CY8553 Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici Descrizione

Il nostro substrato di cristallo di silicio (Si) da 4 pollici (111) si distingue per l'eccezionale uniformità cristallografica e la composizione di elevata purezza, che lo rendono una scelta privilegiata per la ricerca avanzata e le applicazioni industriali. L'orientamento (111) offre proprietà strutturali uniche che consentono un controllo preciso dei processi di crescita epitassiale e di drogaggio, essenziali per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. Questo substrato è lucidato a specchio, per garantire difetti superficiali minimi e un'adesione superiore del film.

Prodotto secondo rigorosi standard di qualità, ogni wafer viene sottoposto a ispezioni e test approfonditi per garantire spessore, planarità e resistività costanti. Il risultato è una piattaforma affidabile per la produzione di dispositivi elettronici, sensori e fotonici ad alte prestazioni. Grazie alle sue eccellenti caratteristiche termiche ed elettriche, questo substrato di Si (111) è stato progettato per fornire risultati affidabili in una serie di attività critiche di ricerca e commerciali.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici è ampiamente riconosciuto per la sua stabilità, le capacità di drogaggio uniforme e le eccellenti proprietà meccaniche, che lo rendono indispensabile in una varietà di settori. Il suo distinto orientamento cristallografico offre proprietà elettroniche superiori, difetti ridotti e una gestione termica efficiente. Dall'elettronica di precisione alle soluzioni all'avanguardia per le energie rinnovabili, questo substrato di alta qualità trova posto in numerose applicazioni civili in cui affidabilità, prestazioni e scalabilità sono fondamentali.

1. Applicazioni di elettronica e semiconduttori

-Fabbricazione avanzata di transistor: L'orientamento (111) garantisce un eccellente controllo dei difetti e l'uniformità del drogaggio per migliorare le prestazioni dei dispositivi.

-Circuiti integrati ad alta velocità: La sua struttura cristallina superiore supporta una rapida elaborazione del segnale nell'elettronica di consumo e industriale.

2. Dispositivi medici e sanitari

-Array di sensori: Il reticolo cristallino uniforme consente un rilevamento e una misurazione precisi nei sistemi di monitoraggio dei pazienti.

-Elettronica impiantabile: L'eccellente biocompatibilità e la conduttività termica garantiscono prestazioni affidabili e sicure a lungo termine.

3. Soluzioni per le energie rinnovabili

-Celle fotovoltaiche: La struttura stabile del substrato favorisce la conversione efficiente dell'energia solare in elettricità.

-Componenti per l'energia solare a concentrazione: L'elevata conduttività termica aiuta a gestire il flusso di calore per una maggiore affidabilità del sistema.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici Confezione

Ogni substrato di cristallo di silicio (Si) da 4 pollici (111) è sigillato singolarmente in una busta antistatica con un'imbottitura in schiuma morbida per proteggerlo da urti meccanici e contaminazione. Le condizioni di conservazione consigliate includono un ambiente pulito, a temperatura controllata e con bassa umidità. Per prevenire la contaminazione, vengono utilizzati imballaggi sigillati sottovuoto e protezione dei bordi sigillata. Su richiesta sono disponibili opzioni di confezionamento ed etichettatura personalizzate, che garantiscono un trasporto sicuro e una facile identificazione per varie applicazioni industriali e di ricerca.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici Domande frequenti

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici?

A1: Il substrato di silicio monocristallino da 4 pollici di diametro con orientamento (111) offre in genere una costante reticolare di circa 5,43 Å e uno spessore di circa 525 µm. Presenta livelli di purezza elevati (99,9999% o superiori) e un'eccezionale uniformità cristallografica. La resistività può variare da pochi milli-ohm-cm a diverse centinaia di ohm-cm, a seconda del drogaggio. Questo orientamento è favorito per le applicazioni di dispositivi avanzati grazie alla sua disposizione atomica unica.

D2: Quali sono le procedure di manipolazione e le condizioni di conservazione consigliate per i substrati di silicio orientati al 111 da 4 pollici?

A2: Questi substrati devono essere maneggiati in una camera bianca con guanti privi di polvere per evitare la contaminazione da particelle o ioni. Utilizzare pinzette per wafer a bordo fisso o bacchette per il vuoto per evitare danni da contatto. Conservare i wafer in supporti o cassette per ridurre al minimo le sollecitazioni meccaniche e i graffi superficiali. Mantenere una bassa umidità e temperature stabili, in genere intorno ai 21°C, per garantire un'ossidazione minima e l'accumulo di particelle.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici?

A3: I produttori spesso aderiscono alle specifiche SEMI M1 per la geometria, lo spessore e la qualità della superficie dei wafer, insieme alle certificazioni del sistema di gestione della qualità ISO 9001. Alcuni fornitori rispettano anche le direttive RoHS e REACH per garantire la conformità ambientale. La documentazione aggiuntiva può includere un certificato di analisi che verifica l'orientamento cristallografico, la concentrazione di drogaggio, la resistività e la densità dei difetti. Questi standard contribuiscono a garantire uniformità, tracciabilità e prestazioni costanti del dispositivo.

Informazioni correlate

1. Standard e certificazioni del settore

Un'ampia gamma di parametri di riferimento internazionali garantisce che il substrato di cristallo di silicio (Si) (111) Dia. 4 pollici soddisfano i severi requisiti di qualità dei materiali. Aderendo alle specifiche SEMI, questi substrati sono in genere sottoposti a test meticolosi per l'orientamento cristallografico, la tolleranza dello spessore e la planarità della superficie, confermando la loro conformità ai principali standard globali.

Gli organismi di certificazione B, come l'ISO e altre istituzioni riconosciute dal settore, forniscono una convalida da parte di terzi delle pratiche di produzione e degli approcci di controllo della qualità. Per i wafer di silicio da 4 pollici (111) orientati, queste credenziali assicurano ai clienti che ogni substrato è prodotto in un ambiente controllato e soddisfa criteri di prestazione specifici per applicazioni avanzate.

2. Misure di controllo della qualità

I controlli di qualità completi sono condotti in diverse fasi della produzione dei wafer, dalla crescita dei cristalli alla lucidatura finale. Le tecniche di valutazione non distruttive, tra cui la diffrazione a raggi X e la profilometria ottica, verificano che ogni substrato sia conforme ai parametri di uniformità dello spessore e di finitura superficiale richiesti.

Gli strumenti di precisione D controllano la planarità dei substrati di silicio da 4 pollici (111) per ridurre al minimo l'inarcamento o la deformazione dei wafer. Questa attenzione ai dettagli contribuisce a mantenere caratteristiche elettriche rigorose e riduce la probabilità di difetti, garantendo agli utenti finali i materiali costanti e ad alte prestazioni di cui hanno bisogno per i processi critici dei semiconduttori.