestire correnti e tensioni elevate li rende indispensabili per spingere i confini della moderna elettronica di potenza.