CY8567 Wafer di carburo di silicio Substrato SiC 3 in 6H tipo P

Wafer di Carburo di Silicio Substrato SiC 3 in 6H Tipo P Descrizione

Provate le eccezionali prestazioni del nostro wafer di carburo di silicio da 3 pollici di tipo 6H P, progettato per offrire proprietà materiali superiori per applicazioni elettroniche all'avanguardia e ad alta temperatura. L'ampio bandgap, l'eccezionale conduttività termica e la notevole stabilità chimica garantiscono prestazioni robuste in condizioni difficili. Il politipo 6H garantisce una struttura cristallina uniforme e una maggiore mobilità dei portatori, mentre il drogaggio di tipo P offre caratteristiche di conduzione affidabili, fondamentali per i dispositivi di potenza e i componenti ad alta frequenza.

Prodotto in base a rigorosi standard di qualità, ogni wafer è sottoposto a test rigorosi per rispettare le strette tolleranze di spessore e mantenere livelli minimi di difetti. Questa attenzione alla qualità garantisce una morfologia superficiale uniforme e una resa affidabile dei dispositivi. Ideale per applicazioni nell'elettronica di potenza, nei sensori per ambienti difficili e nella ricerca avanzata, il nostro substrato di SiC tipo 6H P stabilisce il punto di riferimento per le soluzioni di semiconduttori ad alte prestazioni.

Substrato SiC in wafer di carburo di silicio 3 per applicazioni di tipo 6H P

Il wafer di carburo di silicio (substrato SiC) 3 in 6H di tipo P offre robuste caratteristiche fisiche ed elettroniche adatte a diversi settori. L'ampio bandgap, l'elevata conducibilità termica e le solide proprietà meccaniche consentono di realizzare dispositivi efficienti, affidabili e di lunga durata. Massimizzando la conversione di potenza e le capacità di dissipazione del calore, questo substrato contribuisce a far progredire i sistemi ad alte prestazioni di prossima generazione, promuovendo l'innovazione nell'elettronica, nei dispositivi sanitari e nelle applicazioni di ricerca scientifica.

1. Industria elettronica e dei semiconduttori

-Applicazione 1: Ideale per i transistor di potenza nei circuiti ad alta tensione e ad alta frequenza, sfruttando l'ampio bandgap e la resistenza al calore.

-Applicazione 2: migliora l'affidabilità dei convertitori ad alta potenza per i data center e l'elettronica commerciale ad alta efficienza energetica.

2. Applicazioni mediche e sanitarie

-Applicazione 1: offre moduli di sensori stabili e ad alta precisione per apparecchiature di imaging avanzate

-Applicazione 2: facilita lo sviluppo di dispositivi medici compatti e resistenti al calore per il monitoraggio e la diagnostica dei pazienti.

3. Strumenti scientifici e di ricerca

-Applicazione 1: serve come materiale di base robusto nelle piattaforme lab-on-a-chip per l'analisi chimica

-Applicazione 2: consente di migliorare le prestazioni delle apparecchiature di spettroscopia, grazie a proprietà termiche ed elettriche superiori.

Substrato di carburo di silicio Wafer SiC 3 in confezione tipo P 6H

I nostri wafer di carburo di silicio (SiC) da 3 pollici di tipo 6H P sono inseriti singolarmente in contenitori a prova di scariche elettrostatiche, circondati da inserti di schiuma. Ogni wafer è sigillato sottovuoto per una maggiore protezione dall'umidità, riducendo al minimo i rischi di danneggiamento e contaminazione. Conservare in un'area fresca e asciutta, con livelli di umidità stabili e una minima esposizione ai raggi UV. Per evitare la contaminazione, si consiglia di utilizzare un ambiente di classe ISO per la manipolazione. Su richiesta sono disponibili confezioni personalizzate, come il purging con azoto o la schermatura a doppio strato.

Imballaggio: Sigillato sotto vuoto, scatola di legno o personalizzato.

Wafer di carburo di silicio Substrato SiC 3 in 6H tipo P FAQs

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del wafer di carburo di silicio SiC Substrate 3 in 6H P-type?

