CY8552 Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici Descrizione

Questi substrati di cristallo di silicio (Si) di elevata purezza presentano un orientamento (110) e un diametro di 4 pollici, che li rendono ideali per la ricerca e la produzione di semiconduttori avanzati. Ricavati da silicio monocristallino con un profilo di drogaggio uniformemente controllato, presentano un'eccellente uniformità cristallografica, una bassa densità di difetti e una conduttività termica superiore. L'orientamento (110) facilita le proprietà elettroniche uniche desiderate nei dispositivi MEMS e nelle architetture dei transistor, consentendo un'incisione precisa e processi di microlavorazione dettagliati.

Prodotto secondo rigorosi standard di qualità, ogni wafer soddisfa o supera le linee guida SEMI per la rugosità superficiale, la planarità e il controllo dei difetti. Le rigorose procedure di ispezione assicurano uno spessore costante e una qualità superficiale ottimale, garantendo l'affidabilità richiesta dalla ricerca sui materiali all'avanguardia e dalla fabbricazione di dispositivi. Affidatevi a questi substrati di Si orientati a (110) per ottenere prestazioni elevate in un'ampia gamma di applicazioni scientifiche e industriali.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici Applicazioni

Il substrato di cristallo di silicio (Si) (110), con diametro di 4 pollici, fornisce una piattaforma robusta e orientata con precisione, fondamentale per numerose innovazioni high-tech. La sua struttura cristallina unica offre mobilità degli elettroni, conduttività termica e resistenza meccanica superiori, rendendolo prezioso per le applicazioni all'avanguardia. Sia che alimenti dispositivi a semiconduttore avanzati o supporti strumenti di precisione, questo substrato soddisfa in modo affidabile i severi requisiti di prestazione della tecnologia moderna.

1. Applicazioni industriali

-Elettronica e semiconduttori: Consente di realizzare circuiti integrati e array di sensori affidabili, sfruttando l'eccellente mobilità dei portatori di carica.

-Sensori automobilistici di precisione: Fornisce proprietà meccaniche costanti per rilevatori di movimento avanzati, migliorando la sicurezza dei veicoli.

-Apparecchiature per il trattamento chimico: Resiste agli ambienti difficili e garantisce prestazioni stabili nei reattori su scala industriale.

2. Applicazioni di ricerca

-Prototipi di dispositivi biomedici: offre una base stabile e biocompatibile per lo sviluppo di strumenti diagnostici di nuova generazione.

-Studi sulla deposizione di film sottili: Facilita una sperimentazione accurata nella scienza dei materiali, grazie all'orientamento ben definito dei cristalli.

-Indagini ottiche e fotoniche: Supporta studi precisi sulle guide d'onda e sui laser grazie a proprietà di rifrazione costanti.

3. Applicazioni commerciali

-Componenti per telecomunicazioni: Offre prestazioni ad alta frequenza fondamentali per i sistemi di rete e l'elaborazione dei segnali.

-Soluzioni per le energie rinnovabili: Funge da base per lo sviluppo di celle solari, migliorandone l'efficienza e la durata.

-Produzione di elettronica di consumo: Assicura materiali di substrato affidabili e di alta qualità per display a schermo piatto e sensori.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. Confezione da 4 pollici

Ogni substrato di cristallo di silicio da 4 pollici (110) è sigillato singolarmente in una busta priva di elettricità statica, circondata da inserti di schiuma per la protezione da urti e contaminazione. Devono essere conservati in un ambiente pulito e a bassa umidità, idealmente tra i 15°C e i 25°C, per preservare l'integrità della superficie. Uno strato protettivo aggiuntivo impedisce l'accumulo di particolato. Su richiesta sono disponibili etichette personalizzate, marcature speciali o configurazioni di confezionamento uniche per soddisfare requisiti operativi o di manipolazione specifici.

Imballaggio: Sigillato sottovuoto, scatola di legno o personalizzato.

Substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici FAQ

Q1: Quali sono le principali proprietà del materiale del substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici?

