CY8561 Wafer di carburo di silicio Substrato SiC 2 in 4H tipo SEMI (HPSI)

Wafer in carburo di silicio Substrato SiC 2 in 4H tipo SEMI (HPSI) Descrizione

Sperimentate prestazioni eccezionali con il nostro wafer in carburo di silicio (SiC) da 2" 4H tipo SEMI (HPSI). Noto per l'ampio bandgap e l'eccezionale conduttività termica, questo substrato offre una gestione della potenza superiore e supporta il funzionamento ad alta frequenza. Il politipo 4H offre un'eccezionale mobilità degli elettroni, che lo rende adatto a dispositivi di potenza avanzati, applicazioni RF ed elettronica ad alta temperatura. Le sue proprietà semi-isolanti aiutano a minimizzare la conduzione parassita, garantendo un funzionamento più efficiente del dispositivo e una minore perdita di energia.

Prodotto sotto un rigoroso controllo di qualità e in conformità agli standard SEMI, ogni wafer è sottoposto a un'ispezione rigorosa per verificare l'uniformità dello spessore, la bassa densità di difetti e la qualità della superficie. Ciò garantisce prestazioni affidabili e costanti, consentendo a ingegneri e ricercatori di spingersi oltre i confini dell'elettronica di potenza, delle telecomunicazioni e di altre applicazioni impegnative. Affidatevi ai nostri wafer SiC per la loro comprovata durata, stabilità termica ed eccellenza dei materiali.

Wafer di carburo di silicio SiC Substrato 2 in 4H Applicazioni di tipo SEMI (HPSI)

Il wafer di carburo di silicio SiC Substrate 2 in 4H di tipo SEMI (HPSI) è noto per il suo eccellente bandgap ampio, la robusta stabilità chimica e l'elevata conducibilità termica. Queste proprietà chiave lo rendono una scelta versatile in vari campi, consentendo soluzioni affidabili e ad alte prestazioni in ambito industriale, di ricerca e commerciale. Con una durata e una capacità di gestione della potenza superiori, questo substrato supporta sviluppi innovativi nell'elettronica avanzata e non solo.

1. Applicazioni industriali

-Sensori ad alta temperatura e moduli di controllo della potenza utilizzati nella produzione automobilistica, dove la stabilità termica e l'elevata resistenza alla rottura sono fondamentali.

-Componenti resistenti alla corrosione nei processi chimici e petrolchimici, che beneficiano dell'eccellente inerzia chimica del wafer.

2. Applicazioni di ricerca

-Prototipi di semiconduttori di nuova generazione incentrati su materiali ad ampio bandgap, a supporto degli studi sull'elettronica avanzata.

-Esperimenti di caratterizzazione dei materiali in laboratori di ricerca e sviluppo universitari e privati, sfruttando la qualità cristallografica costante del substrato.

3. Applicazioni commerciali

-Elettronica di potenza ad alta efficienza in sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari, sfruttando la superiore conduttività termica del substrato.

-Soluzioni di ricarica rapida e moduli di alimentazione per dispositivi portatili per l'elettronica di consumo, che beneficiano di una maggiore affidabilità e di una ridotta generazione di calore.

Substrato di Wafer SiC in Carburo di Silicio 2 in confezione 4H tipo SEMI (HPSI)

Ogni wafer di carburo di silicio da 2 pollici 4H di tipo SEMI (HPSI) è fissato con inserti di schiuma antistatica all'interno di un contenitore per wafer pulito e sigillato per evitare la contaminazione da polvere o particolato. Il contenitore viene poi sigillato sottovuoto in sacchetti antiumidità ed etichettato per la tracciabilità. Lo stoccaggio a lungo termine richiede un ambiente controllato a bassa umidità e temperatura stabile. È possibile organizzare soluzioni di imballaggio personalizzate per rispondere a requisiti di spedizione, movimentazione o stoccaggio unici.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Wafer in carburo di silicio Substrato SiC 2 in 4H di tipo SEMI (HPSI) FAQs

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del wafer di carburo di silicio SiC Substrate 2 in 4H tipo SEMI (HPSI)?