A1: Il wafer di carburo di silicio di tipo 6H P da 3 pollici offre un ampio bandgap (~3 eV), un'eccellente conduttività termica (~4,9 W/cm-K) e un'elevata intensità del campo elettrico di breakdown (~3 MV/cm). Il suo drogaggio di tipo P utilizza tipicamente alluminio o boro, fornendo una conducibilità stabile delle buche. La struttura cristallina esagonale 6H garantisce una mobilità degli elettroni superiore lungo alcuni assi. Questo materiale resiste anche alle alte temperature, consentendo applicazioni di dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza con correnti di dispersione minime in condizioni estreme.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto per preservarne l'integrità?

A2: Maneggiare il wafer dai bordi usando guanti non abrasivi per evitare di introdurre graffi o contaminanti. Conservarlo in un ambiente pulito e asciutto, con un'esposizione minima alla luce e all'umidità. Utilizzare supporti antistatici e mantenere condizioni di temperatura e umidità stabili. Attuare protocolli di pulizia accurati in caso di accumulo di residui superficiali, assicurandosi di utilizzare solo soluzioni solventi approvate. Un'etichettatura adeguata e un imballaggio sicuro evitano confusioni involontarie o danni alle superfici.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano ai wafer di carburo di silicio SiC Substrate 3 in 6H P-type?

A3: I produttori affidabili sono conformi alle norme ISO 9001 per la gestione generale della qualità e ISO 14001 per la responsabilità ambientale. Inoltre, i wafer destinati alle applicazioni dei semiconduttori sono spesso conformi agli standard SEMI (ad esempio, SEMI M55) che regolano lo spessore, l'orientamento e la planarità del substrato. Alcuni fornitori dispongono anche delle certificazioni RoHS e REACH per garantire la conformità alle normative sulle sostanze pericolose. Controlli e documentazioni regolari garantiscono la tracciabilità, assicurando che ogni wafer soddisfi i severi requisiti di prestazione e sicurezza.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Questo wafer di carburo di silicio SiC con diametro di 3 pollici e struttura cristallina 6H offre un'eccezionale conduttività termica, che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono un'efficiente dissipazione del calore. Il drogaggio di tipo P assicura una conducibilità elettrica affidabile, consentendo prestazioni stabili nei circuiti ad alta potenza, come quelli utilizzati nei convertitori di potenza e nei dispositivi di commutazione ad alta tensione. La robusta struttura reticolare del wafer gli conferisce un'eccezionale resistenza alla frattura, contribuendo a prolungare la durata del dispositivo anche in condizioni di lavoro difficili.

Caratterizzato da un ampio bandgap, il wafer 6H di tipo P presenta correnti di dispersione inferiori a temperature elevate rispetto ai materiali semiconduttori convenzionali. L'elevata intensità del campo di rottura aumenta ulteriormente l'affidabilità del dispositivo, riducendo al minimo le perdite di energia e migliorando l'efficienza complessiva del sistema. Inoltre, la capacità del wafer di resistere ad ambienti operativi difficili, tra cui temperature estreme ed esposizione a sostanze chimiche, offre un chiaro vantaggio ai produttori che cercano di sviluppare componenti durevoli di nuova generazione.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

I sistemi avanzati di elettronica di potenza traggono grande vantaggio dal substrato di carburo di silicio di tipo P 6H, grazie alla sua capacità di gestire tensioni e correnti elevate. Nei veicoli elettrici, questi wafer sono impiegati nei moduli di controllo dell'alimentazione che richiedono velocità di commutazione elevate e una dissipazione di energia minima, migliorando così l'efficienza del veicolo e aumentando l'autonomia della batteria. Anche le applicazioni aerospaziali sfruttano le proprietà di resistenza al calore dei wafer per gestire i carichi termici nei sistemi avionici, migliorando l'affidabilità e le prestazioni complessive.

I settori della tecnologia medica sfruttano i wafer in carburo di silicio SiC Substrate 3 in 6H P-type per la loro durata e stabilità di funzionamento in ambienti ad alta temperatura. Le apparecchiature di imaging e diagnostica operano spesso con carichi continui, rendendo i substrati robusti e ad alte prestazioni essenziali per una funzionalità ininterrotta. Incorporando questi wafer, i produttori di dispositivi medici assicurano un'acquisizione precisa dei dati e un funzionamento affidabile del sistema, sostenendo la continua spinta all'innovazione nel settore sanitario.