A1: I substrati di cristallo di silicio (Si) con orientamento (110) sono noti per la loro struttura cristallina uniforme, che li rende preziosi per le applicazioni avanzate dei semiconduttori. In genere, i wafer con diametro di 4 pollici hanno uno spessore strettamente controllato (ad esempio, 525 ± 25 µm) e una gamma di resistività che dipende dal drogaggio. Presentano un'elevata conduttività termica (circa 149 W/m-K) e una bassa densità di difetti. L'orientamento (110) supporta alcuni progetti di dispositivi specializzati, fornendo proprietà meccaniche ed elettriche distinte.

D2: Come deve essere maneggiato e conservato questo prodotto?

A2: Questi wafer devono essere maneggiati in una camera bianca con aria filtrata e priva di particelle. Il contatto diretto con la pelle nuda deve essere evitato; si devono invece utilizzare guanti antistatici o bacchette per il vuoto. I wafer sono generalmente conservati in porta wafer o cassette che proteggono le superfici dai graffi. Il mantenimento di un ambiente stabile, a bassa umidità (circa il 40% di umidità relativa) e a temperatura moderata (circa 20-25°C) aiuta a prevenire la contaminazione, l'ossidazione e i danni meccanici.

D3: Quali standard di qualità e certificazioni si applicano al substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici?

A3: La produzione di wafer di silicio è generalmente conforme agli standard SEMI M1, che regolano lo spessore, il diametro e la planarità dei wafer. Molti fornitori sono inoltre certificati secondo la norma ISO 9001 per la gestione della qualità, che garantisce controlli di processo rigorosi e tracciabilità in ogni fase di produzione. Altri standard, come l'ISO 14001, possono essere applicati alla gestione ambientale. La conformità a questi requisiti garantisce una qualità costante dei wafer, difetti minimi e prestazioni affidabili per l'utilizzo nella produzione di dispositivi a semiconduttore o in applicazioni di ricerca.

Informazioni correlate

1. Applicazioni nelle industrie avanzate

I dispositivi a semiconduttore specializzati e i sensori avanzati si affidano spesso al substrato di cristallo di silicio (Si) (110) Dia. 4 pollici per ottenere prestazioni superiori. L'orientamento cristallino (110) offre proprietà elettriche e meccaniche distinte, che lo rendono particolarmente adatto ai componenti che richiedono un'elaborazione del segnale ad alta velocità. Poiché il wafer ha un diametro di 4 pollici, è sufficientemente grande per ospitare vari progetti complessi, pur rimanendo compatibile con un'ampia gamma di apparecchiature di fabbricazione esistenti in settori tecnologici all'avanguardia.

Molti campi all'avanguardia, come la produzione di celle solari ad alta efficienza e l'elettronica di potenza, traggono vantaggio dalla natura robusta di questo substrato specifico. La sua struttura cristallina favorisce una maggiore conduttività elettrica nelle applicazioni in cui sono fondamentali un flusso di corrente costante e una perdita di energia ridotta. Ciò ha posizionato il wafer di silicio (110) come soluzione preferita per le tecnologie emergenti che richiedono stabilità, miniaturizzazione ed elevata affidabilità.

2. Ricerca e sviluppo

Gli istituti di ricerca esplorano continuamente nuovi metodi e materiali per migliorare la funzionalità dei substrati di silicio (110). Il lavoro in corso comprende l'ottimizzazione del processo di drogaggio per ottenere concentrazioni precise di portatori, nonché lo studio di nuovi metodi per migliorare la levigatezza della superficie e ridurre le impurità. Grazie a questi sforzi, i laboratori di tutto il mondo spingono i confini delle prestazioni in una varietà di applicazioni che beneficiano delle proprietà elettriche e meccaniche uniche del silicio.

Gli esperimenti all'avanguardia spesso prevedono la modifica dello spessore e dell'orientamento dei wafer per valutarne l'impatto sull'efficienza dei dispositivi. Il silicio orientato (110), in particolare, è di crescente interesse perché può accogliere approcci specializzati di incollaggio dei wafer per microsistemi avanzati e array di sensori. Queste innovazioni non solo aprono la strada a dispositivi all'avanguardia, ma contribuiscono anche ad aumentare i rendimenti e la produttività in diversi ambienti di ricerca e industriali.