A1: Il politipo 4H del carburo di silicio offre un ampio bandgap di circa 3,26 eV, un'eccezionale conduttività termica e un'elevata resistenza al campo elettrico critico. Presenta inoltre difetti reticolari minimi, che consentono un'eccellente mobilità dei portatori. Queste caratteristiche rendono il wafer ideale per applicazioni ad alta potenza, ad alta frequenza e ad alta temperatura. Inoltre, la sua struttura cristallina di alta qualità garantisce profili di drogaggio uniformi e prestazioni affidabili nella produzione di dispositivi semiconduttori avanzati.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: I wafer di carburo di silicio devono essere maneggiati con cura per evitare graffi superficiali e contaminazione da particelle. Usare guanti puliti e non abrasivi e toccare solo i bordi durante il trasferimento. Conservare i wafer in un contenitore compatibile con la camera bianca, con un'esposizione minima all'umidità e al particolato aereo. Mantenere un ambiente controllato con livelli stabili di temperatura e umidità. Ispezionare regolarmente l'area di stoccaggio per individuare eventuali rischi di contaminazione e preservare l'integrità dei wafer.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano ai wafer di carburo di silicio SiC Substrate 2 in 4H di tipo SEMI (HPSI)?

A3: Questi wafer sono generalmente conformi agli standard SEMI M55 e M59 per le specifiche dei substrati SiC e le definizioni dei wafer. Sono sottoposti a rigorosi processi di controllo della qualità, tra cui l'ispezione ottica e la caratterizzazione elettrica. Molti produttori aderiscono alle norme ISO 9001 per la gestione della qualità e ISO 14001 per le pratiche ambientali. Altre certificazioni, come la IATF 16949, sono spesso richieste per le applicazioni legate al settore automobilistico, per garantire l'affidabilità e la coerenza delle prestazioni.

Informazioni correlate

1. Proprietà e vantaggi del materiale

Grazie all'eccezionale conducibilità termica e all'ampio bandgap, il wafer di carburo di silicio SiC Substrate 2 in 4H di tipo SEMI (HPSI) si distingue per la tolleranza alle alte temperature e l'isolamento elettrico superiore. La sua struttura cristallina è stata progettata per presentare una bassa densità di difetti reticolari, garantendo un'elevata mobilità dei portatori e prestazioni costanti durante il funzionamento. Questo wafer specializzato dimostra anche una notevole stabilità chimica, che lo rende resistente agli ambienti corrosivi e quindi adatto all'uso in condizioni difficili.

L'accurato controllo dei livelli di drogaggio migliora ulteriormente le sue qualità semi-isolanti, riducendo le correnti di dispersione e migliorando la chiarezza del segnale. Grazie ai profili di resistività coerenti sul diametro di 2 pollici, i dispositivi fabbricati su questo substrato presentano caratteristiche elettriche stabili e interferenze minime. Inoltre, la bassa densità di dislocazioni insita nel politipo 4H riduce la probabilità di guasti del dispositivo, consolidando l'affidabilità di questo wafer per le applicazioni elettroniche avanzate.

2. Applicazioni nelle industrie avanzate

Ricerche approfondite hanno dimostrato l'efficacia del wafer HPSI 4H-SiC nell'elettronica ad alta tensione, in particolare nei componenti di commutazione di potenza per i sistemi di conversione energetica. Le industrie che richiedono dispositivi compatti ma potenti, come i produttori di veicoli elettrici, traggono grande vantaggio dalla capacità del wafer di gestire velocità di commutazione rapide con perdite di potenza ridotte. Questo vantaggio distinto si allinea con la crescente esigenza del mercato di soluzioni efficienti che supportino gli obiettivi di energia sostenibile.

Anche le innovazioni tecnologiche nei sistemi aerospaziali sfruttano le robuste prestazioni di questo substrato in condizioni estreme. La forte resistenza alle radiazioni e la rapida capacità di dissipazione del calore del wafer garantiscono un funzionamento affidabile nelle applicazioni spaziali e negli ambienti ad alte radiazioni. Questi punti di forza unici posizionano il wafer di carburo di silicio SiC Substrate 2 in 4H di tipo SEMI (HPSI) come una risorsa fondamentale nella progettazione e fabbricazione di dispositivi di prossima generazione.